简介:简要介绍了一种新型RADFETsγ剂量探测器的工作原理以及辐射性能研究。
简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。
简介:O4322001020774光电技术在合肥光源束流测量系统中的应用=Applicationofopto-electronictechniquestothemeasuringsystemsforbeamoflightsource[刊,中]/孙葆根,何多慧,方志高,王贵诚,卢平,王筠华,许玲(中国科技大学国家同步辐射实验室.安徽,合肥(230029))//光电工程.—2000,27(2).-1-4介绍了合肥200MeV电子直流加速器利用光电二极管阵列的能谱测量系统。800MeV电子储存环利用CCD技术的束流截面测量系统及利用单光子计数法测量束团纵向精细结构。图5参3(吴淑珍)