简介：2017年1月6日，美国总统科技顾问委员会（PCAST）向总统提交《确保美国在半导体行业的长期领导地位》的报告，提出了应对中国在集成电路产业政策的建议，以保证美国半导体产业的竞争优势。该报告建议，美国决策者应该：（1）加快创新速度，超越对手；（2）重点关注尖端半导体技术和主要安全风险；（3）政策的重点是壮大产业而非照搬中国；（4）预判中国在收购审查和出口管制方面的反应；

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简介：<正>到2006年或2007年,索尼的数字家电产品中使用的半导体的内制比率将从2003年的约20%提高到40%以上。这是索尼顾问牧本次生2004年9月3日在东京举行的"2004东京国际数码会议"发表的演讲中透露的。

简介：<正>根据美国半导体产业协会最新公布的年报,全球半导体销售2002年将增长1.8%,达1410亿美元,2003年的增长率将为19.8%,达到1690亿美元;2004年将增长22%,达2060亿美元;2005年可望维持在2004年的水平,2060亿美元。2002年闪存全球销售将增长0.7%,达77亿美元;2003年可望增长39%。微处理器

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简介：摘要第一代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。

简介：O471.598010628多孔硅反射谱的测量与分析=MeasurementandanalysisoftheopticalreflectancespectraofPS[刊,中]/晃战云,徐伟弘,唐洁影,汪开源(东南大学.江苏,南京(210096))//固体电子学研究与进展.—1997,17(1).—50—54测量多孔硅的光反射谱,并进行了分析和讨论,得出了其能带展宽等特性。利用K—K关系,计算得出了多孔硅的折射率n等光学常数,并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析。图6参3(李瑞琴)

简介：山东华芯半导体有限公司与山东信息通信技术研究院管理中心日前正式签署协议，其运营管理的山东华芯集成电路设计研发中心，入驻山东信息通信技术研究院，开展研发工作。这意味着高新区在打造集成电路产业高地方面又迈出了重要一步。

简介：摘要半导体集成电路的可靠性设计是在产品研制的全过程中，以预防为主、加强系统管理的思想为指导，从线路设计、版图设计、工艺设计、封装结构设计、评价试验设计、原材料选用、软件设计等方面，采取各种有效措施，力争消除或控制半导体集成电路在规定的条件下和规定时间内可能出现的各种失效模式，从而在性能、费用、时间（研制、生产周期）因素综合平衡的基础上，实现半导体集成电路产品规定的可靠性指标。

简介：首尔半导体近日宣布，韩国首尔高等法院于10月24日裁定首尔半导体上诉获胜，成功推翻首尔中央地区法院较早期驳回首尔半导体向韩国LED生产商ITSWELL公司申诉的裁决。首尔高等法院并于10月24日裁定ITSWELL公司需向首尔半导体赔偿120万美元的损失。

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简介：O47296032017ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究=Astudyonstructureandgas-sensitivecharacterofZnO/SnO2bilayerfilm[刊,中]/娄向东（河南师范大学化学系.河南,新乡（453002））,沈荷生,沈瑜生（中国科技大学材料科学与工程系.安徽,合肥（230026））//传感技术学报.-1995,（2）.-20-23将SnO2及ZnO粉末压制成靶材,采用溅射法制备了ZnO/SnO2双层薄膜,用XPS,XRD、SEM等手段对制得的薄膜进行分析测试,发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在,双层膜中锌、锡有一定的相互扩散,比较了单层SnO2及ZnO膜与双层膜的气敏特性,结

简介：目前，欧洲产半导体分立器件型号命名主要由四个基本部分组成，其中第一部分用字母表示器件使用的材料；第二部分用字母表示器件的类型及主要特性；第三部分用数字或字母加数字表示登记号；第四部分用字母对同一型号器件进行分档，详见表1。除上述基本部分外，在后面有时还用字母或数字作为后缀，

简介：介绍了半导体封装专用模具模架基本结构、工作过程,指出半导体塑封模具设计时注意事项,核心零部件设计要点、计算公式;同时系统地介绍了半导体塑封模具各部件功能、作用、设计原则,为行业内人士了解半导体塑封模具技术要素提供了依据、有益参考,对半导体塑封模具设计人员具有一定的指导意义。

简介：半导体行业的并购热潮存今年得以延续。近日，德国电气巨头西门子宣布将以每股37．25美元的价格，现金收购电子设计自动化的跨国公司明导国际（Mentor）。总收购价值折合45亿美元，与明导国际在2016年11月11日的收盘价相比，收购溢价幅度为21％。

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简介：摘要半导体是我们生活当中的重要材料类型，在特征尺寸不断缩小的过程中，新技术与材料也具有了重要的产生价值。在本文中，将就半导体工艺新发展进行一定的研究。

简介：<正>在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说,新一代的20纳米块状高介电金属闸极(bulkhigh-Kmetalgate,HKMG)CMOS制程,与16/14纳米FinFET将催生更小的晶体管,不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28纳米块状HKMGCMOS制程。此成本问题

简介：　　摘要：半导体集成电路的可靠性设计是在产品研制的全过程中，以预防为主、加强系统管理的思想为指导，从线路设计、版图设计、工艺设计、封装结构设计、评价试验设计、原材料选用、软件设计等方面，采取各种有效措施，力争消除或控制半导体集成电路在规定的条件下和规定时间内可能出现的各种失效模式，从而在性能、费用、时间（研制、生产周期）因素综合平衡的基础上，实现半导体集成电路产品规定的可靠性指标。