简介:Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。
简介:摘要目的对痤疮患者应用1450nm半导体激光进行治疗,并对其临床的治疗效果以及安全性进行分析与探讨。方法选取自2013年2月至2014年2月间在我院进行治疗的中度与重度痤疮患者共计88例,在征得患者本人及其家属的同意后对其进行临床的调查与研究,对患者的一侧面部进行治疗,激光的光斑选择为6mm,应用剂量为8-12J/cm2,动态冷却的时间在20ms至30ms之间。由护理人员对患者提供优质的护理服务,并对其临床的治疗效果进行观察。结果经过3至4次的治疗后,中度与重度痤疮患者的皮损分别减少了67.3%与88.1%,同并未进行治疗的一侧面部进行对比,其差异具有着统计学的意义(P<0.05),在经过手术后,局部并无色素沉着的现象出现。结论在对痤疮患者进行治疗时应用半导体激光的治疗方式能够获得十分理想的临床治疗效果,且安全性较高,因此,值得在临床中对其进行推广并应用。
简介:摘要目的探讨半导体激光穴位刺激促进剖宫产术后子宫复旧的临床效果。方法按照随机数字表法将100例剖宫产产妇均分为实验组和对照组,实验组行半导体激光穴位刺激,对照组服五加生化胶囊治疗,比较两组子宫复旧效果。结果2组术后5d宫底下降高度比较,差异无统计学意义(P>0.05);实验组术后5d宫底下降高度明显高于对照组,有显著差异(P<0.05);实验组术后1d和术后5d术后恶露量均明显低于对照组,有显著差异(P<0.05);2组术后14d子宫体积比较,差异无统计学意义(P>0.05);实验组术后30d子宫体积明显小于对照组,有显著差异(P<0.05);实验组术后5d红细胞、血色素及血浆粘度水平均明显高于对照组,白细胞及血小板水平均明显低于对照组,有显著差异(P<0.05)。结论半导体激光穴位刺激能够促进剖宫产术后血细胞生成,改善血液黏滞状态,促进子宫复旧,临床效果显著。
简介:建立了考虑外部有限速率传热过程和热源间热漏的不可逆半导体固态热离子制冷器模型,基于非平衡热力学和有限时间热力学理论导出了热离子制冷器的制冷率和制冷系数的表达式;对比分析了不可逆热离子制冷器与可逆热离子制冷器的发射电流密度特性、电极温度特性以及制冷系数特性;研究了不可逆系统的制冷率与制冷系数最优性能,得到了制冷率和制冷系数的最优运行区间;通过数值计算,详细讨论了外部传热以及内部导热、热源间热漏损失、热源温度、外加电压、半导体材料势垒等设计参数对热离子装置性能的影响。在总传热面积一定的条件下,进一步优化了高、低温侧换热器的面积分配以获得最佳的制冷率和制冷系数特性。结果表明,由于存在内部和外部的不可逆性,热离子装置的发射电流密度及制冷系数都会明显降低;不可逆半导体固态热离子制冷器的制冷率与制冷系数特性呈扭叶型;合理地选外加电压、势垒等参数,可以使制冷器设计于最大制冷率或最大制冷系数的状态。