简介：飞兆半导体公司推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。

简介：<正>市场研究机构IDC表示,明年全球半导体市场营收将成长5%,为3180亿美元,并预计将以6%的年复合成长率(CAGR)持续成长到2015年,达到3780亿美元的规模。IDC表示,尽管全球经济发展仍有隐忧,包括美国的高失业率引起的消费疲

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：<正>半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,为助力行业深度发展,国家有关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体分立器件企业的发展营造了良好的政策环境。国家产业政策的大力扶持2009年,国务院发布《电子信息产业调整和振兴规划》,强调要加快电子元器件产品升级,充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器件产品结构,提高片式元器件、新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生

简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：介绍基于半导体光放大器的多波长激光器的基本构形,同时介绍了实现宽平坦带宽和均衡功率输出的多波长激光源的方法

简介：全球频率、信号调节和连接产品首选供应商PericomSemiconductor公司（百利通半导体公司），日前为其最新的FrequencyControlProducts（频率控制产品，FCP）晶振制造工厂举行了盛大的开幕典礼和厂区参观活动，这家名为山东百利通亚陶科技有限公司（PSE科技）位于中国山东济南高新技术开发区。

简介：DSP-3008半导体级系列拥有：全新独一的平台校正结构。

简介：化合物半导体相比硅半导体具有高频率、大功率等优异性能，是未来5G通信不可替代的核心技术，将在5G通信中大量使用。

简介：美国能源部ORNL国家实验室的研究者们将一种新型合成工艺和商用电子束光刻技术结合起来,在单一纳米级厚度的半导体晶体内实现了一种随机图案的二维半导体异质结阵列。该工艺主要技术是将目前采用的单层晶体的图形区域改造成其他形态。研究者们首次在衬底上生长出了单层纳米级别厚度的MoSe2晶体,并利用标准

简介：

简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

简介：本文除概略介绍气体检测器的种类外，主要对气体检测器的原理和在实际使用中的局限性作一基本归纳叙述。限于篇幅，本文将论述的重点放在气体检测器的选用与设置规划上，提出个人的一点心得与看法，以作为未来设置气体检测器系统时之参考。

简介：<正>近日,韩国蔚山科学技术大学能源化学工学部教授白钟范成功用合成氮和碳,开发出比硅功能强100倍的新的半导体材料。该项研究成果已刊登在国际学术杂志《NatureCommunications》上。之前,很多研究人员认为,替代硅半导体的理想物质将是石墨的单原子层"石墨烯(Graphene)"。石墨烯之所以被称为"革命性的新材料"是因为导热性

简介：<正>上华半导体有限公司对外宣布,为了适应中国芯片消费市场日益增长的需要,它已经决定投资10亿美元在江苏省无锡市新建一个晶圆厂。上华半导体表示,该新工厂有望在2007年正式投入使用。上华半导体称,无锡新工厂投入使用后,将主要加工规格为8英寸的晶圆。上华半导体

简介：美国加州大学伯克利分校和北京大学的研究人员联合研制出世界最小的半导体激光器。研究人员研制了一款高增益硫化镉纳米线,然后将纳米线与银金属相隔5nm,激光由此间隔出射。由于激光被大量储存在这个非金属的狭小

简介：<正>据2004年12月22日日本经济新闻报道,硅晶圆制造商信越半导体公司计划在日本及美国投资至少2000亿日元(19亿美元),在数年内将12英寸硅晶圆每月总产量翻升一倍,至70万片。

简介：<正>东京都市大学(原武藏工业大学)综合研究所开发出了可在室温(300K)且电流注入的条件下发光的Si类半导体元件。发光时的Q值高达1560。为室温下Si类半导体的全球最高值,完全可作为LED使用。在以Si类半导体实现光传输的"Si光子"技术领域,包括光敏元件和导光路

简介：全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布，两家公司就采用MLP3×3（Power33TM）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。