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《半导体信息》
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2012年6期
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
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摘要
<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源
DOI
odwvrq1gjk/1564080
作者
江兴
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2012年6期
关键词
氮化镓
导通电阻
器件技术
增值应用
硅晶圆
基功
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2012年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
半导体信息
2012年6期
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