富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

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摘要 <正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源
作者 江兴
机构地区 不详
出处 《半导体信息》 2012年6期
出版日期 2012年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)