简介:实验中制备了不同厚度的缓冲层PBD修饰的有机电致发光器件以及没有缓冲层修饰的有机器件.通过比较发现缓冲层PBD的最优厚度为0.2nm,缓冲层PBD对于器件亮度有显著的影响.当缓冲层PBD厚度为0.2nm,相同电压下器件的亮度要比无缓冲层器件的亮度要高.当电压为16V时,PBD修饰的器件的亮度为1984cd/A,而没有缓冲层材料修饰的器件的亮度为1110cd/A,器件的亮度得到了提高.在电流密度为120mA/cm2的情况下,PBD修饰的器件的效率为3cd/A,要比没有缓冲层材料修饰的器件的效率(为2.6cd/A)高.最主要的原因是由于PBD是电子传输层,因此它对于空穴的注入起阻挡作用.所以缓冲层PBD阻挡和减少了空穴的注入,提高了电子和空穴形成激子的比例,从而提高了器件的效率.
简介:摘要:由于稀土近红外波束(800-1600nm)发光波长外延在现代电子光纤和通信,生物技术应用研究领域和生物传感器与应用系统等一些高科技领域的发展方向中同样也同样有着其它一些有着很重要科学意义上的重要技术用途,把发光半导体和电谐致半导体元件中的发光波段延伸应用,拓展推广到稀土近红外波束领域中,这无疑将发挥其更广泛、更深远的使用价值。稀土离子配合物能够更有效的获得一个极薄范围内的放射峰,在稀土近红外波段环境下就可以很有效地实现具有较高光谱范围下的半导体发光二极管器件效率。窄带隙的半导体量子点材料也同样因其具有的对量子尺寸的任意调节特性,使性能变得更加的稳定,可用于溶液表面处理等其优良的特性因此也是吸引了来到了半导体业内的很多国际高端研究人员们极大地的高度关注。本系列部分研究论文主要内容是主要研究探讨和研究发展了一系列基于稀土配合引发物的NdQ和半导体的PbS量子点构成的新型半导体近红外电致发光外源光器件。
简介:一个透明的3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)/银/氧化钼复合阳极制备绿色有机发光二极管(OLED)。研究了亮度复合阳极和有机电致发光器件的工作电压的影响。通过优化各层的MPTMS/银/氧化钼结构的厚度,对MPTMS/银的透光率(8nm)/MoO3(30nm)达到75%以上在520nm左右。的薄层电阻为3.78?/□,与此相应的MPTMS/Ag(8nm)/MoO3(30nm)的结构。为优化阳极的有机电致发光器件的电致发光(EL),最大电流效率达到4.5cd/A,最大亮度是37和036cd/m2。此外,通过优化阳极的有机电致发光器件具有非常低的工作电压(2.6V)获得100cd/m2的亮度。我们认为,改进的设备性能主要是由于增强的空穴注入造成的减少孔注入势垒高度。我们的研究结果表明,使用MPTMS-SAMs/银/氧化钼作为复合阳极可以在低工作电压和高亮度OLED的制作一个简单的和有前途的技术。
简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方