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发光与发光器件

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摘要 TN312.82002064017隧道结AlGaInP发光二极管=TunneljunctionAl-GaInPlightemittingdiode[刊,英]/王国宏,沈光地,郭霞,高国(北京工业大学信息学院,北京光电子技术研究室.北京(100022),韦欣,张广泽,马晓宇,李玉璋,陈良惠(中科院半导体所.北京(100083))∥半导体学报.—2002,23(6).—628-631报道了通过隧道将衬底的导电类型从n型转变到p

DOI rlj16q254v/141992

作者

机构地区不详

出处《中国光学》 2002年6期

关键词有机发光二极管半导体隧道结有机电致发光器件光电子技术体电势

分类 [理学][物理]

出版日期 2002年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国光学

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