简介：幂级数与三角级数是两类重要的函数项级数。幂级数形式简单、计算方便、收敛域比较规则,但它表示的函数必须在收敛区间上有无穷导数。幂级数的系数可由函数在某点的各阶导数计算出来,所以由某点的邻域的

简介：系统地研究了全平面收敛的B-值随机Difichlet级数的增长性，得到了在一定条件下，B-值随机Dirichlet级数在收敛平面上的增长（下）级几乎处处等于某Dirichlet级数的增长（下）级还得到了它们与指数和系数的关系式．

简介：利用独立不同分布的随机变量序列的强大数定律研究了双随机狄里克莱级数的收敛性和增长性,得到了一些新的结果.

简介：研究了几种类型的高阶线性亚纯系数微分方程的亚纯解的增长性,对方程的亚纯解的增长率得到了精确估计.

简介：为便于进行数据分析，首先将教据中的位点信息由原来字母编码方式转换为数值编码的方式．根据位点的编码信息和患病信息，采用Logistic回归的方法，找出某种疾病最有可能的一个或几个致病位，最．同时采用显著性检验进一步对建立的模型进行检验，证明了建立结果的合理性。此外，通过主成分分析，从原有的300个主成分中取出了225个主成分尽可能多地反映原来基因变量的信息。再通过主成分Logistic回归分析找出与疾病最有可能相关的一个或几个基因。最后，采用典型相关分析找出与相关性状有关联的基因位点。

简介：利用同步辐射对天然金刚石晶体进行了形貌学研究，在近完事晶体内观察到晶体以平行{100}生长为主的正常生长，而不是前人所常见的平行{111}生长。生长带方向平行于（100）、（100）和（010）、（010）。生长带分布在偏离晶体中心的曲面内。由生长带的分布与形态可以观察到晶体不同晶面的生长速度具有明显差异。

简介：首先介绍了非线性聚集生长计算机模型与生长规则和非线性聚集生长的实验原理与装置,然后阐述了计算凝聚物分形维数的计算机模拟方法和实验方法,最后论述了非线性聚集生长理论在大气颗粒物、薄膜生长方面的应用。

简介：采用固一液一固（SLS）生长机制，研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火，退火温度为1050℃和1080℃，退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化，分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果，并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。

简介：利用室温光致荧光谱（PL）研究金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.

简介：分形理论是现代非线性科学的一个重要分支,近年来发展越来越快,应用研究也越来越广泛。本文简要介绍了分形的基本理论及其在聚集生长研究中的应用,最后展望了分形理论的应用前景及其发展前景。

简介：初中物理总复习时教师在进行教学设计时既要依据教材又不拘泥于教材,对相关联的知识进行整合,结合学生的认知水平渐进性和累积性地构建相应的知识体系.复习课应彻底转变观念,变教为导,变学为思,循循善诱,科学探究,优化教学结构,充分发挥学生与教师的群体智慧,善于抓住课堂教学的生成点,让课堂教学充满创新活力,充分提升物理复习课的课堂价值.

简介：由中子辐照引起的(n，α)反应会在核反应堆材料中残留—些氦原子。氦为惰性元素，不与其它原子结合，在材料中的溶解度极低，而且原子半径小，因此很容易在材料中迁移。氦原子首先向晶界、位错等缺陷处聚集而形成气泡，氦泡的形成使系统的总能量降低。小的氦泡又通过热运动而融合为更大的氦泡。氦泡的存在对材料性能有相当大的影响，例如它会使材料的脆性增加，严重制约了核反应堆的使用寿命。因此，金属材料中的氦泡生长问题一直受到人们的关注。

简介：以DLA模型为基础,模拟研究了粒子运动区域和粒子源距离的大小对非对称性聚集生长产生的影响。发现粒子随机运动区域和粒子源距离的大小对局部区域聚集生长产生重大的影响。

简介：数学运算求解能力是数学问题解决能力的重要分支之一，它贯穿于问题解决过程的始终，包括理清参变量及内部联系、设定运算目标、设计运算方案、实施运算变形和推理求解等阶段．在数学解题教学中，指导学生把握运算求解各阶段正确实施的关键，有效控制实施过程中的失误，丰富学生在各阶段处理障碍的手段，能迅速提高学生的运算求解能力，促进学生问题解决能力的自然生长．

简介：本文首先用偏微分方程描述了一类带生长函数的具有林龄结构的植物病虫害模型；其次主要利用算子理论、积分方程理论证明了模型解的存在唯一性，利用对应的特征方程讨论了系统平衡态的稳定性．

简介：分别采用苯酚-硫酸法、茚三酮比色法测定菘蓝中总多糖和游离总氨基酸含量.分析结果表明,在不同的生长季节,根中游离氨基酸、总多糖含量逐月上升,均在11月份含量最高;叶中游离氨基酸含量先上升,后下降,以8月份和10月份含量较高,总多糖含量逐月上升,在十一月份含量最高.菘蓝生长过程中,根和叶中的总多糖和游离总氨基酸含量随着发育进程而发生变化.这一变化规律为中药的规范化种植（GAP）提供了实验依据.

简介：建立了非线性热力学模型,定性分析了外加应力和外加温度对外延生长在正交基底上的Pb（Zr1-xTix）O3（PZT）薄膜相变的影响。在外力场下,固定其中一个方向失配应变e1=0.005,模拟得到了不同组分的PZT薄膜的失配应变一外加应力的相图。研究发现,随着Ti组分的减少,出现了新相正交a1c相和四方相a1相,且新相区域也会随Ti组分的不同而变化。在外加拉应力下,c相是薄膜较易出现的相,而在外加压应力下薄膜易处于a1a2相。在不同温度场下,模拟非等轴失配应变的PZT薄膜得到不同组分的PZT薄膜的失配应变一外加温度相图。当组分x≤0.7时,相图中出现了正交a1c相,由于非等轴失配应变的存在,使得从顺电相向r相发生相变的过程中,多出了正交a1a2相;同时另一新的四方a1相也出现在沿失配应变正方向e2被拉伸的区域。随着Ti组分的增加,单斜r相的面积缩小且位置下移。之前存在的四相点也变为了三相点,而正交相a1a2相则向相图的中心位置移动。模拟结果对研究外场下铁电薄膜微器件的性能变化具有一定的指导意义。