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InGaAs/InP基探测器材料的外延生长优化

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摘要利用室温光致荧光谱（PL）研究金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.

DOI wjvx25gw47/1563198

作者田迎;邓军;何林杰;杜玉杰;牛晓晨;夏伟

机构地区不详

出处《应用物理前沿：中英文版》 2015年1期

关键词 INP/INGAAS 量子阱红外探测器 PL谱

分类 [理学][物理]

出版日期 2015年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

应用物理前沿：中英文版

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