简介：摘要随着光伏市场竞争的日趋激烈，追求低成本和高效率成为每一个企业领跑市场的逐胜之道，其中最直接有效的方法就是提高生产时效，提高晶体生长速度。笔者长期从事单晶生产工作，经调研与现场试验，通过使用水冷套增加热场纵向梯度可以达到提高拉速的目的。

简介：论文是以半导体材料硅单晶生长为背景,把嵌入式机器视觉系统引入到视频图像采集、处理与显示的研究中。目的是研究一种小型化、智能化的嵌入式产品解决方案,服务于广阔的市场需求。论文将采集到的晶体生长图像并通过软件实现视频图像处理系统中的图像处理算法,对直拉法晶体硅棒生长速度的测量,使其产生模拟电平送至工控机,从而对晶体生长速度加以控制,使系统达到测量数据可读化。

简介：

简介：蛋白质晶体的生长过程是蛋白质分子与周围环境相互作用的结果.蛋白质晶体的生长分为成核、生长和停止三个阶段.对蛋白质的结晶条件进行筛选、种晶可获得晶核.通过改变蛋白质本身来获得单晶的方法有：截短、修饰、共晶和寻找同源蛋白质.蛋白质的结晶条件仍有待于进一步深入研究.

简介：摘要：机架作为大型晶体生长炉的支撑，对其质量要求也较高，而在对钢管进行定位钻孔的过程中，如果出现定位偏差、不够精准，最终会影响机架的质量，因此本文对其加工方法进行了改进，尤其是对钻孔位置定位精准，保证了机架的质量，且自动化操作，提高了工作效率。

简介：摘要本文使用分子动力学模拟方法，构建出了碳化硅晶体的生长模型，模拟研究了碳浓度、生长晶面以及生长温度对碳化硅晶体生长的影响。

简介：摘要:本研究致力于多晶硅晶体生长自动化控制技术的深入研究。通过综合利用先进的晶体生长设备和先进的控制算法，实现了多晶硅晶体生长过程的高度自动化。研究中采用了先进的传感技术，实时监测晶体生长过程中的关键参数，包括温度、浓度、流速等，以实现精确的控制和调节。同时，采用了先进的数据分析技术，对大量的实验数据进行分析和挖掘，以进一步优化生长过程。本研究的成果将有助于提高多晶硅晶体的质量和生产效率，推动半导体行业的发展。

简介：采用X射线XRD、红外光谱FTIR、扫描电镜SEM、透射电镜TEM等分析手段,研究了十六胺有机膜对羟基磷灰石(HA)晶体结构、形核、晶体形貌和结晶学定向生长的调控作用及其机理.结果表明:无有机膜时,生成物为磷酸八钙(OCP)和羟基磷灰石(HA)的混合物,其生长速率很慢且晶体排列无一定规则;而在十六胺有机膜调控下,生成物为按规则排列、沿〈0001〉定向生长、结晶良好的纳米片状羟基磷灰石晶体,且其形核和生长速度均很快.其原因是:十六胺有机膜上带有的大量极性强、电荷密度高的-NH3基团,通过静电作用在有机膜/溶液界面处形成局域过饱和浓度,促进羟基磷灰石晶体形核;另一方面,十六胺有机膜的二维晶格尺寸与HA(0001)面的晶格参数具有良好的匹配关系,构造了一个有利于HA以(0001)面形核生长的结构框架,从而促进了HA相沿〈0001〉方向定向生长.

简介：本文探讨了压力、温度及其作用方式对人造金刚石晶体生长的影响。结果表明：改变其中任何一个因素都将引起品形、色泽和晶体缺陷的变化。

简介：摘要：本研究旨在探讨基于化学反应机制的氧化铝系统杂质排除方法对晶体生长的影响。首先分析晶体生长过程中杂质的来源和影响，随后提出了一种利用化学反应原理的排除方法。实验结果表明，该方法能有效提高晶体的纯度和质量。通过对排除效果、晶体质量以及生长过程的稳定性进行综合评估，验证了该方法的有效性。进一步展望表明，该方法在晶体生长技术领域具有广阔的应用前景，有望推动晶体材料领域的进一步发展和应用。

简介：本文介绍了同步辐射光源的特点，以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果，扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

简介：摘要为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续加工碳化硅衬底时的晶体开裂问题，本文对碳化硅晶体结构缺陷的形成和抑制进行了研究。研究表明碳化硅晶体扩径过程中的单晶比例会直接影响后续加工的晶体开裂率，其次，通过精细控制长晶工艺条件能够降低碳化硅晶体中的微管密度。

简介：摘要：第三代半导体设备技术，是半导体发展历程中的重要技术，也是当前技术发展的支撑。本文通过浅析第三代半导体材料，对其晶体生长方式进行分析，探究SiC晶体设备构成。结合国内外进展情况，为国内SiC晶体设备技术发展提供更科学的技术，意在国内也能研制出更加成熟的生长设备。保证第三代半导体在更多领域得到科学应用，提升半导体材料的商业价值。

简介：摘要：目的：综述氧化铝晶体生长技术在云南地区的应用情况和冶金工业中的应用。方法：对氧化铝晶体生长的基本原理和机制进行综述，介绍氧化铝晶体生长技术的发展历程和分类特点，重点阐述氧化铝晶体生长技术在云南地区的应用情况，并探讨氧化铝晶体在云南地区冶金工业中的应用。结果：氧化铝晶体生长技术在云南地区得到了广泛应用，主要应用于高温熔融金属中、制备高纯度金属和其他冶金工业领域。氧化铝晶体生长技术在冶金工业中的应用具有重要的意义，可以提高产品质量和生产效率。讨论：当前氧化铝晶体生长技术在云南地区的发展还存在一些不足，如设备和技术水平有待提高，应用领域还有待拓展。进一步推动氧化铝晶体生长技术在云南地区的应用需要加强技术研发和设备改进，同时拓展应用领域，提高技术水平和产业化水平。

简介：基于国外定向凝固氧化物／氧化物共晶复合陶瓷的晶体生长动力学行为的研究成果，阐述其动力学机制，分析动力学因素对微观结构形态的影响，探讨晶体生长热力学、动力学行为与微观结构形态之间的关系，同时结合以燃烧合成、快速凝固技术制备的新型高强韧A12O3/ZrO2（Y2O3）共晶复合陶瓷，探讨共晶复合陶瓷在快速凝固条件下的晶体生长动力学行为。结合定向凝固与快速凝固两种晶体生长机制，得知过冷度、凝固界面前沿的温度梯度是影响晶体生长方式的重要因素，且受二者决定的凝固速率（即晶体生长速率）则决定材料的最终微观结构与形态。

简介：采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（LBO）晶体的生长缺陷，实验结果表明，LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。

简介：研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷，实验结果表明，两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著，KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

简介：LiNdP4O12(LNP）晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷，观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构，对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽，分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

简介：报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷。本文除对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述外，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽。最后分析了这些缺陷的成因和克服办法。

简介：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。