简介:集成电路小型化正在推动圆片向更薄的方向发展,超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,显得越来越重要,它直接影响产品质量和寿命。本文从超薄片划片时常见的崩裂问题出发,分析了崩裂原因,简单介绍了目前超薄圆片切割普遍采用的STEP切割工艺。另外,针对崩裂原因,还从组成划片刀的3个要素入手分析了减少崩裂的选刀方法。
简介:STATSChipPAC、ST和Infineon日前宣布,在英飞凌的第一代嵌入式晶圆级球栅阵列(eWLB)技术基础上,三家公司将合作开发下一代的eWLB技术,用于封装未来的半导体产品。通过Infineon对ST和STATSChipPAC的技术许可协议,主要研发方向是利用一片重构晶圆的两面,提供集成度更高、接触单元数量更多的半导体解决方案。
简介:日前,合肥晶合集成电路有限公司(合肥晶合集成)宣布生产的110hm驱动IC单片晶圆的最佳良率再创新高,同时正式通过客户的产品可靠度验证,已经具备量产条件。合肥晶合集成电路有限公司成立于2015年5月19日,是安徽第一家12英寸晶圆代工企业,项目总投资128.1亿元人民币。
简介:全懋非常看好绘图卡从BGA封装进入覆晶封装的趋势。全懋自估2004年第四季的单月平均出货量约150万颗,10月份覆晶载板的出货量仅100万~110万颗,11月仅小幅增加到140万~150万颗,但12月出货量倍增到250万颗,预估2005年首季出货量将更为可观。再者,未来可随载板厂在制程能力的大大提升,
简介:简要介绍了全板电镀镍金加工过程中镀金面发白现象及改善措施。特别是针对高位发白(或粗糙)的产生原因和处理过程进行较为详细的描述,并对工艺在此处理过程中存在问题进行了简要剖析。
简介:eSurface科技公司在前几年就开发了一项eSurface技术,为全加成法制作PCBS工艺,包括所用材料和设计。现在已成功取得技术专利,因此开始公开推行,也进入了欧洲和亚洲。
简介:随着大陆无晶圆厂(Fabless)IC设计公司不断冒出头来,芯片委外制造的需求也与日俱增,为大陆晶圆代工市场注入一股增长动能。市场研究机构ICInsights指出,2017年专业晶圆代工厂在中国大陆的营收预计跃增16%,达70亿美元,占全球晶圆代工产值13%的比重。
简介:罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的“全SiC”功率模块。据该公司介绍,全SiC功率模块的量产尚属“全球首次”。
简介:概述了利用ZnO薄膜作为中间层的全加成法化学镀新工艺,特别适用于制造高热传导性、高附着强度和高分辨率的细线化陶瓷印制板(PCB)。
简介:安森美半导体和Catalyst半导体宣布,已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议,交易将全部以股票支付,Catalyst股东每持有1股普通股将获得0.706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1.15亿美元,企业价值约为0.85亿美元。
简介:制备出一种应用于全印制电子沉铜催化浆料,采用电化学工作站的开路电位-时间(OCP-t)的技术,测定活化浆料引发沉铜的Emix-t曲线,比较不同含银量对引发过程的影响;在此基础上,应用于制造电子标签(RFID)。结果表明:随银含量增大,缓慢生成铜活性中心的诱导时间越短,活性越高;沉铜催化浆料及其对应的工艺加成法制作的电子标签导电性和结合力符合工业化要求,可以作为一种全印制电子技术来推广应用。
简介:片上系统(SoC)的设计需求(包括项目规模、设计内容以及设计成功所需的技术)正在同步增长,并且在许多情况下呈指数级增长.商业成功越来越要求这些创新且具有竞争力的新产品能够迅速走向市场,并实现量产.大多数情况下,设计产品的寿命趋于下滑,从数年缩短到一年.本文介绍了近来行业内几项首发的片上系统,在开发过程中积累的设计经验--涵盖了设计方法、新的设计技术、以及对首次芯片设计成功贡献良多的电路和芯片电子及物理设计技术.结果表明这种方法能够实现上述设计在商业及技术上的目标.
超薄圆片划片工艺探讨
STATS ChipPAC与ST、Infineon合作开发eWLB晶圆级封装工艺
合肥晶合集成110nm驱动IC单片晶圆已具备量产条件
全懋看好覆晶封装趋势
剖析全板电镀镍金发白现象
全加成法制作PCB工艺应用
大陆晶圆代工市场今年将增长16%台积电居市场占有率龙头
罗姆量产全球首款全SiC功率模块
以ZnO为中间层的全加成法
安森美半导体以全股票交易收购Catalyst半导体
一种应用于全印制电子沉铜催化浆料制备及其应用
一种改进的、以系统为中心的、全层次的设计方法学促进了纳米级片上系统集成电路的发展