简介：Cu2ZnSnS4(CZTS)粉末被使用ZnS和Cu2没有任何中介，原料直接在450愠?浥瑰?瑳浯d分阶段执行的SnS3

简介：Cu-andCo-substitutedNiZnferritethinfilms,Ni0.4-xZn0.6CuxFe2O4andNi0.5Zn0.5CoxFe2-xO4(0≤x≤0.2),aresynthesizedbysol-gelprocess.ThecrystallographicandmagneticpropertiesofCu-andCo-substitutedNiZnferritethinfilmshavebeeninvestigated.ThelatticeparameterdecreaseswithCusubstitutionandincreaseswithCosubstitution.ThesaturationmagnetizationdecreasesandthecoercivityincreaseswiththeincreaseofCusubstitution.Moreover,thesaturationmagnetizationgraduallyincreaseswiththeincreaseofCosubstitutionwhenx≤0.10,butdecreaseswhenx>0.10.Meanwhile,thecoercivityinitiallydecreaseswiththeincreaseofCosubstitutionwhenx≤0.10,butincreaseswhenx>0.10.

简介：Thesubbandstructures,distributionsofelectronandholewavefunctions,statedensity,opticalgainspectra,andtransparencycarrierdensityoftheV-grooveZn1-xCdxSe/ZnSequantumwiresareinvestigatedtheoreticallyusingfourbandeffective-massHamiltonian,whichtakesintoaccounttheeffectsofthevalencebandanisotropyandthebandmixing.Thebiaxialstraineffectforquantumwiresisincludedinthecalculation.ThecompressivestrainintheZn1-xCdxSewireregionincreasestheenergyseparationbetweentheuppermostsubbands.Theopticalgainwithxy-polarizedlightisenhanced,whileopticalgainwithz-polarizedlightisstronglydecreased.Thexy-polarizedopticalgainspectrumhasapeakataround2.541Ev,withthetransparencycarrierdensityof0.75×1018　cm-3.Thecalculatedresultsalsoshowthatthestraintendstoincreasethequantumconfinementandenhancetheanisotropyoftheopticaltransitions.

简介：在ZnO的性质上评估ZnO缓冲区层和艾尔比例的影响：艾尔(偶氮)/ZnO双性人层电影，一系列AZO/ZnO电影被电子横梁蒸发在石英底层上扔。X光检查衍射测量证明这些电影的水晶质量随电影厚度的增加被改进。这些电影的电的性质被调查。搬运人集中和霍尔活动性两个都随缓冲区层厚度的增加增加。然而，抵抗力到达在大约50nm厚的缓冲区层最低。最低抵抗力和最大的霍尔活动性两个都在1wt%艾尔集中被获得。但是所有这些电影的光发射度不管有比在可见区域的5wt%低的艾尔集中的缓冲区层厚度比80%大。

简介：采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

简介：Usinganewlow-temperatureprocess(＜600℃),thepoly-SiTFTwasfabricatedbymetal-inducedlateralcrystallization(MILC).Anultrathinaluminumlayerwasdepositedona-Sifilmandselectivelyformedbyphotolithography.Thefilmswerethenannealedat560℃toobtainlaterallycrystallizedpoly-Sifilm,whichisusedasthechannelareaofaTFT.Thepoly-SiTFTshowedanon/offcurrentratioofhigherthan1×106atadrainvoltageof5V.TheelectricalpropertiesaremuchbetterthanTFTfabricatedbyconventionalcrystallizationat600℃.

简介：铅和铅的化合物有害人身健康，破坏环境。本文介绍了无铅焊料研究开发的迫切性和开发新型无铅焊料应满足的要求。从抗氧化性和提高浸润性两方面对SnZn焊料的可靠性进行了分析说明。介绍了微合金化和N2对SnZn可靠性的影Ⅱ向，并作出了其基本回流温度曲线示意图。

简介：综合分析了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的国内外研究现状,概述了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性、微观组织、界面反应、力学性能、焊点可靠性、物理性能等性能特点。从钎焊工艺、添加微量元素等方面阐述了Sn-Cu-Ni系钎料各项性能的影响因素,并对Sn-Cu-Ni系钎料的应用前景和研究方向进行了展望。

简介：1、绪言欧洲联合体(EU)共15个国家决定，从2006年7月1日开始，限制在电子电气设备上使用有害化学物质。除限制铅、镉、水银、六价铬以外，还把作为阻燃剂的聚合溴化联苯(PBB)与聚合溴化联苯乙醚(PBDE)列为禁用对象。受欧洲规定的制约，各电子设备制造商以各自在欧洲的限制产品为主开始设定禁用物质。具体对电子产品制造商来说，期

简介：Sn-Zn无铅焊料由于熔点接近Sn-Pb，价格低廉、无毒性、力学性能优良等特点，倍受人们的关注。然而由于Zn的表面活性高，在钎焊过程中焊料容易氧化，导致了润湿性能下降。本文综述合金元素对Sn-Zn无铅焊料氧化性能、润湿性的影响。并对Sn-Zn焊料今后的研究方向进行了简要分析。

简介：UsingCu-phthalocyanine(CuPc),4,4'-diaminodiphenyletherandpyromelliticdianhydrideasmonomermaterials,polyimide(PI)thinfilmsdoped-CuPchavebeenpreparedontoglasssubstratebyvaporphaseco-depositionpolymerizationunderavacuumof2×10-3Paandthermalcuringofpolyamicacidfilminattemperatureof150-200Cfor60min.Inthisprocess,thepolymerizationcanbecarriedoutthroughcontrollingthestoichiometricratio,heatingtimeanddepositionratesofthethreemonomers.IRspectrumidentifiesthedesignedchemicalstructureofthepolymer.Theabsorptionofpolyimidedoped-CuPcisveryintenseinvis-rangeandnear-infraredbyUV-Visspectrum.And,thePIfilmsdoped-CuPcpolymerizedbyvaporphasedepositionhaveuniformity,finethermalstabilityandgoodnonlinearopticalproperties,andthethird-orderopticalnonlinearsusceptibilityx(2)withdegeneratefour-wavemixingcanbe1.984×10-9ESU.

简介：

简介：WefabricatepolycrystallineCu(In,Ga)Se2(CIGS)filmsolarcellsonpolyimide(PI)substrateattemperatureof450°Cwithsingle-stageprocess,andobtainapoorcrystallizationofCIGSfilmswithseveralsecondaryphasesinit.Forimprovingitfurther,thetwo-stageprocessisadoptedinsteadofthesingle-stageone.AnextraCu-richCIGSlayerwiththethicknessfrom100nmto200nmisgrownonthesubstrate,andthenanotherCu-poorCIGSfilmwiththicknessof1.5-2.0μmisdepositedonit.Withthemodificationoftheevaporationprocess,thegrainsizeofabsorberlayerisincreased,andtheadditionalsecondaryphasesalmostdisappear.Accordingly,theoveralldeviceperformanceisimproved,andtheconversionefficiencyisenhancedbyabout20%.

简介：UnipolarresistiveswitchingbehaviorsoftheZnOandAl2O3/ZnOfilmsfabricatedonflexiblesubstratesbypulselaserdepositionwerestudiedinthispaper.Thefilmsweredepositedatroomtemperaturewithoutpost-annealingtreatmentduringtheprocess.XraydiffractionresultsindicatedthatZnOfilmhasadominantpeakat(002).ScanningelectronmicroscopyobservationshowedacolumnargrainstructureoftheZnOfilmtothesubstrate.ThebilayerdeviceofAl2O3/ZnOfilmshadstableresistiveswitchingbehaviorswithagoodenduranceperformanceofmorethan200cycles,highresistiveswitchingratioofover103atareadvoltageof0.1V,whichisbetterthanthatofthesingleoxidelayerdeviceofZnOfilm.Apossibleresistiveswitchingfilamentarymodewasdemonstratedinthispaper.TheconductionmechanismsofhighandlowresistancestatescanbeexplainedbyspacechargelimitedconductionandOhmic’sbehaviors.Theenduranceofthebilayer(BL)devicewasnotdegradeduponbendingcycles,whichindicatesthepotentialoftheflexibleresistiveswitchingrandomaccessmemoryapplications.

简介：镓氮化物的大数量(轧)nanowires经由Ga2O3电影在一个石英试管在950点在氧化的铝层上扔了的ammoniating被准备了。当水晶的wurtzite由X光检查衍射，X光检查光电子spectrometry扫描电子显微镜和精选区域的电子衍射轧了，nanowires被证实了。传播电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜学(SEM)表明nanowires非结晶、不规则，与从30nm到直到十微米的80nm和长度的直径。精选区域的电子衍射显示有六角形的wurtzite结构的nanowire是单身者水晶。生长机制简短被讨论。

简介：在转向无铅电子产品过程中，元件供应商可能需要支持无铅和合铅元件的双线生产。而这可能合在生产制造中引起广泛的后勤问题。全部使用无铅元件是这个问题的一个解决方法。因此，用锡铅共晶焊膏粘接的Sn-Ag—CuBGA元件的焊点可靠性需加讨论。在这篇论文中介绍了对两种无铅封装：超细间距BGA(VFBGA)和层叠式CSP(SCSP)的焊点可靠性评估结果，它们是应用锡铅共晶焊膏贴在PCB板上。而这些封装都是采用不同的回流曲线在标准的锡铅组装条件下组装的。采用合保温区或斜升区的热度曲线。回流峰值温度为208℃和222℃。组装后PCB(称为板级)进行温度循环(-40℃—125℃，每个循环30分钟)和落体实验。下面将会详细叙述失效分析。

简介：随着微电子技术及半导体技术的快速发展，高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能，受到了广泛的关注。作为电子封装材料，SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状，详细阐述并比较了几种常用的制备方法，包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等，进一步分析了各种方法的优缺点，并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

简介：在封装树脂的组成中,填充剂是最主要的成分之一,也是含量最高的组分,所以填充剂对封装树脂的性能起着决定性的作用.文章主要从封装树脂用填充剂的种类以及在封装树脂中的作用进行阐述,并以二氧化硅为例来研究分析填充剂对封装树脂主要性能的影响.

简介：本文介绍了民用合成洗净剂主要原料表面活性剂的毒性、刺激性、洗净性能和亲水亲油平衡值等.提供了民用合成洗净剂的原料选择思路.

简介：在电子产业无铅化的转折期。元件供应商也许要为区分无铅与含铅的不同元件而准备双重的生产线。这会给制造部门的后勤供应带来问题。当生产中实现全部的无铅化后，这一问题才可能解决。因此，研究Sn—Ag—CuBGA元件使用共晶Pb—Sn焊膏的焊点可靠性问题，在当前非常必要。本文提出了关于VFBGA（极细间距BGA）及SCSP（芯片级尺寸封装）无铅封装元件在印刷电路板（PCB）组装中使用共晶Pb—Sn焊膏的焊点可靠性评估。在标准的Pb—Sn组装环境下，使用了各种不同的回流曲线。峰值温度从208℃至222℃。回流曲线类型为浸润型曲线（SoakProfile）及帐篷型曲线（DirectRampUpProfile）。组装后的PCB板被选择进行了板级温度循环测试（-40℃至125℃，每30分钟循环一次）及跌落测试。失效细节分析同样会在本文提及。