简介：随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用，国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要，文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响，比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣，得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制，抗辐射性能不如SON0s单元。同时在做抗辐射加固设计时，FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题，且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要，还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。

简介：网络移动通过移动路由器实现边缘移动网络节点间及其与骨干网络节点间的会话连续性。移动路由器在嵌套接入环境下的接入安全与切换延时已经成为网络移动发展的最大障碍。在分析网络移动无缝切换研究现状的基础上,提出基于协同模型的网络架构、基于移动模型的预切换方法等需要突破的关键技术以及相应的无缝切换技术思路,支持轻量可信切换、多穴负载均衡、嵌套路由优化,为设计具有服务质量和安全保证的端到端网络移动通信协议提供技术支撑。

简介：摘要品德形成过程是社会规范的学习过程。本文将从三个方面来阐述品德的形成。第一部分分析品德及其结构；第二部分介绍西方心理学主要理论派别关于品德形成的理论观点、研究事实及其教育意义;第三部分阐明品德形成与培养的过程与内外条件。

简介：开放式最短路径优先（OSPF）协议是目前应用广泛的路由协议之一。首先，介绍了OSPF协议的安全机制和面临的典型威胁；然后，分析了一种新型OSPF协议漏洞机理，在图形化网络模拟器（GNS3）模拟生成的测试网络环境中复现了漏洞场景，并对其危害性进行了模拟测试。测试结果表明，该漏洞可躲避OSPF协议的安全机制，产生持久路由操控效果。最后，针对该漏洞提出了防范措施。

简介：介绍了"黑斑"和"气泡"造成的有机发光二极管失效的过程,对影响器件稳定性问题的诸多因素进行了分析.

简介：文章通过C-SAM、X-RAY、SEM等对分层样品做了系统分析，发现了分层的机理以及分层对器件的破坏机理。研究表明：分层通常发生在芯片上部与包封材料接触的面，并有向整个芯片区域延伸的趋势；应力使交接面分层的同时也使芯片的钝化层损坏，而环境中的湿气会进入器件的包封并聚集在分层区，同时水气会通过损坏的钝化层进入下面的金属互连区，使互连发生短路而损坏器件。

简介：介绍借助高压水驱动力的自吸空气和水的气液喷射洗净机的基本构造、特征、洗净机理的同时,评价了该洗净机的洗净质量

简介：本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法.

简介：

简介：本文介绍了水基金属清洗剂的性能,组成及水基金属清洗剂的清洗机理和选用.

简介：本文利用有限元软件MARC模拟分析了PBGA经红外回流升温过程的变形机理。由分析结果得知，PBGA在受热后，由于材料的性能差异而导致PBGA发生翘曲，随温度上升PBGA会往上翘曲，当温度达到模塑封材料的玻璃转化温度时趋势反转，由基板主导的翘曲趋势改为由模塑封材料主导，从而使翘曲开始有往下的趋势。降低基板与模塑封材料的热膨胀系数是降低PBGA翘曲的一种解决方法。

简介：针对HPM对军用电子设备的严重威胁,给出了HPM典型特征参数,重点分析了其对军用电子设备的损伤机理,包括HPM对电子设备的＂前门＂耦合效应、＂后门＂耦合效应,耦合能量的计算及损伤效应的分类,最后对军用电子设备的HPM防护给出了普适的防护措施。

简介：作战能力的形成一般经过物理域、信息域、认知域和社会域，最后反映在对敌作战。文中提出一种对作战能力形成过程进行建模的框架，主要包括确定作战过程中的关键节点、分析影响关键节点间因果关系的外在因素、度量关键节点与影响因素以及形成能力传递函数4个步骤。文中的研究可以加深对C4ISR系统支持作战能力形成的理解，有利于C4ISR系统的评估研究。

简介：研究了智能天线在下行链路的应用。利用上行链路接收数据，建立分布式目标信道模型。估计移动用户的发射角、扩展角度和发射功率以及下行信道相关矩阵，确定下行链路的波束形成方法。即对频分复用（FDD）系统进行上行相关矩阵变换，构建下行信道协方差矩阵，利用最大合并比准则获得下行链路权值。计算机仿真证实了这种方法的有效性。

简介：提出了一种新型宽带8路双圆极化和差波束形成网络，推导了网络的基本原理并给出了设计实例。这种网络具有结构简单、对称性好、损耗低、幅相一致性好等优点，在电子对抗领域有广泛的应用前景。

简介：BGA空洞是BGA组装过程常见的工艺缺陷，本文系统介绍了BGA空洞形成的原因与主要影响因素，讨论了BGA空洞的可接受标准，提出了消除及减少空洞缺陷的主要措施。

简介：分解大型阵列为关于阵列中心对称的两个子阵,对内子阵进行阵元位置微扰形成指定零陷。借助对微扰后方向图的泰勒展开进行线性化,以微扰后方向图形变最小化为目标,将指定方向控零的约束条件分实部、虚部分别约束微扰值,运用方向导数法快速求解出微扰值,实现了在指定方位快速控零,并提出引入小值控制零陷深度。方法不改变阵列孔径,在指定方向控零后能维持原主波束形状、副瓣水平不变,仿真表明本方法的有效性和优越性。

简介：　　1前言　　关于LSI的高密度化,现以DRAM为例来说,则是从16M开始至64M出厂样品.对于逻辑电路来说,0.5μm级的产品化正在开始.　　……

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

简介：近日，当纳利公司与创意印刷服务公司构建战略同盟，采取优势互补策略，结合双方优势，相互利用资源，承揽更多印刷业务。双方合作协议中规定：今后创意印刷服务公司将可以使用当纳利公司的制造平台，信息技术以及新产品开发成果。同时，创意印刷服务公司将为自己和当纳利公司的业务客户提供销售和客户支持服务。两家公司首次合作，有利于印刷客户顺利实现印刷目的，而且两家优势结合的，对今后印刷企业的发展很有借鉴意义。