简介：针对紧凑型信息系统存在系统资源消耗大、软件功能复用性弱、信息交互难度大、信息管理分散以及软件用户界面迥异等问题，基于插件的微内核框架集成实现原理，提出了基于插件的表现集成技术及相关模型。通过关键技术研究，解决了紧凑型信息系统中多应用以及多维信息的统一展现及信息共享问题。场景应用案例表明，该表现集成技术有效。

简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：摘要目前，人们逐渐意识到传统能源的储量和污染问题，在这种趋势下环保节能的光伏发电技术得到重视与发展。光伏发电技术中最重要的便是光伏功率预测技术，光伏功率预测对光伏发电控制、性能提高、保障光伏电站平稳运行等方面都起着重要作用。本文主要介绍了光伏功率预测技术的基本原理和关键问题，通过研究分析光伏电站数据对提高光伏预测技术的几点重要问题进行分析。

简介：摘要：为了满足应用界面重构和用户主题定制需求，介绍了面向视图的界面软件开发集成技术。基于视图概念分析、数据库视图比较和插件集成方法研究，并结合跨平台开发和编译的语言Qt，说明了面向视图的软件集成开发关键步骤，及其视图集成框架和插件为核心的技术实现途径。该技术可有效应对复杂的需求变化，具有推广价值。

简介：文章介绍了集成微电路基板清洗领域的ODS替代清洗技术,着重介绍了十槽式超声波清洗机在高精度的集成电路清洗工艺中的具体应用

简介：文章对半导体集成电路生产中可能接触到的主要污染物类型及造成污染的主要原因做了详细介绍.为减少对半导体集成电路的污染,必须保证半导体集成电路的生产在高度洁净的环境中进行.集成电路制造业是一个在超净化环境中,使用超纯材料,进行超微细加工的产业.文章还对各种洁净标准做了详细介绍.随着集成电路生产目前进入深亚微米及纳米级工艺加工阶段,工艺参数以及图形线宽也发生了变化,因此对洁净度等级、工艺中所使用的材料品种和纯度指标的要求还在不断提升.

简介：<正>据《NIKKEIELECTRONICS》2002年第9—23期报道,日本松下电子新开发了用于GSM手机的天线开关。该器件采用了松下电子开发的LTCC制造技术,厚度由原来的1.8mm降为1.5mm。从而提高了集成度,实现了SAW滤波器的集成。其外形尺寸为6.7mm×5.5mm。该器件的样品价格在506日元～700日元之间,计划2003年7月开始批量生产。

简介：摘 要：随着信息科学的发展、组织规模的扩大和对管理需求的增强，信息系统在各行业中得到广泛的应用并迅速普及。但由于很多信息系统开发的初始目的只是为了实现相应的业务功能计算机化，在实施这些系统的早期阶段并没有考虑到不同系统之间的数据交换和协同工作；在开发新系统时，通常没有足够的时间和理由彻底更换掉旧的遗留系统，新系统的功能必须与已有的系统、数据源相整合；即使是建设全新的系统，也会遇到各类异构平台的技术集成等问题，实际上信息系统的集成已经成为一个非常普遍的需求。

简介：全面介绍了目前密集波分复用系统中的主流光滤波技术,包括介质薄膜滤波器、阵列波导光栅、光纤光栅、熔锥器件、奇偶交错滤波器和声光可调谐滤波器,从系统应用的角度分析了光滤波技术的发展趋势.

简介：光突发分段和光组合突发交换是解决光突发交换中竞争问题的较好的技术,本文介绍了这两种技术,并用排队论模型分析了它们的分组丢失率性能,说明它们相对于JET的性能优势.

简介：针对卫星仿真工具包（STK）分布式仿真系统集成问题，提出了基于STK／Connect中间件和STKX组件技术的两种仿真模式，依次对其工作原理和实现方法进行了描述。同时分析了两者的约束条件、应用程序设计复杂度与性能、开发效率以及已有成果改动量等，并进行两者优缺点的比较。最后，以武器攻防对抗为背景进行了仿真。结果表明，基于STKX组件的仿真模式在程序设计复杂度、性能和开发效率等方面均优于STK／Connect中间件，且后者在成果改动工作量方面更具优势。

简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：IP集成是制约SOC技术实现的解SOC系统结构和模块间的通信过程,然后介绍了两种基于SOC的IP集成方法,以及各种接口协议和集成方法在应用中的优缺点.

简介：宽带大动态的射频光传输链路是微波光子技术应用的基础。针对射频光传输对链路高动态范围的应用需求,分别介绍了多频点副载波复用数字预失真和多源非线性数字后补偿两种失真线性化技术的原理及其研究进展,这两种方法能较好地抑制信道间的交调失真和信道内的三阶交调失真。同时,将全光下变频技术引入到接收链路中,通过充分利用相位调制线性特性的优势,分析了基于相位调制及相干解调DSP处理的大动态光载射频传输系统,实验得到的宽带射频信号光传输系统的无杂散动态范围达到了128.8dB.Hz2/3。

简介：随着集成电路设计技术及工艺技术的发展，元器件的工作频率越来越高，对微电子封装技术的要求也越来越严格。目前，BGA与MCM作为逐渐普及的封装形式，其基板上都有大量的过孔，在高频时必须考虑过孔寄生参数对芯片电性能的影响，特别是针对于射频电子和高速数字IC。文章以CBGA基板过孔为例，通过有限元方法初步探讨了不同参数的过孔其寄生参数RLC的变化趋势。并以其中一组寄生参数分析了对某理想放大器电路输出波形造成的过冲与畸变等影响。

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：介绍了光正交码和二维光正交码的概念并对其性能进行了分析.分析了三种二维码OCDMA系统:T/SOCDMA、WDM+OCDMA、MWOCDMA,并比较了它门的性能.

简介：摘要伴随着我国科技的不断发展，计算机网络技术越来越完善，智能ODN光分配技术是计算机技术发展的产物，这种技术具有稳定、高效、时效等优点，在光纤接入网络技术汇中，智能ODN技术被广泛使用，在实际使用过程中，ODN技术在管理上能够较为方便、监测更全面、拥有实时调度的功能。下文从ODN网络技术概论、智能ODN光网配电技术与传统ODN技术对比进行分析，并对智能ODN技术优点进行分析。