简介：摘要：Si基GaN因其在制备功率电子器件领域重大的应用优势，且具有低衬底成本，衬底8英寸技术非常成熟，使得Si基GaN(GaN-on-Si)电子器件的社会经济效益比较高，在5G通信领域应用前景比较明朗。本文介绍了GaN-on-Si器件在5G通信领域内的技术应用趋势，以及所面临的市场竞争。

简介：SiCMOSFET比SiIGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机（PMSM）驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。针对1kWPMSM,对功率器件分别采用SiIGBT和SiCMOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析。设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiCMOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能。

简介：进入2018年，部分Si基GaN电力电子器件获得JEDEC和AEC—Q101认证，产品可靠性正在获得认可。同时，8英寸Si基GaN外延和器件加工技术不断取得突破，未来技术成熟后将进一步降低产品成本。在可靠性提升和成本降低等因素促进下，Si基GaN电力电子器件将迎来快速发展阶段。

简介：摘要 本文对张应变的 Si基外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性以及 NiGe与外延 Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试结果，表明张应变外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性比 N型 c-Ge上 NiGe薄膜的热稳定性提高了 100oC，可能的原因是 NiGe薄膜与张应变的外延 Ge之间的晶格失配较小， NiGe薄膜所受到的应力较小。 I-V测试结果表明 NiGe与外延 Ge接触反向漏电流较大，器件整流比较小，势垒高度比 NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此，要使 NiGe更好的应用于外延 Ge基的肖特基势垒源漏的 MOSFET中，还需要进一步提高外延 Ge质量。

简介：<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：本文介绍Si3N4(代替部分金刚石浓度）配合铁基（以Fe代Co)结合剂氮化金刚石薄膜涂层节块，可大大降低成本，该节块性能良好，有较高使用效果及经济效益。

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：PitformationandsurfacemorphologicalevolutioninSi(001)homoepitaxyareinvestigatedbyusingscanningtunnelingmicroscopy.Anti-phaseboundaryisfoundtogiverisetoinitialgenerationofpitsboundbybunchedDBsteps.Theterracesbreakupandarereducedtoacriticalnucleussizewithpitformation.Duetoanisotropickinetics,adownhillbiasdiffusioncurrent,whichislargeralongthedimerrowsthroughthecentreareaoftheterracethanthroughtheareaclosetotheedge,leadstotheprevalenceofpitsboundby{101}facets.Subsequentannealingresultsinashapetransitionfrom{101}-facetedpitstomulti-facetedpits.

简介：利用Gaussian-94计算程序中的B3LYP方法,在6-311+G(2d)6d基组下,对Si5,Si5H3,Si5H6,Si5Li3和Si5Na3原子簇的几何结构进行优化和频率计算.结果表明,Si5原子簇中最稳定的具有D3h对称性的结构中,位于同一平面上的3个Si原子确实具有剩余的成键能力,可以与3个H,Li,Na原子和6个H原子形成稳定的化合物.研究还发现,虽然H,Li和Na都属同一主族,但它们与Si5原子簇中Si原子的键连方式却不同,而且它们的加入,对Si5原子簇的'三角双锥'结构也有不同的影响.

简介：ＣｕｒｉｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＦｅＳｉＢａｎｄＦｅＷＳｉＢＡｌｏｙｓＷａｎｇＬｉｎｇｌｉｎｇ，ＺｈａｏＬｉｈｕａ，ＨｕＷａｎｇｙｕ（王玲玲）（赵立华）（胡望宇））ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＨｕｎａｎＵｎ...

简介：研究Al-Mg-Si合金晶界组成相（Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si）间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n（Mg）/n（Si）〈1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

简介：

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简介：利用SOI衬底生长部分／完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件；这两种方法均可用于CMOS结构，也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道，可将沟道迁移率提高50％，从而提高了器件电流。SOI晶体管的好

简介：Aconductionchannelmodelispropsedtoexplainthehighconductivitypropertyofnc-Si:H.Detailedenergybanddiagramisdevelopedbasedontheanalysisandcalculation,andtheconductivityofthenc-Si:Hwasthenanalysedonthebasisofenergybandtheory.Itisassumedthattheconductivityofthenc-Si:Hstemsfromtwoparts:theconductanceoftheinterface,wherethetransportmechanismisidentifiedasathermal-assistedtunnelingprocess,andtheconductancealongthechannelaroundthegrain,whichmainlydeterminedthehighconductivityofthenc-Si:H.Theconductivityofnc-Si:Hiscalculatedandcomparedwiththeexperimentdata.Thetheoryisinagreementwiththeexperiment.

简介：在大约431nm的蓝光在C+培植以后从取向附生的硅被获得，在顺序蚀刻的氢环境和化学药品退火。随化学蚀刻的增加，蓝山峰起初被一座红山峰最后提高，然后减少了并且代替。C=O混合物在C+培植期间被介绍并且在纳米Si的表面嵌入在退火期间形成了，并且最后被形成纳米硅与嵌入结构，它贡献蓝排放。介绍是光致发光的可能的机制。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。