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Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究

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摘要首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

DOI pd51y332j7/1747847

作者石青宏;刘瑞庆;黄伟

机构地区不详

出处《电子与封装》 2017年6期

关键词 Ni(W)Si 热稳定性肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱卢瑟福背散射

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2017年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）