简介：安捷伦科技公司日前宣布，在信息科学技术学院会议室举行了大连海事大学-安捷伦“天线与射频电路仿真联合实验室”揭牌仪式。大连海事大学副校长刘正江教授、信息科学技术学院院长张淑芳教授、副院长王国峰教授、联合实验室常务副主任房少军教授、安捷伦EEsof亚太地区总经理KimDongHee、安捷伦EEsof中国区经理朱剑平、安捷伦EEsof中国北方区经理边业超，以及信息科学技术学院有关教师和研究生等出席了揭牌仪式。

简介：<正>西南集成电路设计有限公司(SWID)是一家无晶圆IC设计公司。最近该公司选择在美国加州纽波特比奇(NewportBeach)进行代工生产,利用其锗硅BiC-MOS工艺技术来制造该公司的射频IC产品。TowerJazz宣布了这一合作。Tower半导体于2008年接管了美国捷智科技

简介：<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%～54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器

简介：RFID是RadioFrequencyIdentification的缩写，即无线射频识别。它是集计算机技术、信息采集处理技术、无线数据传输技术、网络数据通信技术和机械电子自动控制技术等多学科综合应用为一体的自动化控制系统。最初用于无法使用条形码跟踪的特殊工业场合，后来多利用它来定位、确认及跟踪库存产品或其他目标。其实，目前备受各方关注的RFID并不是一项新的技术，

简介：在集成电路设计中，可将承担静电放电保护、电平转换、电路驱动等功能的电路组合成接口电路，通过对接口电路的可靠性设计来提高集成电路的可靠性。从电路设计、版图设计、封装设计等设计阶段的特点出发，阐述了各阶段可靠性设计的内容，并总结了一些设计要点和设计准则，提出了可采用接口电路、封装、PCB三者协同设计的方法，以提高接口电路的可靠性。

简介：在高速光通信系统中,接收端收到的光信号脉冲强度随通信距离、光纤损耗等因素变化,因此需要检测平均光电流,以确定接收端光功率,对应调整放大器增益,实现不同通信距离情况下光信号的高速接收,避免放大器饱和或者增益不足的情况。提出一种光接收电路中平均光电流检测电路的设计。通过运放钳位光电二极管阴极和采样电路,实现对平均光电流的采样与输出。为克服随机失调对采样精度带来的影响,在运放设计中采用了OOS[1](输出失调存储,OutputOffsetStorage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,实现了失调电压的消除,保证了电流采样精度。所提出的平均光电流检测电路采用0.18μmCMOS工艺进行设计。测试结果表明,在1.25Gbps的通信速率下,实现了7.5%的平均光电流采样精度。

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简介：一、EDGE技术简介EDGE（EnhancedDataRateforGSMEvolution)就是增强GSM数据速率的演进技术，是一种能够增强高速电路交换数据业务(HSCSD)和通用分组交换无线数据业务(GPRS)的单位时隙内数据吞吐量的技术。我们将增强型高速电路交换数据业务称为ECSD(EnhancedCircuit-SwitchedData)，将增强型通用分组交换无线数据业务称为EGPRS(EnhancedGPRS)。

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简介：<正>2014年6月3日讯:射频功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布推出射频功率工具系统(RFPowerToolsystem)。该系统旨在简化射频功率应用的开发,帮助客户创建独特的新射频功率解决方案。飞思卡尔射频功率工具系统是市场上唯一全面集成的射频功率应用开发系统,它将多个射频工作台工具功能集成到一个盒子中,无需射频评估设备的全套工作台,因而能尽量

简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

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简介：宽带大动态的射频光传输链路是微波光子技术应用的基础。针对射频光传输对链路高动态范围的应用需求,分别介绍了多频点副载波复用数字预失真和多源非线性数字后补偿两种失真线性化技术的原理及其研究进展,这两种方法能较好地抑制信道间的交调失真和信道内的三阶交调失真。同时,将全光下变频技术引入到接收链路中,通过充分利用相位调制线性特性的优势,分析了基于相位调制及相干解调DSP处理的大动态光载射频传输系统,实验得到的宽带射频信号光传输系统的无杂散动态范围达到了128.8dB.Hz2/3。

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简介：<正>据《PortableDesign》2008年第1-2期报道,意法半导体(STM)成功制造出采用CMOS45nm射频制造技术的功能芯片。这项尖端技术对下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。

简介：文中针对现有雷达射频模拟器体制单一，信号形式简单，且自动化程度低的现状，提出一种采用快速频率合成技术，高速数字信号处理技术和雷达信号动态连续仿真技术，该技术可模拟各种环境、雷达体制和信号要求的雷达射频信号自动模拟设备，具有较强的适应性、通用性和扩展性。

简介：随着射频技术的广泛应用和发展,射频封装已经呈现出更高密度功能集成、更高功率、更高频率和更低成本的发展要求。在这些要求下,3D封装、大功率射频器件集成、多种信号混合集成、硅中道工艺顺应而出。相对于传统射频封装,基于硅中道工艺的先进射频封装面临结构、热管理、信号完整性和工艺等多方面的挑战。

简介：为了满足对直流电流进行检测的同时实现对电流信号缩小的需要,设计了一款电流检测电路,采用CSMC0.5μm120VBCD工艺。不同于传统电流检测电路,该电路直接对电流信号进行处理,输出具有较好的线性度,同时对输入信号基本无影响,并且电路结构较为简单,能够较好地满足IP核应用的需要。通过仿真验证以及流片、测试,证明该电路具有良好的功能性。文中同时给出该电路IP数据提取过程以及后续电路。

简介：SOICMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势。文中叙述采用SIMOX材料和0．8μmSOICMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路，并且给出了SOICMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系，试验电路通过了总剂量500Krad（Si）钴60γ射线辐照实验．