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《电子与封装》
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2006年8期
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0.8μmSOI CMOS技术及电路研制
0.8μmSOI CMOS技术及电路研制
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摘要
SOICMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势。文中叙述采用SIMOX材料和0.8μmSOICMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOICMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500Krad(Si)钴60γ射线辐照实验.
DOI
ojzlgxlnd5/452194
作者
孙锋;陶建中;肖志强;洪根深;薛忠杰;黄嵩人
机构地区
不详
出处
《电子与封装》
2006年8期
关键词
SOI
CMOS
SIMOX
总剂量效应
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2006年08月18日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电子与封装
2006年8期
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