简介：使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力（1200-2100K,4.0-8.0GPa）下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

简介：对碳化硼-金属复合材料的研究现状进行了综述。着重从制备工艺、界面、润湿性、性能和应用5个方面阐述了近年来该材料的研究状况，并对其发展方向进行了展望。最后指出，电子工业将成为未来该材料的重要应用领域之一。

简介：采用碳热还原法，在氩气气氛下1750℃保温1h制备出ZrB2粉体，反应物ZrO2、B2O3和C物质的量比为1：1：10，其中ZrO2以凝胶形式加入，ZrO2凝胶通过NaBH4滴定ZrOCl2溶液制备，C分别以活性炭和炭纤维形式加入，聚乙二醇（PEG）作分散剂，乙醇作为混合介质。用XRD、SEM和EDS分析方法对所得粉体进行了表征。结果表明，用活性炭作为还原剂制备的ZrB2，颗粒细小、均匀，平均粒径在80nm左右，粒子为球形；用炭纤维作为还原剂制备ZrB2粉体，由于炭纤维活性差，反应不彻底。

简介：科学家首次制得了2D硼原子片层结构。这种原子级厚的片层称为硼烯,早就有理论预测,但制备上有很大挑战。新的研究表明,可以采用一种简单的、廉价方法来制备这种材料。硼烯与石墨烯中的碳一样具有相同的六边形晶格排列,但在每个六边形中心还另有一个硼原子。

简介：近日，美国能源部阿贡国家实验室、西北大学和纽约州立大学石溪分校的科学家首次创造出了具有单层平面原子结构的二维的硼——“硼墨烯”（Borphene），这是际石墨烯之后又加入“烯”字家庭的新成员。近期出版的《科学》杂志收录了相关研究。

简介：据有关媒体报道，最近，中科院福建物质结构研究所叶宁研究员领导的课题组，以BeO替代简单硼酸盐中BO结构单元为思路，在构筑新型硼铍氧基团的基础上发现了一系列具有无心空间群的新型碱金属硼铍酸盐化合物，研究成果发表在近期的《美国化学会志》上。

简介：消息显示，中联重科获日本福岛县土木建筑公司一金堀重机的30台33米混凝土泵车订单，计划自今年10月至2013年4月完成交付，金堀重机现有的17台泵车将逐渐全部更新。中联重科同时宣布将于2012年在日本设立研发中心和生产基地，按照日本相关法律规定和客户需求，改良产品，建立完善的售后服务体系和市场推广体系，开拓日本市场。

简介：美国宇航局格林研究中心开发出一种技术用于提高钡钙铝硅酸盐玻璃的力学特性，后者是平面固体氧化物燃料电池的密封材料。用氮化硼纳米管（BNNT）强化的玻璃复合材料的断裂强度及断裂韧性获得极大改善。例如，向玻璃中掺入4wt％BNNT可使强度提高90％，使断裂韧性提高35％。掺有4wt％BNNT的玻璃板经热压并加工成测试条。测量了力学和物理特性，如四点弯曲强度、断裂韧性、弹性模量、微硬度、玻璃复合材料的密度等。断裂韧性是用单刃V形沟槽横梁法测量的。

简介：<正>美国布朗大学与中国清华大学的科学家合作,发现元素周期表中5号化学元素硼也可能形成类似石墨烯的单层平面原子结构,并将其称之为硼墨烯。该论文发表在近期出版的《自然·通信》杂志。石墨烯被誉为神奇材料,其碳原子排列成六边形,呈蜂窝环状结构,因其强度比钢还

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：据相关媒体报导，美国杜克大学不久前宣布，他们首次发现一种新的超导材料——具有“三明治”结构的锂硼化合物，其超导转变温度超过39K，刷新了现今最先进超导材料的纪录。

简介：采用表面机械研磨处理（SMAT）技术实现了38CrMoAl钢的表面纳米化,并对表面纳米化后的样品进行了490℃离子氮碳共渗。采用扫描电镜、X-衍射、透射电镜、显微硬度仪等分析和测试手段,对处理后的样品进行观察分析及性能测试。结果表明：经SMAT处理的样品实现了低温离子氮碳共渗,渗层中渗入较多的氮、碳原子,并析出大量细小的高硬度化合物,获得了较好的硬度分布。

简介：中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼（B）、氮（N）共掺杂，实验和理论研究发现，硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。该工作得到了国家科技部、中科院和同家自然科学基金委的资助。本相关研究结果发表在近期的AdvancedMaterials20，3615（2008）上。AsiaMaterials对该成果以标题“Dopingcarbonnanotubes”作为研究亮点进行了报道。

简介：中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯／六方氮化硼平面异质结研究取得新进展，研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积（CVD）方法成功制备出单原子层高质量石墨烯／六方氮化硼平面异质结，并将其成功应用于wSe2／MoS2二维光电探测器件。

简介：以中间相沥青浸渍整体碳毡发泡技术制备的一种新型多孔C／C泡沫复合材料为预制体，通过液相硅浸渗（LSI）工艺制备了C／SiC复合材料，研究了预制体不同孔隙率对si浸渗及C／SiC复合材料力学性能和微观形貌的影响，分析了复合材料的物相组成和晶体结构。结果表明，采用发泡技术可以快速有效地实现C／C预制体的致密化处理。预制体孔隙率为65．41％时液相硅浸渗处理后所得复合材料性能最好，密度为2．64g／cm3，弯曲强度为137MPa，弹性模量为150GPa。纤维未作表面抗硅化涂层处理以及复合材料中存在闭孔是C／SiC复合材料性能不佳的主要原因。

简介：无压浸渗法是一类先进的金属基复合材料制备方法。总结了无压浸渗方法制备陶瓷增强金属基复合材料的工艺特点及国内外的研究现状，分析了影响无压浸渗工艺的主要因素及存在的问题，探讨了该工艺的可能机理，并指出了该工艺存在的问题和今后的研究重点。