简介：摘要本文使用分子动力学模拟方法，构建出了碳化硅晶体的生长模型，模拟研究了碳浓度、生长晶面以及生长温度对碳化硅晶体生长的影响。

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简介：据报道，遂宁于2008年6月新引进建成的大华高新公司的年产2万吨碳化硅产品项目，目前累计完成投资2000万元，制砂车间已完成设备安装，现已开始生产。目前正在安装制板车间的设备，预计2009年上半年该项目将全部建成，完成从原材料到成品的一条龙生产。

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简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：摘要发送端和接收端各自设置一个线圈，外界的交变电源为发送端提供电流和电压，使其能够产生电磁信号，此电磁信号经由发送端与接收端的线圈耦合，实现电能由发送端到接收端的无线传输，接收端收到电磁信号后，产生交变的电流，通过在接收端设计整流和滤波电路改善电能质量并向外界提供电能，实现电能供给.

简介：介绍了应用高频红外碳硫仪测定碳化硅中的S含量。探讨了锡粒、纯铁、钨粒作为助熔剂的用量。并以生产用碳化硅经定值作为校准样品校正仪器，本方法的相对标准偏差RSD〈1％（n=6）。

简介：摘要：本文旨在探究碳化硅质耐火材料的化学分析方法，以期为该类耐火材料的性能优化、生产工艺改进和质量控制提供科学依据。通过综合分析当前碳化硅质耐火材料的研究现状及应用情况，结合实际案例，对常见化学分析方法进行了系统介绍和比较，为相关领域的研究人员和工程技术人员提供一定参考，推动碳化硅质耐火材料化学分析方法的进一步改进和应用，带动这类耐火材料技术的发展和创新。

简介：摘要纳米技术在现今新材料领域具备广泛的应用前景，纳米碳化硅颗粒的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特优异性能，但其分子原子表面活性较强也导致其容易发生团聚和分散，这对于碳化硅材料的质量有十分紧密的影响，本文就这一议题进行了分析和研究，从团聚现象、软团聚的分散、硬团聚的分散方面进行了论述，供相关人士参考。

简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：中红外激光（3-5μm）在环境监控、气体分子识别、相干断层成像、军事等领域有着重要应用,特别是近年来在高次谐波产生单个阿秒脉冲的研究中,由于周期量级中红外飞秒激光能获得更高截止能量的谐波阶次,有望获得更短的阿秒脉冲和更高的时间分辨率,因此倍受人们的青睐。

简介：综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。

简介：近日，大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200VSiCMOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。大联大品佳代理的英飞凌的这款SiCMOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。

简介：市场研究单位YoleDeveloppement（Yole）指出，碳化硅（SIC）电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM,Bombardier,Cree,SDK,STMicroelectronics,In-fineonTechnologies,Littelfuse,Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率（CAGR）为28％，2020～2022年CAGR将进一步提升至40％。

简介：摘要在硅锰合金的样本中往往会夹杂些碳化硅杂质，而在化学检测中的硅时，往往会因为其内碳化硅成分没有被有效剔除，使得测量结果出现偏差，一般表现为偏低。而对锰硅合金中硅含量的分析往往会对炼钢生产作业中起重要引领作用，因此有必要在硅含量检测方面进行研究。本文从氟硅酸钾容量法对合金中硅含量测定中的酸性、加入量等因素进行分析，测量结果可信度较高。

简介：2004雅马哈YZF-RI型摩托车装配了碳化硅陶瓷制成的制动器转动环和垫片，使其重量下降，且延长了使用寿命。这种被称为Starbladc的复合材料拥有非常稳定的调制和控制性能。

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简介：摘要:通过实验，在氨基磺酸盐体系镀液中添加一定量的纳米SiC粉末，通过电沉积的方式，制备出镍钴基碳化硅复合镀层，了解纳米SiC材料对复合镀层的硬度、结合力、耐磨性、软化温度等镀层性能的影响情况。结果表明在一定的工艺条件下，在镀液中添加一定量的纳米SiC材料，可以获得表面平整，结合力良好，硬度提高，耐磨性提高，软化温度得到改善的镍钴基SiC复合镀层。

简介：摘要：碳化硅单晶材料是一种重要的半导体材料，广泛用于功率器件、光电器件、高温传感器等领域。随着半导体材料需求的不断增加，碳化硅单晶的切片技术也在不断发展。本文主要介绍了碳化硅单晶衬底加工技术中涉及的切片、薄化、抛光等技术的现状及发展趋势。其中，切片技术分为传统机械法和先进的切割技术，而其切片质量主要由晶体结构、切割机器和切割参数等因素决定。在薄化过程中，化学薄化技术逐渐取代传统机械薄化技术成为主流，而对薄化效果的影响因素则主要包括初始厚度、薄化介质和薄化条件等方面。最后，抛光技术可分为机械式轮盘 CMP 机和悬浮 CMP 机等，而其抛光质量则受制于抛光液配方、抛光参数和抛光机器设备等方面。

简介：本发明涉及一种工业制备碳化硅晶须和微粉的方法，它是将石墨与共其他工业用碳质和硅质原料混合后，将入工业SiC冶炼内进行合成反应，用石墨作导电发热体制备碳化硅晶须和微粉。该方法原料来源丰富廉价，生产工艺简单，可大批量工业化生产，其生产出来的晶须直径均匀，长径比大，异形晶少。因此，本发明具有制备工艺简单、制备投资小、生产成本低、产品质量好的特点。