简介：CRT显示器用为一项技术成熟的产品，与LCD显示器在性价比上的优势使其在专业图像领域的用户内仍有一定数量的用户拥载．而最近开始流传一个新名词——“方管”技术，它号称攻克了传统CRT显示器的多个难题．并被称为是显示器发展历史上的又一次重大革新和突破．甚至有人认为“方管”显示器在显示的精准方面媲美LCD显示器．种种传言莫衷一是。那么到底什么是“方管“技术．“方管”技术到底能给我们带来多大的惊喜，我们从世界第一款采用“方管”的显示器LG的未来窗XP上可以看出一些端倪。

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：

简介：对35micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明：在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。

简介：<正>Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarprocess)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。

简介：本文介绍节能灯用晶体管的技术特性和发展现状,尤其是一些新型高反压高速功率晶体管,可用来进一步提高节能灯的质量及安全特性。

简介：探讨了多链综合应用环境中数据链信息服务系统管理类数据管控技术、平台间战场战术指令与战场目标信息分发策略,研究了复杂数据链网络环境中各平台探测目标信息分发策略,以保障分布式航迹处理环境的形成,为新-代数据链信息服务系统建设提供思路.

简介：<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz～1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出

简介：基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。

简介：传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

简介：空战场管控是联合作战各类用空行动协同的重要抓手,对于提高战场空域资源使用效率,提升联合作战效能至关重要。首先,对联合作战空战场管控的概念进行了界定,论述了联合作战空战场管控的重要地位作用;然后,分析了外军联合作战空战场管控基本做法,梳理了联合作战空战场管控的主要任务及面临的重难点问题;最后,提出了强化联合作战空战场管控能力的针对性对策建议。

简介：美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

简介：有机场效应晶体管（OFETs，OrganicFieldeffecttansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型，并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响，并指出相应的优化途径。

简介：<正>石墨烯(Graphene)自十几年前诞生以来就一直让科学家们着迷。这种仅仅一个原子厚度的碳元素材料拥有出色的电子特性、强度、超轻重量,用途也不断拓宽,但是如何为其植入能隙(bandgap/半导体或是绝缘体的价带顶端至传导带底端的能量差距),从而制造晶体管和其它电子设备,却始终让科研人员束手无策。

简介：介绍了高频加热电子管常见的漏气、炸裂、断丝、碰极、高压疏闸等五种故障,分析了故障原因,并提出了解决办法。

简介：介绍了一种Ku波段行波管发射机的技术参数及其设计方法。主要叙述了系统中高压电源、监控电路和调制器的设计，并针对发射机在无人机载SAR方面的应用，就如何解决体积小、重量轻情况下的电磁兼容问题，低气压条件下的高压绝缘与散热矛盾作了较详细说明。

简介：前言继陆运、水运、空运成为当今社会的三大动脉以后,迅速发展的地下管道运输线,已成为当今社会的第四大动脉.目前.全世界的新建管线正以每年几十万公里的速度发展,人们几乎把钢铁总产量的十分之一用来建造地下管线.

简介：摘要本文首先介绍了供应商黑名单管控的背景及意义，说明了涉及的关键技术，重点分析了业务场景及系统的交互数据，建立数据模型。最后，对基于ERP业务数据的供应商黑名单管控页面进行展示。

简介：<正>一、概况为配合中国绿色照明工程的实施,根据国家技术监督局(1998)技监监计统函字第002号文件安排,国家电光源质量监督检验中心(北京)、国家电光源质量监督检验中心(上海)、国家日用电器质量监督检验中心在

简介：利用边界元法编制了计算磁控注入枪的程序，并使用该程序设计和模拟一个工作在35GHz，70kV，10A基波回旋放大器的单阳极磁控注入枪，得到较好的计算结果。并给出了工作电压、磁场分布对电子束性能的影响。结果表明，边界元法在分析磁控注入枪系统和回旋器件电子光学方面是一种非常有效的方法。