简介：历经风雨二十载，中国的PCB产值已高居全球第一。纵观市场需求，PCB产业的前景乐观。然而在进入新一轮旺季的同时，2006年初PCB行业即遭遇原材料涨价，金属铜价一度涨翻天；7月1日，欧盟环保法规开始生效：基本工资调涨以及日益激烈的全球化竞争，更是让企业疲于奔走。如何把握产业机遇，在新的绿色时代进一步发展壮大？

简介：就普通机械钻机进行高精度深度钻孔时存在的问题,介绍了配有深度控制功能的DN-6L180E型钻机进行高精度深度钻孔的原理、操作及注意事项.试验结果表明,采用文中所述方法,实现了±30μm误差的深度钻孔控制.

简介：对微孔金属化前处理进行了深入的研究。利用正交实验确定了等离子清洗的最佳条件，利用全面实验研究了等离子清洗，超声波清洗，PI调整等在微孔沉镀铜方面的应用，并通过重复性实验证明了以上实验结论的可靠性，从而实现了在公司现有条件下微孔金属化的目标。

简介：在系统芯片(SOC)技术飞速发展的今天，作为几乎所有SOC不可或缺的组成部分，智能电源类IP核的研究开发日益显出其必要性和迫切性。本文给出若干电源类IP核的设计实例，包括电压参考源、电压调节器、振荡器、欠压锁定比较器、电压过零比较器等，并将使之能支持多种SOC的设计。

简介：当我国市场上假冒商品还四处泛滥的时候,国际上一场以质量管理为目标的技术革命正悄然兴起。ISO9000系列标准于1987年诞生以来,仅仅七、八年时间,便以迅雷不及掩耳之势席卷世界各地,现已有近100多个国家或地区先后完全采用或实际采用这套标准,这里既有美、英、日、俄等贸易大国,也有越南、古巴、阿尔巴尼等发展中国家。

简介：针对Sn—Cu、Sn—Ag、Sn—Ag—Cu以及Sn—In等几种具有广泛应用前景的无铅合金焊料的重要基础性质之一的机械性质，介绍分析了目前在诸如抗拉伸强度、蠕变特性、疲劳特性等方面所取得的一些研究成果，以及金属间化合物对焊料可靠性的影响。

简介：本丈主要介绍了高锰酸钾法,去钻污剂DM-120A、B(大连太平洋化工有限公司产品)温度、时间、总锰含量、当量浓度的改变对去钻污速率的影响.

简介：为探索SOC化的测谎自动评分系统，本文综论世界测谎技术的百年进程，涵盖测谎概念、原理、简史、指标和效度，简介我们的脑核磁共振研究工作，展望测谎技术趋向SOC的前景。

简介：本文介绍印制电路板的拼板程序,采用Excel绝妙运算功能.本拼板程序为二级同异相拼板方法,只要知道成品板尺寸、库房各种板材尺寸及工程部工艺参数,就能得到板材的最佳在制板和最好的板材利用率.

简介：今后高速化会带来信号传送的较大损失、电磁干扰、特性阻抗不匹配、传送波形变形等问题。光子传输信号与电子传输信号相比具有许多优点：良好的并行性（即光信号可以交叉传送）、高频率（信息载量大）、高带宽、高速度、高密度（光束可聚焦）以及抗电磁波干扰等。因此，在发展未来新一代信息产品的信号传送方式上，越来越寄托于在线路板中引入光传送技术而得到解决。欧美、日本、韩国等国家已开始在高端电子产品中（包括家电产品）引入光信号（数据）传送技术的开发工作。此项工作主要是围绕着光线路安装技术和光-电线路板两大重要方面开展。

简介：对一种微波网络用多层印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍,对所采用的层压工艺技术和品质控制进行了较为详细的论述.

简介：随着电子技术的发展,尤其是电子组装技术的不断进步,很多场合下一般的刚性印制板已经很难满足电子产品'轻、薄、短、小'的要求.因此,刚挠结合印制板(挠性基材和刚性基材结合的印制板)的应用由于其显著的优越性有着越来越广泛的前景.本文主要介绍刚挠结合印制板的加工工艺,指出了加工过程的技术难点,并提出了解决办法.

简介：主要介绍了助焊剂的分类、特性及使用时的注意事项,同时就国内助焊剂发展的情况作了一个大体的介绍.

简介：本丈对一种具有埋/盲孔结构之多层印制电路板的制造工艺流程进行了简单的介绍,对所采用的制造工艺技术和品质控制进行了较为详细的论述.

简介：本文对印制电路板显微剖切技术及其应用进行了较为详细的论述。

简介：本文对一种非聚四氟乙烯微波多层印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍，对所采用的层压工艺技术和品质控制进行了较为详细的论述。

简介：北京大学微电子学系和研究院有着源远流长的学术渊源,发展历史可以追溯到1956年由著名物理学家黄昆院士领导在北大物理系创建的我国第一个半导体专门化,在中国微电子科学技术

简介：山东大学是我国历史最悠久的著名大学之一。一百年来,山东大学汲取着齐鲁文化的营养,秉承学术自由,兼容并包的办学理念,破门户之囿,采百家之长,形成博大精深、历久弥新的文化底蕴;注重人文精神、崇尚科学理念、文理医工多学科协调发展的办学思想。山东大学多屏幕微机研究所成立于1993年初,是利用一项发明专利技术——多屏幕微机而设立

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在采用JPEG2000算法的图像压缩芯片结构研究中，我们发现编码(EBCOT)部分的计算结构是相当复杂的。其中率失真计算结构是否合理，直接关系到编码算法的效率。本文着重阐述了完成率失真浮点计算所必需的硬件结构；提出了新型的专用于率失真计算的除法算法及其结构；在保证计算精度和速度的前提下，最大限度地降低了计算结构的复杂度。本论文提出的计算结构已通过RTL级源代码和综合布线后门级仿真，并经过XilinxFPGA测试线路板上运行验证。为确保JEPG2000图像编码芯片的最终成功流片解决了一个关键问题。