简介：通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法,重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺,有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术,达到了腔底平整度不大于0.08mm、空腔尺寸准确度优于±0.15mm的关键技术指标,成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。
简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。
简介：采用锁定于Cs原子D1线Fg=4→Fe=3跃迁能级的894nm激光极化了填充有Cs原子和4He原子混合原子吸收室中的Cs原子,然后通过Cs原子和4He原子的自旋交换作用使得亚稳态4He原子产生极化。这种采用间接方式实现4He原子极化的方法,可以避免4He原子与光源直接作用产生的光频移,能够非常有效地减小共振线宽和实现高准确度磁场测量。设计了自旋极化的亚稳态4He原子在磁场中的拉莫尔频率检测电路以实现磁场测量。
双面空腔LTCC基板制造工艺研究
抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究
基于激光源的高准确度He-Cs光泵磁力仪研究
