简介：在AM1方法优化的几何结构基础上,用INDO/CI-SOS方法深入探讨硼羰基(B-C=O)螺旋共轭化合物的二阶非线性光学性质,讨论了硼羰基的不同取代位置对螺旋共轭体系的电子光谱、二阶非线性光学系数的影响.结果表明硼羰基的引入可改善体系的非线性光学性质,随着硼羰基个数的增加,二阶非线性光学系数增大,大入射波长为1064nm时,β绝对值比未被取代的螺旋共轭化合物的β值增大一个数量级,达到13.84×10-40C·m.
硼羰基取代螺旋共轭化合物电子结构的理论研究
