简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。
线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数（TC）：理论研究、测试和仿真
