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线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数（TC）：理论研究、测试和仿真

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摘要本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。

DOI zdl10eom4l/588740

作者张彦飞（译）;游雪兰（译）;吴郁（译）

机构地区不详

出处《电力电子》 2008年1期

关键词功率MOSFET 载流子迁移率温度系数温度梯度 TC 线性区

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2008年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电力电子

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功率MOSFET 载流子迁移率温度系数温度梯度 TC 线性区

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