简介：采用离子注入的方法,将钴离子（Co）直接注入到氧化铟锡（ITO）导电玻璃电极表面,制得纳米钴修饰电极（Co/ITO）。通过循环伏安法（CV）、X-射线光电子能谱法（XPS）以及扫描电子显微镜（SEM）等方法对纳米钴修饰电极表面进行了表征。以Co/ITO为工作电极,在0.1molL-1NaOH溶液中,峰电流与谷胱甘肽（GSH）浓度在1.0×10-7mol·L-1~2.0×10-6mol·L-1之间呈线性关系,检出限为1.0×10-7mol·L-1。纳米钴修饰电极还体现了良好的稳定性和重现性,可用于实际样品中谷胱甘肽的检测。
Co/ITO电极检测谷胱甘肽的研究
