简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：离子注入诱变育种是生物诱变育种的一种新的育种技术。离子束与生物的相互作用不仅有物理的和化学的,而且还会引起强烈的生物效应,从而促使生物产生各种变异(其中有许多是自然条件下极为罕见或难以产生的),我们可以从中选出所期望的优良变异,经过培育而成为一个新品种。离子注入诱变育种的主要优点,概括起来有以下几点:(1)变异率高,一般要比自然变异率高1000倍以上;(2)变异谱宽,即变异的类型

简介：介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺，两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2，辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点，反向偏压为3V时，剂量率监测范围为：1×10^-3～1×10^3cGy／h．

简介：

简介：摘要：要实现中束流离子注入就必须做好剂量的控制，这就需要做好剂量控制技术的精度把控工作，其将会直接影响到晶元中离子的掺杂水平，对半导体的制作也有一定影响。在对其剂量进行控制的过程中，系统由测量、冷却和注入这几个硬件系统和对束流的数据进行有效采集，对剂量进行控制和发生异常时对异常进行处理的算法系统所构成。本文就离子注入机进行了讲解，就如何实现大束流离子注入的控制进行了讲解。

简介：摘要：针对He离子注入SiC材料He离子的浓度分布不均匀的问题，采用多重注入的方法，利用SRIM程序模拟了不同能量He离子注入SiC的过程。通过调节不同能量He离子的注入剂量，对多重注入后He离子浓度的总体分布进行了研究。结果表明，He离子的浓度值在570-780 nm范围内基本相同，高能量和低能量He离子的注入剂量相对较高。

简介：用俄歇电子能谱（AES）研究高真空室中铀样及多能量叠加离子注入碳铀样吸附氧气及初始氧化过程。铀以及离子注碳铀样品表面吸附氧及初始氧化行为研究发现，清洁铀表面在本底真空中吸附过程氧元素的体积分数变化呈线性增长，离子注入碳铀样品在本底真空中吸附过程氧元素的体积分数变化曲线存在转折点，转折点后氧元素体积分数变化曲线斜率减小，说明表面吸附氧气的能力减弱。

简介：主要介绍了离子注入新技术的工作原理，以及在核辐射探测器中的应用；离子注入技术条件(包括加速电压、注入剂量、注入时间与退火温度等)选取；用离子注入技术制备的核辐射探测器的特性比较。

简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：在钛基合金Ti-6AI-4V上分别注入3×1017、6×1017、9×1017和2×1018N+/cm2四种剂量的氮离了后,进行显微硬度的测定及通过划痕试验测定其耐磨性,结果表明:经离子注入后的钛合金,其显微硬度及耐磨性均有不同程度的提高,但其提高的程度与注入剂量的大小有关,其中,以6×1017和9×1017N+/cm2为佳,表明在离子注入技术用于材料改性时,注入剂量与材料表面性能的提高有着密不可分的关系。

简介：人造金刚石由于存在各种缺陷而使其抗压强度及热稳定性降低。本文利用离子束注入技术，对金刚石表面同时注入钛、氮离子来改善人造金刚石的性能进行了试验研究。结果表明：钛、氮离子进入金刚石的晶格后，起到了表面强化作用，并填补了金刚石晶体表面的缺陷，从而提高了金刚石的抗压强度和热稳定性，也使体现孕镶金刚石复合材料的抗弯强度和磨耗比有了较大幅度的提高。

简介：采用中科院近代物理研究所,200KV离子注入机产生不同剂量Fe1+,对春小麦新品系“81529”种子进行注入用辐射敏化剂后处理,研究其注入效应。研究结果表明:1Fe1+离子注入随注入剂量的增加染色体畸变率呈上升趋势。2不同辐射敏化剂后处理对萌发力,染色体畸变率影响程度也不同。3不同辐射敏化剂对同一剂量Fe1+离子注入小麦种子其染色体畸变率的总趋势:EDTA>咖啡因

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”，9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售，标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破，在该领域自主创新和产业化上又迈出了可喜的一步。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：用中科院近代物理研究所，200KV离子注入机产生不同剂量Fe1+，对春小麦新品系“81529”种子进行注入用咖啡因、秋水仙素后处理，研究其注入效应．

简介：为了使离子注入沉积信号发生器具有更好的抗干扰性和便捷性,利用PLC本身的高抗干扰性和触摸屏的操控便捷性,应用到信号发生器中,依靠PLC的脉冲输出功能和高速计数功能以及触摸屏的通讯功能进行脉冲的输出和参数的调控工作.研制出的信号发生器满足两路高速脉冲输出-主弧脉冲和偏压脉冲,实现主弧脉宽、偏压脉宽、周期及延迟时间4个参数微秒级的控制,最终设计的PLC与触摸屏可以正常工作且已经应用至信号发生器中作为信号的输出源.

简介：脉冲电晕等离子体处理烟道废气（PPCP法）属于干法脱硫；流程简单；能同时脱硫脱硝；产物是肥料，可实现资源的循环利用；无二次污染；工程造价和运行成本低等优点。但由于脉冲电晕等离子体反应器在短脉冲电压的作用下阻抗变化的复杂性，使得脉冲能量难以有效注入反应器，导致能量注入效率低和脉冲电源关键器件的寿命缩短，因此，研究能量注入效率非常重要。