简介：设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明：该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也可用于其他MOSFET器件阈值电压的测量,尤其适用于辐射剂量的长期测量或者实时测量。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：O434.112002064016双盘靶X光辐射的实验研究=X-rayemissionfromdouble-disktargets[刊,中]/江少恩,郑志坚,孙可煦,黄天暄,杨家敏,崔延莉,陈久森,郭素,胡昕,汤晓青(中物院激光聚变研究中心.四川,绵阳(621900))∥光学学报.—2001,21(12).—1428-1431在"星光Ⅱ"激光装置上,利用三倍频激光辐照双盘

简介：O4322001020774光电技术在合肥光源束流测量系统中的应用=Applicationofopto-electronictechniquestothemeasuringsystemsforbeamoflightsource[刊,中]/孙葆根,何多慧,方志高,王贵诚,卢平,王筠华,许玲(中国科技大学国家同步辐射实验室.安徽,合肥(230029))//光电工程.—2000,27(2).-1-4介绍了合肥200MeV电子直流加速器利用光电二极管阵列的能谱测量系统。800MeV电子储存环利用CCD技术的束流截面测量系统及利用单光子计数法测量束团纵向精细结构。图5参3(吴淑珍)

简介：O432.195031443闪烁体瓦片/光纤量能器辐照损伤的进一步研究=Furtherstudyofradiationdamageoftile/fiberscintillatorcalorimeter[刊,中]/毛慧顺,史焕章,刘念宗,张竹湘,张彩娣(中科院高能物理研究所)∥高能物理与核物理.—1994,18(10).—870—878

简介：O432.196020717同步辐射应用的发展=Developmentofsynchrotronradiationapplications[刊,中]/冼鼎昌(中科院高能物理所)∥物理。—1995,24(11)。—642—650综述了同步辐射的特点,世界上三代同步辐射装

简介：O432.196010009小型激光等离子体软X射线源辐射特性研究=In-vestigationofsoftX—rayradiationftomacompact—laser—producedplasma[刊,中]/郭玉彬,李福田(中科院长春光机所.吉林.长春(130022))∥中国激光.—1995,22(7).—532—536

简介：O432.12002064028同步辐射光束弧矢聚焦单色化技术=Technologyaboutmonochromicsagittalfocusingbeambyadouble-crystalmonochromatorinsysnchrotronra-diation[刊,中]/周仁魁,周泗忠,傅翾(中科院西安光机所.陕西,西安(710068)),夏绍建(国家上海同步辐射中心.上海(201800))∥光电子·激光.—2001,12(12).—

简介：介绍了同步辐射心血管造影术、计算机断层扫描术、肺部支气管成像术、乳腺成像术、辐射治疗等医学活体诊断和治疗技术的原理、应用现状以及近年来国际上各同步辐射实验室医学应用的发展情况．

简介：利用微机扫描光栅光谱仪和溴钨灯进行黑体辐射实验研究，分析了黑体的辐射、传递、接收等的误差修正。验证了黑体辐射的基本规律。

简介：叙述了黑体辐射公式中几个重要结果维恩定律,瑞利-金斯公式和普朗克公式的建立过程,遵循普朗克的思路给出了普朗克公式的量子论解释。

简介：指出电磁辐射污染研究中存在一个辐射能量的积累问题。自制一种能够积累电磁辐射能量的测量装置。

简介：在对国内外HPM源辐射场测量系统进行分析的基础上,提出了一种HPM辐射场测量系统功率分配设计;基于X波段大功率微波源,对BJ-100高方向性定耦、SMA微波电缆和SMA同轴衰减器在相应功率水平下开展了功率容量实验研究,并进行了功率分配设计可行性验证;基于X波段RBWO,开展了功率分配设计在Gw级功率测量中的应用研究。实验结果表明,BJ-100高方向性定耦、SMA微波电缆和SMA同轴衰减器分别在300kW,1kW,400W工作正常,验证了HPM辐射场测量系统功率分配设计的合理性与可行性。

简介：极性分子可以等效为一个电偶极子。极性分子在转动过程中由于正负电荷作向心运动,即正负电荷均作加速运动,因此转动的电偶极子会产生辐射。所以转动极性分子的电磁辐射是电磁学及电磁场研究中的重要内容。基于振荡电偶极子的电磁辐射,把旋转电偶极子等效成二个正交放置振荡电偶极子。在振荡偶极子产生磁势矢与变化电偶极矩关系式的基础上,推导出匀速转动电偶极子辐射公式与转动角速度和电偶极矩间的关系式。

简介：给出了以任意速度运动的带电粒子辐射功率的严格表达式及做准周期运动时的辐射阻尼力公式，论证了在无外力作用时，有辐射行为的带电粒子不可能做速度和加速度能复原值的周期（或准周期）运动，得到了辐射粒子做直线运动时速度随时间的变化关系。

简介：研究了光纤受γ射线辐照的响应机制,计算了光纤对γ射线的吸收率、效应截面、Compton电子的能通量及角度分布;提出了瞬态辐射感生损耗的测量方法,设计了瞬态辐射感生损耗的实验测量系统.在平均光子能量为0.3MeV、剂量率为2.03×107Gy·s-1以及平均光子能量为1.0MeV、剂量率为5.32×109Gy·s-1的两种脉冲γ射线辐照条件下,获得了4种光纤瞬态辐射感生损耗与剂量的关系、永久性感生损耗的谱分布和折射率变化结果即:(1)脉冲γ射线对光纤的瞬态辐射感生损耗随探测波长在近红外到可见光范围内的减小而增大;(2)在相同辐照条件下,多模光纤的瞬态辐射感生损耗稍大于单模光纤;(3)辐射致光纤折射率变化;(4)在一定剂量范围内,多模光纤瞬态辐射感生损耗和剂量呈近似线性关系.研究表明:γ射线导致光纤基质原子产生新的色心和光纤折射率变化,色心对传输光子的共振吸收导致光纤吸收损耗增加,折射率变化导致光纤波导损耗增加,感生损耗是两种机制共同作用的结果.

简介：目前我所已经拥有6MeV高能工业CT集成检测系统、225kV显微CT系统和160kV显微CT系统，正在开展研制的还有9MeV高能工业CT系统、225kV纳米CT系统、450kV工业CT系统／牙科CT系统和管道焊缝数字化检测与评估系统。通过这些系统的开发，进一步提高我所的科研竞争力，拓宽我所的辐射成像市场。

简介：采用大面积半绝缘型GaN（semi—insultingGaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明，晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触，探测器在600V偏压下暗电流低于400pA，电荷收集效率高于40％，探测器脉冲响应时间在ns量级。

简介：在激光脉宽的时间尺度内，非平衡是激光靶耦合物理的重要特征。为了深入地研究激光靶耦合产生的等离子体状态以及辐射场的时空特性，考察“三温”模型的适用性，发展了新版的一维平板非平衡辐射流体力学程序RDMG，程序中用多群辐射输运方程描述辐射场的演化，增加了激光加源，在非平衡区求解非平衡电子占据概率方程，在线计算非平衡的辐射发射和吸收系数，其中平均原子模型可以考虑到角量子数层次。下面介绍一个典型的数值模拟结果，计算条件为强度1×10^14W／cm^2，波长0．35m，脉宽1ns的Gauss激光脉冲以与靶面垂直的方向由右向左辐照4m厚的平面Au靶。