简介：摘要：陡直度与很多因素有关，如介质的材料、光刻胶的种类以及工艺参数等。在本文中，实验环境固定在硅介质表面，采用罗门哈斯公司生产的 LC100A型光刻胶，在已有成熟工艺的基础上，实验采用分段显影方法、改善前烘条件以及加入 PEB烘干对提高陡直度的影响。对陡直度的评价采用显微镜定性观察，扫描电镜测量的方法。

简介：摘 要：此前，公司钝化层使用的光刻胶 AZ6130为进口光刻胶，采购周期长且成本较高。为了缩短采购周期同时降低成本，特考虑使用国产光刻胶 RZJ-306B替代该层次的进口光刻胶。本文从颗粒、 Spin curve、留膜率、膜厚均匀性与稳定性、曝光工艺窗口、线宽（ CD） &光刻胶形貌、缺陷、抗干法刻蚀能力及去胶能力等九个方面评估了国产光刻胶 RZJ-306B的各项性能，实验结果表明其单项工艺能力与原进口光刻胶 AZ6130相比可满足现有产品生产要求。同时，进一步实验表明，国产光刻胶 RZJ-306B可替代进口光刻胶 AZ6130应用于实际生产。钝化层光刻胶国产化使得该层光刻胶采购周期缩短了一半，生产成本降低了约 50%。

简介：

简介：摘要：近年来，随着社会建设的不断发展，在超快时间尺度上以二维空间分辨率揭示激光脉冲在光刻胶之间的运动过程，将有助于了解激光加工过程和优化加工工艺。然而现有记录激光脉冲在光刻胶中运动过程的成像技术都存在需要多次重复拍摄或时间分辨率受限等问题。为了克服这些问题，通过使用压缩超快摄影来观测光刻胶中激光脉冲的运动。实验结果表明，搭建的实验系统能以１．５４×１０１１ｆｐｓ的帧率，单次成像数百帧的图像序列深度，实时观测到这一不可重复的超快事件。

简介：摘要：随着芯片集成度的持续改进， UV全光谱技术已经被替换为更加精细的短波曝光，这使得光刻胶的分辨率大大提高，因此，为了满足更加精确、更加细致的要求，化学增强型光刻胶便随之诞生。“化学增幅”技术可以显著提升光刻胶的量子转换效率，并且具备更高的灵活性，从而可以应用于深紫外光谱和 UV光谱等领域。而用高性能树脂作光刻胶的成膜材料，则会对其性能产生很大的影响。本文深入探讨了化学增强型光刻胶材料的研究进展，希望能对相关研究做出参考性建议。

简介：摘要：光刻胶是光刻工艺的核心，是PCB印刷电路板、LCD液晶显示和半导体等各应用行业的上游材料，在电路板、液晶显示和半导体行业中有着广泛的应用；本文对高性能光刻胶用色浆的开发应用进行技术研究，通过盐研磨技术创新，实现技术工艺路线创新。

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简介：摘要：使用RE215L锥板粘度计对光刻胶样品的表观粘度进行了测试，通过分析转动时间，转速及扭矩等因素对光刻胶粘度的影响，验证了转速对粘度，扭矩对粘度之间存在一定的线性关系。并对光刻胶的粘度测试方法进行了探索，验证合适的扭矩对粘度的测量具有重要的意义，可为光刻胶粘度的测定及在基板上方涂布应用提供参考价值。

简介：摘要：使用RE215L锥板粘度计对光刻胶样品的表观粘度进行了测试，通过分析转动时间，转速及扭矩等因素对光刻胶粘度的影响，验证了转速对粘度，扭矩对粘度之间存在一定的线性关系。并对光刻胶的粘度测试方法进行了探索，验证合适的扭矩对粘度的测量具有重要的意义，可为光刻胶粘度的测定及在基板上方涂布应用提供参考价值。

简介：扫描光刻技术是目前实现大口径压缩光栅等位相元件制作的一种有效方案，该技术考虑到大尺寸加工的困难，采用先小尺寸加工，然后连续扫描扩大加工区域的方法，既能保证大尺寸加工和较高精度，又能降低设备制作成本和难度，具有明显的优越性。扫描光刻技术中需要发展超精密检测和超精密定位装置以保证移动光刻过程能够得到精密的控制，特别是10^-6级的相对精度的控制。图1显示了XY超精密平台的测量定位系统。

简介：

简介：1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

简介：随着电子产业的技术进步和发展，光割技术及其应用已经远远超出了传统意义上的范畴，CMOS光刻市场几乎包括和覆盖了所有微细图形的传递、微细图形的加工和微细图形的形成过程。因此，未来光刻。技术的发展也是多元化的，应用领域的不同会有所不同。

简介：光刻机集光学机械、微电子、计算机、自动控制和精密测量等高新技术于一体,是集成电路制造的关键设备。为维持光刻机正常作业,以企业损失最小为优化目标,对于光刻机常见故障按照设备功能单元逐步缩小排查范围,提出合理的预防措施和故障修复方法。

简介：摘 要：调制盘等小尺寸非直边形状光学零件表面的图形光刻，由于难以切割成独立的单个零件，目前多采用单片镀膜和光刻的形式来进行表面图形的加工。为了提升生产效率，保证产品质量，针对各环节相关因素，进行大量试验，确定了最佳的工艺条件，改进了工艺方法。

简介：UNINWELL国际作为世界高端电子胶粘剂的领导品牌。公司开发的导电银胶、导电银浆、贴片胶、底部填充胶、TUFFY胶、LCM密封胶、UV胶、太阳能电池组件密封胶八大系列光电胶粘剂具有最高的产品性价比，

简介：通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究，获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm，深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构，表明该光束线适用于LIGA技术的研究。

简介：光刻胶剖面形貌和关键尺寸（CD）是光刻工艺的关键参数，而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响，尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶SwingCurve曲线研究了光刻胶跨越高台阶对成像的影响，分析了造成光刻胶剖面和关键尺寸变化的主要原因。一是台阶处衬底的反射影响了光刻胶剖面形貌；二是高台阶处光刻胶厚度比正常厚度变薄导致光刻曝光条件不适用于高台阶处光刻胶。最后通过优化胶厚及增加底部抗反射层有效解决CD差异和改善光刻胶形貌。

简介：Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，器件和制程又可与SL工艺兼容，采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管（HeterojunctionBipolarTransistor，HBT），其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平，而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索，在总结大量数据的基础上，验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时，文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。