简介：利用磁控溅射法在不同条件下制备了玻璃基TiO2薄膜样品,分别研究了衬底温度、工作气压、氧氩比等对TiO2薄膜亲水性的影响,得到最佳工艺参数,并对此参数下薄膜的亲水性、均匀性、晶相等进行了表征。

简介：目的以粉末冶金烧成的羟基磷灰石（HA）／[3．磷酸三钙（β-TCP）陶瓷为靶材，采用磁控溅射法在钛合金（Ti6A14V）基体上制备HA／β-TCP生物涂层。方法利用XRD研究了复合涂层的晶化程度，讨论了涂层成分与生物降解性及相容性的关系。结果HA／β-TCP生物涂层为非晶态，经700℃，3h大气处理可显著提高涂层的晶化程度，当涂层成分为50wt％HA／50wt％β-TCP时其细胞相容性最好。结论在钛合金基体上制备HA／β-TCP生物涂层，通过HA与β-TCP的复合来控制材料的降解速度，使它的降解速度与周围骨组织的生长速度相匹配，使植入体具有良好的生物降解性、生物活性和力学性能。

简介：采用射频磁控溅射法在医用钛表面制备羟基磷灰石（HA）涂层，研究HA涂层的形貌、物相、力学性能、细胞相容性和在机体内的组织相容性，分析其在骨修复中应用的可能性。结果表明：射频磁控溅射法制备的钛基HA生物涂层呈粗糙岛屿状结构，HA平均粒径为（40？2）nm、厚度为1.0~1.6μm的涂层力学性能最好，其纳米硬度高于11GPa，弹性模量大于136GPa；HA涂层可促进成骨细胞增殖，成骨细胞粘附于HA涂层表面并形成伪足铺展生长；植入实验动物体内4周后材料表面被结缔组织覆盖，血管形成；植入12周后，骨小梁形成，其内部可见破骨细胞；植入12周后与植入前相比，涂层的结合强度未发生显著变化。说明该HA涂层具有较高的成骨活性和稳定性，在骨修复方面具有良好的应用前景。

简介：介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。

简介：以Sn为原料，采用磁控溅射及热蒸发法制得SnO2纳米线，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、能量弥散X射线谱（EDS）、傅氏转换红外线光谱分析（FTIR）、拉曼光谱分析（Raman）等测试手段对纳米结构进行表征，结果表明，合成的二氧化锡纳米结构具有金红石结构，二氧化锡纳米材料的生长机制遵循气一液一固生长机制，生长过程中的温度和退火时间对二氧化锡纳米结构的形貌起着极其重要的作用，可以通过这些因素对二氧化锡纳米材料实行可控生长。

简介：在不同的溅射功率和溅射时间下，使用磁控溅射设备制备了系列薄膜Si／Fe（P1W，T1s）和Si/[Fe（P2W，T2s）／NiO（P3w，T3s）]10。利用小角X射线衍射测量了样品的衍射强度分布，并分别计算出了Fe和NiO在不同溅射功率下的沉积速率。实验结果表明，在测量范围内沉积速率与溅射功率之间存在线性关系。

简介：摘要本文基于磁控溅射的磁场分布水平和磁场强度在镀膜性能与质量上影响与价值分析，结合磁控靶材的结构及其磁场的计算方法和步骤的探讨，以及利用ANSYS软件对磁控溅射靶磁场的分布及其相关参数作二维的模拟与分析，对影响磁控溅射磁场分布和磁场强度的主要素和作用机制作详细的分析，以为优化磁控溅射靶的设计，达到正常溅射工作对靶材表面磁场分布及大小的要求提供借鉴与参考。

简介：用直流磁控溅射技术在室温下制备了厚度为108和215nmAu膜。利用常规CBD扫描模式对Au膜微结构进行分析。XRD分析表明Au膜在平行于基片表面沿〈111〉方向择优生长;薄膜的晶格常数与金粉末的晶格常数（a=4.0862F）一致,晶粒尺寸随膜厚变化不明显。

简介：摘要：封装测试是半导体产业的重要环节。与全球市场稳步增长相比，中国半导体封测市场以 20%的年复合增长率遥遥领先，其中专业代工占国内一半以上市场份额。 2017-2020年中国大陆新建晶圆厂将超过 20个，连同邻近的封测厂，成为全球半导体产业新增产能的核心区域。中国半导体封测产业将走向美好的春天。溅射工艺是半导体封装的重要环节之一，如房屋的地基，及其工艺性能测试安要求，进行需求测试，从而做半导体芯片功能性工艺测试设备应用技术的研究。

简介：摘要：通过对 阴极溅射靶、镀膜室以及真空系统分子泵等的设计理念进行概述，并针对某一种多靶磁控溅射镀膜设备进行了分析和研究。 通过对该设备进行镀膜工艺的处理，以此来判定镀膜设备是否符合工艺要求 [1]。

简介：摘要：我们常见的镀膜方法有物理气相沉积镀膜（简称PVD）和化学气相沉积镀膜（简称VCD）。物理气相沉积镀膜主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜、真空离子镀膜。本文介绍的镂空镀膜涉及的镀膜方法是真空溅射镀膜。真空溅射镀膜技术是目前大批量镀膜玻璃生产中最主要的技术之一，它具有膜层厚度均匀、基片温度低、沉积速度快等一系列优点。镂空镀膜与传统追求的膜层均匀完整有所区别，简而言之，镂空镀膜就是采用不同的方法使完整的膜层表现出镂空图案效果。

简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：运用SRIM2006软件对靶材的溅射进行了模拟,计算了各种情况下离子入射靶材能量损失和射程分布,分析其内部碰撞机理,得到了入射离子能量损失和射程分布随离子能量得变化规律：低能离子溅射能量损失以核阻止为主,高能离子溅射能量损失以电子阻止为主;载能离子的能量损失及射程与入射离子和靶原子有关;对于低能离子溅射靶材,入射离子主要分布在靶材表面几层原子内。

简介：介绍了磁控阴极溅射系统的工作原理和故障维修。

简介：

简介：为保证制造精度,对机械加工后的聚氨酯泡沫塑料制件,采取镀前表面封闭处理、刮涂腻子、喷涂底漆和磁控溅射镀不锈钢的工艺路线;井对过程中主要工艺参数控制特别是铰膜的温度控制作了详细的研究。

简介：1知识与方法定义1设X和Y是两个集合(二者可以相同),如果对于每个x∈X,都有惟一确定的y∈Y与之对应,则称这个对应关系为X到Y的映射,记为f∶X→Y.这时y＝f(x)∈Y称为x∈X的像,而x称为y的原像.

简介：

简介：[摘要]全自动磁控溅射的镀膜设备，属于单靶单腔，不但能够将以往传统磁控溅射的镀膜设备所潜在靶间污染相关问题有效处理好，且以高真空的机械手实施传送片作业，工艺腔室当中真空破坏得以减少，可实现高效化地生产作业，工作效率总体提升显著。故本文主要探讨全自动磁控溅射的镀膜设备与其工艺，仅供业内参考。

简介：摘要采用X射线衍射分析(XRD)测试分析了多晶ZnO薄膜的晶格结构和力学性能。薄膜的制备采用了射频(RF)磁控溅射方法,并分别在不同温度下进行了退火处理。XRD分析显示随着退火温度的上升,薄膜的晶粒尺寸逐步增大,且C轴取向显著增强。测试结果表明适当的退火处理对ZnO薄膜的结晶品质有明显的改善。