简介:摘 要:目的:通过研究与分析BOPET基镀铝薄膜表面高压静电场中吸附能力,从而找到可以增强高压静电并提取灰尘足迹能力的方法。方法:运用高压静电提取仪将高压静电场施加到BOPET基镀铝薄膜表面,同时也要注意镀铝薄膜与电极距离的控制,然后运用粒径不相同的SiO2颗粒来验证薄膜在高压静电场中的吸附能力。然后通过现代科学仪器,如电子显微镜、光学显微镜、XRD分析技术来分析研究镀铝薄膜的整体结构,同时也研究分析了镀铝薄膜在高压电场的环境中是怎么样提高吸附能力以及引起增强的因素进行分别讨论。结果:经过实验研究发现,BOPET镀铝薄膜在静电场中会向下紧压物体,然后压紧力和薄膜静电的吸附能力都会因为电极与镀铝薄膜表面之间的距离,通过高压静电随之变化。在实验研究中不难看出,镀铝薄膜的吸附能力是和颗粒息息相关的,在研究中,随着颗粒载电量的加大,也会增强薄膜表面的吸附能力。而薄膜与电极之间的距离减小可以使薄膜周围电厂的强度增大,这也是增强薄膜表面吸附能力的重要方法。结论:在静电场中,BOPET基镀铝薄膜的吸附能力与颗粒电荷量与形状有明显关系,颗粒电荷量大则BOPET基镀铝薄膜吸附能力大,薄膜与电极距离增加,则减低电场强度,同时减小颗粒电荷量,铝薄膜的吸附增重率也会迅速下降。
简介:摘要 本文对张应变的 Si基外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性以及 NiGe与外延 Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试结果,表明张应变外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性比 N型 c-Ge上 NiGe薄膜的热稳定性提高了 100oC,可能的原因是 NiGe薄膜与张应变的外延 Ge之间的晶格失配较小, NiGe薄膜所受到的应力较小。 I-V测试结果表明 NiGe与外延 Ge接触反向漏电流较大,器件整流比较小,势垒高度比 NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此,要使 NiGe更好的应用于外延 Ge基的肖特基势垒源漏的 MOSFET中,还需要进一步提高外延 Ge质量。
简介:本文介绍Si3N4(代替部分金刚石浓度)配合铁基(以Fe代Co)结合剂氮化金刚石薄膜涂层节块,可大大降低成本,该节块性能良好,有较高使用效果及经济效益。
简介:摘要目的研究薄膜过滤反注培养基法在抑菌药品微生物限度检查过程,分析其方法实施的可行性。方法采用活菌培养计数,倾注法回收率按100%计,比较反注法与贴膜法的差异。结果金黄色葡萄球菌反注法回收率为95.23%,贴膜法回收率为95.01%,两种方法差异无统计学意义(P>0.05);大肠杆菌回收率分别为95.66%和95.01%,两种方法差异无统计学意义(P>0.05);白色念珠菌回收率分别为91.95%和93.50%,两种方法差异无统计学意义(P>0.05)。结论对标准菌株培养计数回收率进行检验,发现反注法与贴膜法比较差异无统计学意义,但反注法能简化实验操作,减少操作污染,值得在实践检查过程中应用。