简介:
简介:测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO-1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。
简介:回顾了破前漏(LBB)的发展历史,并分析了LBB在中国的应用前景.分析了关于材料断裂韧性不同的表达方法和测量方法.根据不同国家的实践,分析了LBB对材料性能的要求.
简介:冲击韧性Cv值是核级设备材料的一项很重要的指标,也是核电材料与常规材料的重要差别之一。本文汇集了各安全等级的设备材料的C值要求,可供核电设备设计、评审时应用。
简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出的电子产额随X-射线能量的变化,提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明,在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立,有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。
简介:采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构,其结果表明,二氧化钛与二氧化硅复合后,钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位,不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同,说明经过复合后二氧化钛结构发生改变,并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。
简介:LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明,由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于(001)面的亚晶界,这可能和其沿[001]方向的极性有关。
简介:为选择适宜的核安全设备材料断裂韧性试验标准,文章对比分析了美国材料试验协会标准ASTME1820-15a和中国国家标准GB/T21143-2014的主要差异。总体上来说,两者在试验设备、试样尺寸以及试验步骤等方面相差不大,但在结果分析上有较大差异,ASTME1820-15a对结果有效性判定更有利。
简介:小角X射线散射(SAXS)是一种有效的、重要的亚微结构分析手段。本文介绍了SAXS的基本原理、实验方法和数据处理方法尤其是对于非理想两相体系的解析方法及其在溶胶-凝胶法制备多孔材料研究中的应用。
简介:由于秤重在核材料衡算中的大量应用,如何求取秤重的随机误差方差与秤量的系统误差方差是解决核材料闭合衡算的一个重要方面。本文循序渐进讲述如何求取这两类误差的方法及步骤,以期对核材料衡算工作有一定的借鉴。
简介:本文依据ASME.BPV规范,对新材料批准的方针、新材料申请的力学性能及其他性能要求、新材料申请和批准的流程、认可的国家或机构要求及新材料批准的规范案例等方面要求进行了说明和论述,同时对我国材料制造业普遍关心的ASME-BPV规范的核电材料制造取证也进行了简要阐述。
简介:用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。
用全电子产额技术测量薄膜材料的XAFS谱
C60单晶电子结构的同步辐射光电子谱研究
LBB对材料性能的要求
核电厂核岛机械设备材料标准的现状及对材料标准的需求(下)
核电材料C_V值的要求
测量XAFS谱的全电子产额技术
北京慢正电子强束流系统
用成像板探测正电子实验
流程性材料质量成本管理研究(中)
钛硅复合氧化物材料的XAFS研究
纳米材料的制备及微结构的EXAFS研究
GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷
金属材料断裂韧性试验标准对比分析
测量Υ射线和电子吸收剂量的量热计
^22Na低能单色正电子束流装置
SAXS在溶胶—凝胶法制备多孔材料研究中的应用
关于核材料衡算中秤重误差方差的求取
ASME锅炉及压力容器规范新材料的批准要求
北京同步辐射装置—北京正负电子对撞机概况
钙钛矿型氧化物薄膜电子结构的XPS研究