简介：按照GB/T6739.6规定,采用F检验法比较了5种铜磁铁矿中铜含量分析方法的精密度,得出了5种分析方法精密度显著性差异情况,给出了选择分析方法的原则。

简介：为进一步研究激光防护材料的表面特性,提高激光测量设备的防护能力,对铝和铜材料粗糙表面的双向反射分布函数(BRDF)进行了研究。通过分析不同入射角度、不同表面粗糙度对铝和铜材料粗糙表面BRDF的影响,可得到,铝和铜材料粗糙表面的BRDF分布具有明显的镜反射特征,且入射平面内的BRDF峰值随入射角度增加而增大。在波长为1064nm激光辐照下对铝和铜粗糙表面的BRDF进行了实验测试。结果表明,相同粗糙度下,铜表面的BRDF镜反射方向峰值高于铝表面的。当表面粗糙度较大时,光子在粗糙表面内会经历多次散射,粗糙表面内多次散射光子数占所有散射光子数的比例随着表面粗糙度的增大而增加。

简介：TQ171.68497010634超精密光学抛光研究的进展及其发展趋势=Developmentandfeatureofultraprecisionopticalpolishing[刊,中]/滕霖,任敬心(西北工业大学.陕西,西安(710072))∥航空精密制造技术.—1996,32(3).—5—9综述了对精密光学抛光影响精度和质量的因素,对重要因素目前的研究进展进行了分析;介绍了新型

简介：O72395021325磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤=SurfacedamageofHgCdTewafersinlappingandpolishing[刊,中]/姚英,蔡毅,欧明娣,梁宏林,朱惜辰(昆明物理所.云南,昆明(650223))//红外技术.—1994,16(5).—15—20用X射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Te溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的

简介：

简介：高功率固体激光装置对KDP晶体光学元件的基本要求是大口径、高精度面形质量、高激光损伤阈值、良好的表面粗糙度。但是KDP晶体本身具有质软、易潮解、脆性高、对温度变化敏感、易开裂等一系列不利于光学加工的特点，传统的研磨抛光法不适于加工高精度的大口径KDP元件。国外加工此类元件已广泛采用先进的单点金刚石车削技术（简称SPDT）。采用SPDT技术加工KDP晶体元件，主要存在3个方面的加工误差，即晶体的面形误差、表面粗糙度（包括表面疵病）以及小尺度波纹等。

简介：TN30597010636大规模集成电路刻蚀过程和终点的在线监测-等离子发射光谱法=Insitumonitoringetchprocessandend-pointforLSIbytheplasmaemis-

简介：TN30595021329相移掩模的计算机模拟方法研究[学,中]/沈锋;中科院光电技术研究所.—62页.—1994.6研究了亚微米微细光刻技术的一个热门领域—相移掩模提高分辨率.从Hopkins理论出发,导出了一般情况下的二维物体的部分相干成像的简化强度

简介：针对离轴TMA结构空间相机中使用的两块离轴非球面反射镜的加工过程,提出了一种新型的矩形轴非球面的最接近球面半径的求解及其优化方法,并且开发了基于计算机虚拟加工技术的CC()S工艺参数计算方法。被加工工件分别为165mm义100mm的矩形凸面

简介：本工作主要包括KDP晶体单点金刚石车削加工和是非球面透镜数控抛光技术。

简介：工件如图1所示，材料为1Crl8Ni9Ti，焊接结构件。加工的主要难点是工件内孔深且为盲孔，内孔底部为球面，几何精度要求高，薄壁，刚性差，容易引起变形。

简介：建立了掺杂硒碳糊电极同时测定铜和铋的微分电位溶出法。在HCl（0．05mol／L）中，在-0．3V（vs．Ag／AgCl）下，Cu2＋和Bi3＋电沉积在电极表面，再在溶液中溶解氧的作用下，铜和铋从电极表面溶出，分别于0．30V和0．02V获得灵敏的电位溶出峰。微分电位溶出峰高（dr／dE）与铜和铋的浓度成线性关系，线性范围为5．0×10-9～1．55×10-7mol／L，检出限分别为4．0×10-9和2．5×10-9mol／L（S／N=3）。方法用于实际样品中铜和铋的测定，结果令人满意。

简介：建立了火焰原子吸收光谱法测定废杂铜中银量的新方法，研究了在盐酸介质或氨水介质中测定银的条件，并对两种介质中测定的结果与行业标准分析方法的结果进行比对。研究表明，盐酸（15％）介质适用于废杂铜中Ag≤1300g／t的样品测定，氨水（10％）介质适用于废杂铜中Ag≥500g／t的样品测定，火焰原子吸收光谱法测得结果与标准分析方法测得的结果吻合。方法已应用于废杂铜中银量的测定，结果满意。

简介：论述了离子束曝光技术的原理、特点,分析了其面临的关键技术问题,如掩模技术、离子源技术、图像对准技术等,并介绍了这些年来国外的一些研究机构及公司在离子束曝光技术上的研究进展及

简介：TN305.72002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximitycorrectionforimprovingpatternqualityinsubmicronphotolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.72002032299光刻技术在微细加工中的应用=Applicationoflithographytechnologytomicroelectronicmanufacturing[刊,中]/刘建海(上海先进半导体制造有限

简介：研究了石墨颗粒对混杂增强铜基复合材料摩擦磨损特性的影响。结果表明,石墨颗粒的加入同时降低了复合材料和配偶件的磨损率,有利于摩擦副系统整体寿命的提高。石墨颗粒赋予了复合材料优良的减摩特性,使滑动摩擦过程更加平稳。混杂增强铜基复合材料磨损表面形成的富石墨的MML层是导致摩擦系数降低和摩擦副系统耐磨性提高的主要原因,而SiC颗粒的承载作用则有利于石墨固体润滑作用的发挥。

简介：采用氢氟酸-硝酸分解试样，用高氯酸蒸发至冒烟除去硅；在硝酸介质（5％）中，采用火焰原子吸收光谱法于324．8nm波长处测定工业硅中铜含量。方法能有效地消除硅的干扰，测量结果相对标准偏差在5％以内，加标回收率在99．0％-102％。方法具有操作简便、快速、容易掌握、成本低的优点。

简介：建立了火焰原子吸收光谱法测定铜原矿尾矿中锰的分析方法。实验以盐酸为介质,讨论了介质浓度和共存离子对测定结果的影响。方法的相对标准偏差为0.69%-6.9%,加标回收率96.6%-104%,方法的检出限为0.0085μg/mL。结果表明,采用火焰原子吸收光谱法测定铜原矿尾矿中的锰含量,方法准确度高,精密度好,具有较强的实用性。经标准物质验证,结果能满足日常检测的需求。

简介：采用盐酸、氖氟酸、硝酸、高氯酸分步溶解的方式对具有硅、铁含量高等特性的铜原矿尾矿样品进行溶解。在体积分数为5％的盐酸介质中，利用原子吸收光谱法，采用扣除背景方式对样品溶液进行测定。样品溶解较完全，共存元素对镉的测定基本无干扰。方法重现性较好，准确度较高。相对标准偏差在2．3％～8．3％，加标回收率在96．7％～105％，标准样品分析结果与标准值基本一致。能满足日常分析检测的需要。

简介：利用火花源直读光谱对阳极铜进行直接快速分析，通过改进原分析程序，增加了氧元素分析通道。可快速准确测定阳礼极铜中19种杂质元素，并计算出主铜含量，RSD为0．01％～4．00％，满足了生产控制要求，已应用于阳极铜的日常检测工作中。