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  • 简介:三氯氢硅(SiHCl3)作为硅外延片的关键原材料,其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种,除采用化学分析方法测试外,通常用生长不掺杂外延层(本征外延层)的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻的主要因素为系统的自掺杂,增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂,但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据,确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程,从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

  • 标签: 三氯氢硅 纯度 本征电阻率
  • 简介:功控电路又称自动功率控制电路(APC),以克服移动通讯中远端对近端的干扰。它和功放单元密不可分,根据功放输出大小自动调节电路增益,形成功率放大控制环路,其基本控制结构包括取样、整流、滤波、比较器等元件。在日常维修中笔者发现,在不更换射频IC、功控集成块的前提下,通过对取样电阻、功控电阻阻值的代换,可对发射关机、发射难等常见故障进行应急维修。下面具体分析这种应急代换维修,希望与广大维修爱好者共同交流。

  • 标签: 取样电阻 维修方法 功率控制电路 移动通讯 电路增益 自动调节
  • 简介:低温共烧陶瓷(LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC)技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

  • 标签: LTCC 内埋电阻 印刷工艺 精度
  • 简介:目前市场上越来越多的客户要求进行低电阻高绝缘的电子测试,这类PCB中,部分PCB线路不单是导线同时还是信号线,线路的阻值变化会造成信号的延滞和衰减,引发功能性问题。本文主要介绍了孔电阻的测试原理,通过对影响孔阻值变化的因素进行分析验证,并逐个分析论证,最终定位问题根源之所在。

  • 标签: 孔电阻 镀铜 减成法
  • 简介:文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

  • 标签: 多晶电阻 离子注入 多晶淀积 方块电阻和均匀性
  • 简介:提出一种新的IGBT闭环变电阻驱动策略来增强开环变电阻策略的实用性,并改善开通/关断特性。该策略通过检测IGBT集电极电流变化(di/dt)与电压变化(dv/dt),对正常开通/关断过程中门极电阻的切换进行闭环控制,在保证IGBT安全工作、防止产生较大电磁干扰的前提下,加快IGBT开关速度并减小开关损耗。最后通过仿真验证了该策略的可行性。

  • 标签: IGBT 闭环控制 变电阻 DI/DT dv/dt
  • 简介:首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。

  • 标签: 多晶电阻 晶粒 淀积速率 四探针法测试电阻
  • 简介:在模拟电路的设计中,经常会用到一种特殊的夹层电阻,但是关于该电阻的相关介绍较少。文章提出了一种夹层电阻的结构,对其原理进行了详细的分析,在此基础上,利用该夹层电阻,设计了一款支持宽工作电压范围的振荡器。最后,又对该振荡器进行优化改进,使其能适应3~30V的宽工作电压,并且在5.5~30V范围内保持输出频率不变,进一步阐述了该夹层电阻的原理和特性。

  • 标签: 夹层电阻 MOS管 JFET管
  • 简介:文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性.

  • 标签: 高压N阱电阻 SPICE模型 结型栅场效应管JFET
  • 简介:随着PCB功能化和高性能化发展,高频高速PCB、高散热PCB、埋阻埋容PCB等高端精细产品已经逐步被业界所熟知,PCB的发展呈现出多样化,为此,本文阐述了通过在PCB上设计并控制精准的线宽与铜厚公差,来实现既定布线长度精准电阻的控制。

  • 标签: 电阻 表面处理 铜厚 线宽
  • 简介:IMS公司推出的新款系列局部缠绕端接电阻提供了外露型焊接片,是推进倒装贴片端接节点的可视化检测而设计的。

  • 标签: 可视化 IMS 电阻 检测 推出 端接
  • 简介:尽管导电碳油网印技术并非当前最优埋电阻板的制作方案,但适当的流程优化也能提升导电碳油板的电阻值精度和良,使得它依然能够满足埋阻电子产品的功能要求。

  • 标签: 导电碳油墨 网印 方阻
  • 简介:本文论述了氧化锌压敏电阻器的性能、应用及发展,提出了氧化镜压敏电阻器选用原则,简述了表面安装型氧化锌压敏电阻器的优点和发展趋势。

  • 标签: 氧化锌 压敏电阻器 表面安装 性能
  • 简介:目前大多数工业用交流电机是采用接触器控制的绕线式异步电动机转子回路串分级电阻开环调速系统。这种调速方法存在着严重的缺点,主要有低速时机械特性较软,静差较大,调速范围受到限制。本文介绍的转子电阻斩波调速是在转子回路串一个固定电阻与一个斩波器并联构成。通过对固定阻值进行斩波控制,实现对固定电阻的无级调节,从而实现电机转子的无级调节。该系统易于实现闭环控制、控制精度高、平稳性好、装置体积小,投资少,因而在对传统的起重机拖动系统进行改造时是一种较好的方案。

  • 标签: 转子电阻斩波 仿真研究 闭环控制 分级电阻
  • 简介:埋嵌平面电阻印制板是一种通过将具有平面型电阻材料埋置到印制线路板中,从而使印制线路板同时具有连接各元器件和普通分立电阻元器件才有的电阻功能。而如何控制埋嵌平面电阻阻值的大小以符合设计要求,是制造过程中核心技术。从原理、设计计算、制程控制各方面来全面分析埋嵌平面电阻阻值的控制方法,以供业界分享。

  • 标签: 埋嵌平面电阻 印制板 阻值
  • 简介:本文介绍了一种新型的厚膜片式NTC产品,它在制造过程中应用了很多厚膜片式电阻器的工艺方法、材料、设备等,包括引出电极、保护层等图形的成型。产品使用了一种夹层式、紧凑的结构。这种制造方法效率高,而且产品质量稳定,在使用上有许多突出的特点,是一种具有创新性的产品。在文中重点说明了该产品的结构及其制备方法,并在产品的突出特点方面作了简单的对比说明。

  • 标签: 厚膜 NTC 研制 性能