简介：低温与超导情报网成立于1987年，是低温与超导界科技和情报工作者的全国性学术交流组织，隶属于国防科技情报网站联合会，其上级主管部门为电子部1所。中国电子科技集团公司第16研究所是全国惟一从事低温和超导专业研究的研究所，被推举为情报网的网长单位和挂靠单位。17年来，网员单位已经发展到80多家，已成功举办了六届全网学术交流

简介：低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术，文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述，主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题，同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。

简介：使用本院CAT研究室开发的混合信号边界扫描测试系统对KLIC实验芯片进行简单互连、扩展互连测试和CLUSTER测试。通过对测试结果的分析表明，IEEE1149.4测试总线在这些测试中是非常成功的，同时指出其局限性。

简介：随着集成电路加工工艺技术的继续发展,在单个芯片上实现整个复杂电子系统已成为可能.这样的系统通常包括数字信号和模拟信号处理.在设计早期仿真这样的IC设计来发现错误已显得非常必要.本文将回顾仿真混合信号集成电路所用的技术和方法,比较它们的优缺点,指出它们的适用范围,最后展望混合信号仿真技术的发展方向.

简介：重庆优玛科学仪器有限公司近日推出D系列迷你型低温湿热箱，该系列产品的推出解决了国内同技术指标下的产品体积太大的问题。这款产品是针对现代化的实验室而专门研发的桌上迷你型，是结合现代试验室的特点（学术氛围重，科技水平高，实验室较紧凑，常有参观），并透过美学、人体工程学，同时采用计算机仿真技术设计的现代化科技产品。

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简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

简介：采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5～74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.

简介：共沸混合物在溶剂清洗剂中有着广泛的应用,文章介绍了有关的物理化学原理,以期使读者对共沸混合物的性能特点以及配制的方法有较深入的了解.

简介：1、技术标准对比目前，中国的3G通讯网络即将进入商用化应用阶段，对技术标准的取舍选择也成为移动运营商需要仔细考虑的问题。

简介：2003年，中国信产部组织各大运营商进行了3G外场测试，从国内3G测试的第二阶段测试结果来看，WCDMA和CDMA2000明显比TD-SCDMA高出一筹。当TD-SCDMA还处于无商用终端可用，无商用网可承载的时候，而WCDMA和CDMA2000的商用网已经在欧洲和韩国等地运营了很长时间，谁也无法否认TD-SCDMA还处于相对落后的状态。在这种情况下，WCDMA与TD-SCDMA混合组网的方案被提出来，

简介：当选择测试设备和测试策略时，很难说找到一种正确的方法，但可以找到一种最经济高效的方法。

简介：1．技术标准对比目前，中国的3G通讯网络即将进入商用化应用阶段，对技术标准的取舍选择也成为移动运营商需要仔细考虑的问题。

简介：本文提出了一种新型并联混合型有源滤波器的拓扑，新型拓扑通并联谐振抑制流过无源网络的基波无功电流，减小了有源滤波器承担的基波电流。同时在此拓扑基础上讨论了它的控制策略，在此控制策略下，有源滤波器不承担基波电矿井，且只承担很小的基波电流，因此有源滤波器的容量达到了最小，本文分析了并联谐振对无源网络阻抗的影响，并对此分析了控制策略在传统拓扑和新型拓扑下对有源滤波器容量的影响，最后通过仿真证明了结论的正确性。

简介：介绍VT7012S2型高低温冲击箱不制冷故障现象、原理、检测、故障分析及其排除措施。

简介：如何提高大型有线电视系统HFC混合网的传输质量,进一步改善维护管理和规划设计水平是每个CATV系统急待解决的问题,本文主要围绕提高和改善传输质量这个中心,浅谈规划发展改造更新和维护管理工作。

简介：本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。1.数模混合电路(MS-MixedSignal)和射频电路(RF-RadioFrequency)中的主动元件和被动元件。数模混合电路和射频电路中的CMOS电路必须与logic电路相兼容。其主动元件或称有源元件(ActiveDevices)主

简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：介绍厚膜混合集成电路的制造工艺,特点以及它在几种电子产品中的应用