简介：

简介：Geepilayersofdifferentthicknessesaregrownbymolecular-beamepitaxywithSbasasurfactantonSI(100)substrates,X-raydiffractionillustratesthattheseGethinfilmsarepartiallystrained.andthestrainsdecreasegraduallywithincreasingepilayerthickness,RamanspectrarevealadownwardshiftoftheGe-Gemodepeakastheepilayerthicknessincreases.Intheregionsofhighstrain,therelationshipbetweentheRamanshiftofthismodeandthestraininthepartiallyrelaxedsamplesisconsiderablydifferentfromthelinearrelationshipreportedbefore,whichismainlyattributedtothespatialconfinementeffectofphononsinananocrystal.

简介：TheballmillingofFe-24MnandFe-24Mn-6Simixedpowdershasbeenperformedbythehighenergyballmillingtechnique.ByemployingX-raydiffractionandMoessbauermeasurements.Theccmpositionevolutionduringthemillingprocesshasbeeninvestigated.TheresultsindicatetheformationofparamagneticFe-MnorFe-Mn-Sialloyswithametastablefccphaseasfinalproducts.whichimplythattheFeandMnproceedaco-diffusionmeenanismthroughthesurfaceoffragmentedpowders.Thethermalstabilityandcompositionevolutionoftheas-milledalloyswerediscussedcomparingwiththebulkalloy,.

简介：

简介：

简介：Amorphoussilicon(a-Si),nanocrystallinesilicon(nc-Si)andhydrogenatednanocrys-tallinesilicon(nc-Si:H)filmswerefabricatedbyusingchemicalvapordeposition(CVD)system.Thea-Siandnc-Sithinfilmswereirradiatedwith94MeVXe-ionsatfluencesof1.0×1011ions/cm-2,1.0×1012ions/cm-2and1.0×1013ions/cm-2atroomtemperature(RT).Thenc-Si:Hfilmswereirradiatedwith9MeVXe-ionsat1.0×1012Xe/cm-2,1.0×1013Xe/cm-2and1.0×1014Xe/cm-2atRT.Forcomparison,mono-crystallinesilicon(c-Si)sampleswerealsoirradiatedatRTwith94MeVXe-ions.AllsampleswereanalyzedbyusinganUV/VIS/NIRspectrometerandanX-raypowderdiffractometer.Variationsoftheopticalband-gap(Eg)andgrainsize(D)versustheirradiationfluencewereinvestigatedsystematically.Theobtainedresultsshowedthattheopticalband-gapsandgrainsizeofthethinfilmschangeddramaticallywhereasnoobservablechangewasfoundinc-SisamplesafterXe-ionirradiation.Possiblemechanismunderlyingthemodificationofsiliconthinfilmswasbrieflydiscussed.

简介：TherearetwotpyesofphasetransformationsinFe-MnandFe-Mn-Sialloyswhenthetemperatureisdecreased,γ(fcc)→ε(hcp)martensitictransformation(MT)andparamagnetic-antiferromagnetictransition(AMT)ofγphase.Fromthethermodynamicpointofview,theformerusuallyappearsinaslightlyhighertemperaturerangethanthelatterbecauseifisgenerallyacceptedthatthemagnetictansitionhasasuppressingeffectonthethermallyinducedεmartensite(Satoetal.,1984.,BogachevandZvigintzeva,1976;Murakamietal.,1987:Yangetal.,1992)GartsteinandRobinkin(1979)eventhoughtthattheγ-εtransformationshouldbeterminatedbelowNeeltemperature(TN)duetothedecreaseoffreeenergyarisingfromtheAMTofγphase.However,someexperimentalresultshaeindicatedtheformationofεphasebelowT(LiandWayman,1994:Fujimori.1966).Inthepresentwert.thebehavorofγ-εtransformationbelowTNwasfurtherinvestigatedbyclectricalresistancemeasurements.

简介：MoleculardynamicssimulationsareperformedtoinvestigateCF3continuouslybom-bardingtheamorphoussiliconsurfacewithenergiesof10eV,50eV,100eVand150eVatnormalincidenceandroomtemperature.TheimprovedTersoff-Brennerpotentialswereused.Thesimu-lationresultsshowthatthesteady-stateetchingratesareabout0.019,0.085and0.1701for50eV,100eVand150eV,respectively.Withincreasingincidentenergy,atransitionfromC-richsurfacetoF-richsurfaceisobserved.IntheregionmodifiedbyCF3,SiFandCFspeciesaredominant.

简介：

简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

简介：利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

简介：低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。

简介：

简介：本文用EXAFS对三种钴基合成柴油催化剂进行了表征，结果表明Co-Zr共沉淀催化剂与Co/Zr浸渍型催化剂钴物相主要为Co3O4,Co-Zr-Si混合沉淀型催化剂钴物相主要为Co2SiO4，共沉淀催化剂钴的配位数明显降低，钴锆相互分散好，接触界面大，因而反应活性高，重质烃选择性高，而混合沉淀型催化剂Co2SiO4物相在预处理条件下难以还原，所以反应活性低，重质烃选择性较差。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

简介：考察了锆助剂含量对钴基催化剂的结构及费－托合成反应性能的影响。结果表明，随着锆含量的增加，甲烷的生成受到抑制，重质烃选择性提高，重质烃合成的操作温度区间加宽，且催化剂仍保持较高的活性。TPR，H2－TPD，XRD及EXAFS等表征结果表明，锆助剂单层分散与硅胶表面，而钴以一定尺寸的聚集态存在；随着锆含量的增加，锆覆盖的硅胶表面增加，裸露的硅胶表面减小，而钴的分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大，钴硅界面减小，有利于重质烃的生成。另外，H2－TPD结果还表明，催化剂存在有从钴到锆硅载体的氢溢流。

简介：通过NH4NO3溶液处理商业硅胶，制备了一种新的担载型Co/SiO2催化剂体系以及用于F－T合成重质烃反应。固定床优选条件下的运行结果表明，在该催化剂上的CO转化率可达到90％以上，目标产物C5^+选择性可达到80％以上。采用XAFS（X射线吸收精细结构）技术研究了该催化剂的物相结构，结果表明，处理后的硅胶与钴物种之间的相互作用明显减弱，钴物种的配位情况由Co-t向Co-o转变，使催化剂在工业还原条件下的还原度大大提高。

简介：通过原位浸渍法把FeSO4和其它助剂共同浸渍在两种烟煤上，考察了以FeSO4为主要前驱体的催化剂对这两种煤直接液化的活性与选择性，以及其对液化产物－甲苯可溶物分子量的影响作用，并通过EXAFS和SAXS表征揭示了催化剂在煤上的化学态和粒径分布，结果表明：在一定的反应条件下，FeSO4和两种助剂分别共浸渍在两种煤上时，煤的总转化率及沥青烯和轻质产物的产率均比不添加催化剂时的结果提高1倍左右，与铁的硫化物相比，以FeSO4为主要前驱体的催化剂沥青烯和轻质产物具有较高的选择性，生成的重质甲苯可溶物具有较大的分子量；EXAFS和SAXS表明，原位浸渍在煤上的FeSO4表现为纳米相，助剂Na2S和尿素的添加主要改变了Fe原子周围的配位原子种类以及它们的成键方式，而对其颗粒分布影响较小，催化剂在汾西煤上的分布较其在兖州煤上的差一些。