简介:
简介:阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程,并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻,得到了深度为500μm,深宽比达8.3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时,对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。
简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出的电子产额随X-射线能量的变化,提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明,在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立,有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。
简介:通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究,获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm,深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构,表明该光束线适用于LIGA技术的研究。
简介:利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪,建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量,表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明,Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外,还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。
简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。
简介:本文报道了作者在同步辐射X射线光刻研究中的一些新进展,其中,最细尺寸已达50纳米。
简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。
简介:使用同步辐射X射线微探针技术对正常和骨质疏松股骨头切片元素浓度分布进行扫描测量。获得了Ca、P、K、Fe、Zn、Sr、Pb等元素在股骨头切片组织中包括软骨、密质骨、松质骨中的精细分布CT成像。
简介:使用同步辐射X线微探针技术对正常和骨质疏松股骨头切片元素浓度分布进行扫描测量。获得了Ca、P、K、Fe、Zn、Sr、Pb等元素在股骨头切片组织中包括软骨、密质骨、松质骨中的精细分布CT成像。
北京同步辐射装置用户报告目录
1999—2002年度重点用户课题支持情况表
2000、2001北京同步辐射装置用户课题及实验情况
2000年北京同步辐射装置用户科技论文集目录
1997、1998年度北京同步辐射装置用户结束课题情况
2002年北京同步辐射装置用户科技论文集目录(上册)
北京同步辐射装置用户2001年科技论文目录(上册)
北京同步辐射装置2001、2002年度用户课题及实验情况
2002年度北京同步辐射装置结束的用户课题一览表
北京正负电子对撞机国家实验室 2002年度同步辐射装置用户科技论文奖励情况
用LIGA技术制作微马达构件
测量XAFS谱的全电子产额技术
LIGA技术X光深层光刻工艺研究
同步辐射X射线掠入射衍射实验技术及应用
17.5Kev同步辐射光的干涉技术研究
用全电子产额技术测量薄膜材料的XAFS谱
纳米尺寸同步辐射X射线光刻技术研究
同步辐射X射线驻波实验技术研究半导体超薄异质外延层
SRXRF微探针技术研究股骨头切片元素的精细分布成像