简介:综合论述了基于碳化硅(SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管(supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展,总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管(emitterturn-offthyristor,ETO)的开通过程。结果表明,开通dl/R可以在一定条件下受控,以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求,实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管(reverselyswitcTeddynistor,RSD)二维数值模型,论证了开通原理的可行性,热电耦合模型以SiC本征温度为依据据,SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。
简介:本文译自A.P.FRENCH主编的《工程技术领域中的物理学》(PhysicsInATechnologicalWorld)一书中的《1987年物理学现状》(TheStateotPhysics—1987),作者D.AllanBromley对1987年以前物理学状况的巡礼,就物理学的柱石、自然界的作用力、基本粒子物理学、核物理、原子物理、等离子体物理、凝聚态物理、光学、混沌物理、地球物理、天体物理及引力波等方面作了极其广泛和深刻的综述。限于篇幅,此处仅选择其中的原子物理部份。二十世纪的科学与技术的发展,与原子物理学的进展息息相关,本文给出了一个维妙的景象。
简介:生物超微弱光子辐射现象普遍存在于自然界,本文综述该领域主要实验研究及理论研究成果,主要研究装置及应用前景。
简介:半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。