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  • 简介:利用拉曼光谱研究了He^2+注入六SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品无序度增大,样品的拉曼特征峰强度减小。

  • 标签: 碳化硅 离子注入 拉曼光谱 损伤累积
  • 简介:在相同的反应体系中当ph值从约9.5调变至11时分别合成出双中孔SiO2和六中孔SiO2材料,并用XRD、N2吸附、TEM、TG/DTA和FTIR等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明,双中孔SiO和六中孔SiO2是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六中孔SiO2相比,双中孔SiO2也具有典型中孔材料的特征XRD谱图,虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单XRD衍射峰(d=5.2nm),但它却给出一种独特的N2吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与SiO2骨架间相似的相互作用,两类材料给出类似的FTIR谱图和TG/DTA曲线。然而,在双中孔SiO2的FTIR谱图中960cm处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔SiO2较六中孔SiO2具有更高的骨架聚合度。更多还原

  • 标签: 双中孔SiO2 六方中孔SiO2 合成 表征