简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位：主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz；CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上；半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到ULSI。封装的输入／输出（I／O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。

简介：介绍圆片级封装的设计考虑、基础技术、可靠性、应用情况及发展趋势。

简介：由於面形阵列封装越来越重要，尤其是在汽车、电讯和计算机应用等领域，因此生产率成为讨论的焦点。管脚间距小於0．4mm、既是0．5mm．细间距QFP和TSOP封装的主要问题是生产率低.然而，由於面形阵列封装的脚距不是很小(例如，倒装晶片小於200μm)，回流焊之后，dmp速率至少比传统的细间距技术好10倍，进一步，与同样间距的QFP和TSOP封装相比，考虑回流焊时的自动对位,其贴装精度要求要低的多。

简介：为了把电路板上的某部分或体积较小的电路板密封起来，不让水气、异物进入而影响电路的性能。许多电子爱好者采用蜡或沥青作密封胶来保护电路。其实蜡和沥青作包封材料并不好。缺点较多。而“软封装”的效果要好得多，目前通用的最佳“软封装”材料有环氧树脂，及聚硫化物、聚氨基甲酸酯、有机硅等4种封装材料。

简介：1引言随着科学技术日新月异的发展，电子产品封装技术也在高速地发展，一般全陶瓷封装都采用环氧树脂进行封装，就是用环氧树脂来密封陶瓷管座与管帽，普通环氧树脂封装的密闭性能不佳，可操作性不强，因而阻碍了大规模批量生产，为了解决这一难题，我们寻找到一种新型环氧树脂，并设计了一套封装方法，新型环氧树脂的密封性和可操作性极强，适合于大批量生产，并能达到气密性要求，在这里对该封装方法进行一个逐步初步的介绍。

简介：1．IC封装基板在发展IC封装业中的重要地位整体IC封装材料市场主要有五大类电子材料构成：引线框架、环氧模塑料、键合金丝、锡球及封装基板。以2004年119．8亿美元的构装材料市场规模为例，其中以IC封装基板（1C基板及TCPI—COF基板）占整个IC封裟材料市场比例为最高，

简介：随着工艺节点和裸片尺寸不断缩小，采用倒装芯片封装IC器件的消费电子产品的数量日益增加。但是，倒装芯片封装制造规则还没有跟上工艺技术发展的步伐。本文介绍了用芯片一封装协同设计方法优化SoC的过程。

简介：本文简要介绍了用于电子产品的发泡封装材料的发泡机理，配方组成，研制过程，性能测试等，该发泡材料具有良好的耐高低温性能，耐溶剂性、附着力及机械强度等。

简介：CaliforniaMicroDevices(CMDI）日前宣布推出CM1406和CM1407两款电磁干涉(EMI)过滤器阵列。这也是该公司首次推出带静电放电保护(ESD)的封装EMI过滤器阵列产品。

简介：近年来，我国IC产业发展迅速，己成为国家经济发展的主要驱动力量之一。

简介：在铜丝或铜条长期应用于分立器件及大功率器件的同时，近年又出现了晶片的铜金属化工艺。由此，业内人士采用铜作为丝焊键合的一种材料使用，进而开始了一些新工艺的研究。结果证实，铜金属化使电路的线条更细、密度更高。因而铜丝可以作为一种最有发展前景及成本最低的互连材料替换金丝，可进行大量高引出端数及小焊区器件的球形或楔形键合工艺。主要阐述铜丝键合工艺在微电子封装中的现状及未来发展方向。

简介：日立化成工业将在江苏苏州的苏州工业园区建设一家半导体封装材料新的生产基地“日立化成工业(苏州)”。准备投资约25亿日元(约合人民币1．9亿元)，形成6000吨／年的生产能力。2005年4月动工建设，计划2005年内开工投产。

简介：介绍了刚-挠性结合裂印制电路板封装技术的原理、做法去和在空间技术中应用的重要意久。

简介：中芯国际（0981．HK）日前宣布将与合作伙伴在四川成都成立集成电路封装测试厂，业界猜测该合作伙伴可能是新加坡联合测试与装配中心公司（UTAC），但双方均不就此事置评。UTAC发言人表示，现阶段不作评论，也不会猜测任何市场传言。

简介：为了满足中国市场快速增长的需求，新加坡STATSChipPAC公司计划在上海兴建其第二家芯片封装测试厂。计划兴建的新设施占地30万平方英尺，邻近STATSChipPAC公司目前在上海青浦区的一家占地43万平方英尺的工厂。新厂计划从今年第三季度开始动工，并根据客户需求情况安装设备。

简介：本文首先介绍无线通信市场对ＩＣ封装技术的要求，然后详细介绍ＩＣ封装的现状和新型封装技术的实例，最后简述了未来ＩＣ封装的趋势及挑战。

简介：介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT由于其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折中平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都是基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计同二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。

简介：通过对太阳能电池输出特性和蓄电池输入特性的研究,提出了一种将太阳能电池最大功率点跟踪与蓄电池优化充电综合在一起的控制策略。本文基于一个250W太阳能路灯控制系统,提出了一种综合的控制策略,实现了太阳能阵列的最大功率点跟踪和蓄电池优化充电的合理结合。

简介：为了能在下一代风力发电系统中起到重要的作用，我们已经开发出一种新型的600A—1700VIGBT模块。这种模块主要具有以下特点：（1）热阻低，这是通过采用带有针形翅片散热器的无导热硅脂的“直接液体冷却”技术实现的，其中冷却液通过针形翅片的压降以及效率都经过了优化设计；（2）封装尺寸小，这使电源调节器系统小型化成为可能；（3）可靠性高且寿命长，这是通过高强度Si3N4绝缘衬底和新开发的Rot—iS焊接技术来实现的。与采用导热硅脂间接冷却的传统模块相比较，我们发现此IGBT模块的热阻Rj-W降低了35％；与传统模块在相同功率容量下比较时，这种IGBT模块连同冷却液通道的基座（channelcoverjacket）的总重量减轻了大约37％，体积减小了约45％。