简介：2002年9月美国佳能公司为图形设计人员、办公室及打印服务商推出了三款新品：佳能imagePROGRAFW2200彩色打印机以及W7200／7500宽幅打印机．采用了该公司的1英寸高密度、高精度打印头及喷嘴．这标志着该公司新一代喷墨打印产品的诞生。美国佳能公司打印市场部负责人AmitBagchi说：“我们希望ImagePROGRAF系列产品能够巩固佳能公司在大尺寸打印市场中的领导地位”．36英寸的宽幅

简介：

简介：<正>一般来说,需使用有源器件的75-100GHzW波段的毫米波被认为是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体技术的天地。但随着fT/fmax频率超过150GHz,更新的SiGe工艺可竞

简介：为满足人们对绿色照明的要求，该文设计了节能、高功率因数及总谐波失真低的高压钠灯电子镇流器来替代传统的电感式镇流器，采用有源功率因数校正、恒功率控制、低频方波驱动的三级式结构的电路设计，并搭建了样机，实现了160V～265V宽电压输入，功率因数PF≥0.99，总谐波畸变因数THD≤9．1％，电路可靠工作，通过了电磁兼容传导干扰测试。

简介：文章介绍了一种Ku波段600W固态合成功率放大器的工程实现。根据工程应用的实际要求,该固态功率放大器采用多芯片多级合成,每级功率合成采用了不同的合成方式。其中芯片级合成选择了微带合成方式,模块级合成选择了多腔体空间耦合合成结构,组件级合成选择了波导合成方式。固放以6.5W的MMIC功放单片为基本单元,共采用了128个功放单片合成出大于600W的脉冲峰值功率,功率附加效率高达18.5%,并具有脉冲速度快、频谱纯净、体积小、可靠性高、工程上容易实现等优点。

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：半导体封装尺寸的缩小、功率的增大以及开关速度的提高，这些推动着电子器件冷却方法的发展。在现在的先进电子系统中，现有的导热界面材料成为散热的瓶颈。工程师们希望用按照热管理要求设计的最优金属，他们需要知道有些什么方案可以选用，才能把最好的导热界面材料（TIM）用到他们设计的应用系统中，加强散发热量通路中的薄弱环节。

简介：基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。

简介：简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像侧壁垂直度的影响;在深反应离子刻蚀中,还详细分析了刻蚀时间、下电极功率以及刻蚀气体气压对刻蚀结果的影响。经参数优化后获得最佳工艺参数,并制作出带有电子注通道的W波段折叠波导慢波结构,慢波结构深为946μm,侧壁垂直度为91°,电子注通道深为225μm,侧壁垂直度为90°。

简介：RFLDMOSs}／率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点，广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务，LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管，利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后，s波段LDMOSs}／率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3．1～3．4GHz频率范围内，输出功率大于13．8W，功率增益大于12．4dB，效率大于37．9％。

简介：在平行缝焊、储能焊、玻璃熔封、激光焊、合金焊料熔封等密封工艺中,合金焊料密封是高可靠密封的优选工艺。文章针对合金焊料密封工艺中常遇到的密封强度、密封内部气氛、焊缝及盖板耐腐蚀、薄形封装易短路等问题,介绍了通过合金焊料盖板的选择,从而控制密封强度、密封内部气氛、耐蚀性能和电性能等的质量。

简介：1.前言铜及铜合金具有较高的强度、优异的机械加工性、导电性、导热性、焊接性及耐腐蚀性等特性,在电力、电子、石油化工及军工等工业领域得到极为广泛的应用和发展.在电化学序列中,铜具有比氢更高的正电极电位,因此在一般的腐蚀性介质(空气、水及非氧化性酸等)中,铜具有较高的热力学稳定性,故被列为耐腐蚀性金属.铜合金则比纯铜具有更高的耐腐蚀性能.

简介：Adesignoflaser-diodearray(LDA)end-pumpedNd:YVO4laserthatgeneratessimultaneouslywavelengthsof1064nmand1342nmispresented,andbyusingtype-Icriticalphasematching(CPM)ofBiB3O6,593.5nmcontinuous-wave(CW)laserisobtainedwithintracavitysum-frequencymixing.Themaximumlaseroutputpowercanreach3.63Wwiththepumppowerof27.5W.Theoptical-to-opticalconversionefficiencyisupto13.2%,whichisthehighestvalueat593.5nmbytheintracavitysum-frequencyNd:YVO4laseraccordingtothereporteddata.

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：拉脱维亚的主要电信提供商Tele2SIA（瑞典Tele2AB的分公司）已经与西门子签订了合同，扩展其GSM网络并且建立完整的3G／W-CDMA网络基础设施。

简介：Dialog、恩智浦、安森美半导体、TI等公司正在开发GaN基功率半导体器件。面对这些传统功率器件巨头的竞争，NAVITAS如何突出重围呢？

简介：摘要强化型铝合金在室温下具有良好的力学性能，近年来随着制造技术的不断进步，强化型铝合金在工业领域中的运用越来越广泛，对其的焊接也成为研究重点。电子束焊具有穿透能力强、焊缝深宽比大、热影响区以及焊接变形小等优点，适合于高铝合金的焊接。本文对6mm厚的强化型铝合金在电子束焊不同工艺参数下所获接头进行力学性能测试、金相组织观察，结合接头的拉伸性能、冲击性能以及金相组织，研究电子束焊接工艺参数变化对焊接接头质量的影响，达到优化电子束焊接工艺的目的，从而获得具有优良力学性能的焊接接头，进而满足实际工程结构对力学性能的高要求。

简介：在开发高性能无铅焊料合金时，研究人员必须评估四项主要特性：工艺良率、铜浸出率、浮渣形成和热／机械可靠性。

简介：<正>Vishay发布新的通过AEC-Q200认证的25W厚膜功率电阻—DT025,它采用小尺寸、表面贴装TO-252型(DPAK)封装。对于汽车、工业和国防应用,VishaySferniceDT025比前一代方案节省更多空间,在PCB上的耗散功率则达到3W以上,阻值范围较宽。DT025是无感器件,阻值从0.016Ω到700kΩ,其外形尺寸为8.2mm×7.3mm的面积和2.8mm的厚度,在DPAK封装内能承受比竞争元器件多10倍

简介：飞兆半导体公司（FairchildSemiconductor）为LCD和PDPTV、服务器、游戏控制台和LED照明应用的设计人员带来全新产品FAN7621。这款谐振控制器能够简化设计，降低材料成本并提供先进的保护功能。FAN7621在一个16脚SOP／DIP封装中集成了一个高压驱动电路、一个电流控制的振荡器、频率限制电路、软启动和众多的保护功能。此高集成度器件可省去昂贵的外部电路如脉冲变压器，不仅节省电路板空间，还可降低总体设计成本。FAN7621内部的高压驱动电路提供了消除共模噪声的附加功能，确保实现卓越的抗噪性能，