简介：摘要：USB（Universal Serial Bus）通用串行总线作为一种外部总线标准，用于规范电脑与外部设备的连接和通讯，是应用在PC领域的接口技术。在装备设计应用中，大多数USB控制器芯片同时兼容USB2.0协议和USB3.0协议，具有广泛的应用性。而在实际生产测试时，由于控制芯片本身质量问题或生产工艺不良原因，存在某些USB接口出现不能同时支持2.0和3.0两种速率的缺陷。因此，针对USB接口的测试尤为重要。针对上述问题提出一种USB接口自动检测装置，可准确自动测试USB两种速率，有效提高USB接口测试的效率，减少人工误操作问题，并有效的提高了测试流程的抗干扰能力。

简介：针对单组多播系统中波束赋形设计问题,提出了一种新优化目标,即加权和速率。尽管建立的优化问题为非凸问题,但可利用最优解特性将其转化为等效的凸问题。推导出部分特殊场景下最优解的闭合表达式,并针对一般场景提出了一种基于加权和速率的多播系统波束赋形算法。最后,通过仿真验证了该算法有效性。与现有算法相比,该算法在选取合适权重时可有效提升系统中用户的最低速率、平均速率及公平性。

简介：以太无源光网络(EPON)以其低成本、高速度的优势,作为解决宽带接入网络瓶颈问题的重要的解决方案.它的一个典型的特征是多个终端用户共享传输媒质,这就需要采取一种有效的媒质接入控制来实现带宽的统计复用.本文基于MPCP在比较两种DBA基础上,提出了一种具有SLA和相对QoS的动态带宽分配算法.

简介：设计一种灵活多速率直调激光器驱动电路方案,该方案采用精确温度控制、宽带数字信号直接驱动及高稳定波长输出蝶形激光器相结合的方式,可实现直调方式下激光器驱动信号的长距离传输。测试结果表明：电路方案设计灵活,光性能参数优异,可实现50Mb/s～2.7Gb/s,最大调制电流为80mA,距离为175km的信号传输。

简介：摘要时态是指以一定的时间为基准，用以表示事态所发生的时间、位置的语法范畴，由此构成的语法体系称之为时态体系。韩国语时态体系主要通过先语末词尾、定语词尾及表时间的副词来体现。为了区分先语末词尾与定语词尾所表示时态意义的不同，又引入了相对时制的概念。明确区分相对时制和绝对时制，有助于我们正确理解和把握韩国语时态体系。

简介：环氧塑封料（EpoxyMoldingCompound）是一种半导体封装用电子材料，主要应用于半导体器件和集成电路芯片的封装文章主要是通过对环氧塑封料的发展历程、典型技术和制造工艺，以及国内外发展状况和市场应用等方面的研究，对全球的环氧塑封料的发展状况进行浅析。文章特别提到有关绿色环保塑封料的应用情况。

简介：环氧模塑料（EMC）作为半导体产业的三大基材之一，其性能对成品器件、IC品质至关重要。凝胶化时间（GT）和螺旋长度（SF）是环氧模塑料的两个基本性能表征指标，直接决定封装工艺参数选择范围，而温度对其影响极大。制备过程、存贮、回温（Thawing）及模压（Molding）等系列工序的操作及环境温度，对EMC的综合性能有着不同程度的影响。不恰当的温度可能会导致模压操作性不良、封装体缺陷及半导体器件（电路）的成品性能下降或失效。文章重点阐述温度对EMC使用、半导体成品性能的影响。

简介：本文着重介绍了蒸汽加氧吹洗新技术的原理及应用情况.该方法具有创造性、新颖性和实用性.解决了基建炉过热器、再热器的酸洗难题,并能在金属表面形成致密的保护膜,是提高我国吹管技术管理水平,提高水汽品质的一种有效方法.能确保机组在投产后安全、经济地运行,延长锅炉的使用寿命.如在全国范围内大力推广应用,其社会经济效益显著.

简介：文章主要介绍了封装过程中的几个重要工艺参数，分别探讨了不同的工艺条件对环氧塑封料成型工艺的影响，并介绍了封装过程中的工艺调整方向，同时介绍了在环氧塑封料的选择中必须考虑的几个重要因素，并论述了这几个因素对封装器件可靠性造成的影响。

简介：基于终端客户在产品应用面对信赖性及可靠性要求越来越高的情况,开发出一种绿色环保环氧塑封料EMC-GTR,满足高导热及高可靠封装要求,用其封装的器件通过了AEC-Q101-REV-C《基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理》考核。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。