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388 个结果
  • 简介:在理想条件下,MIMO雷达分集路径完全独立;而在实际工程中,空间分集路径总是不完全独立,即存在一定的相关性。文章研究了相关路径下Fishler检测检测性能及该条件下系统的最优检测性能,分析了Fishler检测和最优检测的信号处理方式的本质区别。理论分析和数值仿真证明Fishler检测可作为空间分集MIMO雷达系统工程实用的次优检测

  • 标签: MIMO雷达 相关性 充分统计量 检测
  • 简介:HKC应用MagicGreen技术的两款负离子显示型号为775CN(17寸纯平)和DF998A(19寸纯平)。率先将“氧吧“功能应用到CRT显示上,全面倡导绿色环保的健康新概念。MagicGreen集成了负离子、远红外和光触媒三种技术。针对性地解决了长期电脑使用者所面对的健康困扰。

  • 标签: 负离子 CRT显示器 电脑使用者 功能应用 绿色环保 17寸
  • 简介:本文除概略介绍气体检测的种类外,主要对气体检测的原理和在实际使用中的局限性作一基本归纳叙述。限于篇幅,本文将论述的重点放在气体检测的选用与设置规划上,提出个人的一点心得与看法,以作为未来设置气体检测系统时之参考。

  • 标签: 半导体芯片厂 气体检测器 可燃性气体 毒性气体 检测器评估
  • 简介:文章对等离子清洗技术做了全面介绍,不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置,而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项,指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用。

  • 标签: 等离子 技术原理 干法物理清洗技术 物体表面
  • 简介:文章对等离子清洗技术做了全面介绍,不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置,而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项,指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用

  • 标签: 等离子清洗技术 电子线路 芯片封装 半导体 塑料制品
  • 简介:宽带频谱检测的目的是完成对宽频段内信号的检测。在Nyquist采样理论下,为瞬时覆盖这么宽的带宽会对模数转换(ADC,analog—to-digital)的采样率提出过高要求。研究了基于随机解调压缩采样的宽带频谱检测方法。该方法能够以低于Nyquist采样率的速率完成对宽频段的采样,降低了ADC的负担。仿真结果表明,在频谱满足稀疏性的条件下,所研究的方法能够较准确检测宽频段内的各个信号。

  • 标签: 频谱检测 随机解调器 压缩采样
  • 简介:针对传统多目标概率假设密度(PHD)滤波在低检测概率情况下跟踪精度低和失跟率高的问题,提出了一种改进的概率假设密度滤波算法。该算法利用高斯混合PHD(GM-PHD)滤波进行PHD预测和PHD更新,处理过程中通过修正上一拍权值大的高斯项,并在处理当前拍时保证其权值的稳定性,以保证算法的高精度。仿真结果表明,在低检测概率情况下,该算法可较好估计目标数和目标状态。与传统GM-PHD滤波比,该算法跟踪精度大幅提高。

  • 标签: 目标跟踪 低检测概率 概率假设密度(PHD)滤波器 高斯混合PHD滤波器 权值 修正
  • 简介:本文着重介绍用于对清洗后电路板上的残余离子污染物的测试手段,国外关于此领域的相关标准以及这些相关标准和手段的发展过程.比较了不同仪器的一些主要参数和应用现状,部分用户需求动向和如何满足的方法.

  • 标签: 清洗 电路板 离子污染物 电阻率 电导率 原子吸收
  • 简介:文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

  • 标签: 多晶刻蚀 倾斜角度 最优化条件 等离子
  • 简介:钠是地球上储量较丰富的元素之一,与锂的化学性能类似,因此也可能适用于锂离子电池体系。钠离子电池相比锂离子电池有诸多优势,如成本低,安全性好,随着研究的深入,钠离子电池将越来越具有成本效益,并有望在未来取代锂离子电池而被广泛应用。介绍了钠离子电池正极材料、负极材料的最新研究进展,分析了该电池未来的研究发展方向。

  • 标签: 钠离子电池 正极 负极 电解质
  • 简介:1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

  • 标签: 时代离子注入 离子注入技术
  • 简介:采用DOE(实验设计)方法,通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK,得到最适合铝线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放位置对等离子清洗效果的影响,引线框架置于等离子气体浓度高的位置清洗效果较好,引线拉力值能获得更低的方差和更优的过程控制能力。

  • 标签: 等离子清洗 铝线 DOE
  • 简介:微电子封装过程中产生的沾污严重影响了电子元器件的可靠性和使用寿命。文中研究了用微波等离子清洗封装过程中产生的沾污。研究结果表明,微波等离子清洗能有效增强基板的浸润性,降低芯片和基板共晶焊界面的孔隙率,同时也能清除元件表面的氧化物薄膜和有机物沾污,经过等离子清洗,其键合焊接强度和合金熔封密封性都得到提高。

  • 标签: 微电子封装 微波等离子清洗 可靠性
  • 简介:离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分,随着微电子技术的发展,等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用,讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。

  • 标签: 干法清洗 清洗 等离子体 电子封装
  • 简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。

  • 标签: 半导体技术 等离子体损伤 通孔蚀刻 高密度等离子体淀积
  • 简介:近几年来光纤激光发展十分迅速.本文简要介绍了光纤激光的基本原理和特点,并对其作了较为详细的分类.最后指出了光纤激光在光通信、工业加工、医疗等领域的应用和其未来的发展方向.

  • 标签: 光纤激光器 掺稀土离子光纤 双包层光纤 应用
  • 简介:本文所介绍的水冷却是强迫油循环水冷式变压专用设备.特别是以三相矿热炉用变压配套的变压油水冷却为例,介绍了强迫油循环水冷式变压结构特征以及变压水冷却清洗方法.

  • 标签: 变压器油 油循环 三相 水冷却器 水冷器 矿热炉
  • 简介:文章设计了一种可以使用在固态合成发射机上的三路等分功率波导功分/合路。在波导分支定向耦合的基础上,增加一路副线波导,构成了一个一路输入、一路直通、两路耦合、两路隔离的六端口网络;采用增加波导长度的方式解决了实际应用中的相位补偿问题。另外在功分的三路输出端增加了微带部分以提高功分的可调试性。实际测量数据基本符合仿真结果:在1GHz带宽内,功分的一路插损小于6dB,输入驻波小于1.6;合路的一路插损小于4.9dB,输出驻波小于1.3。其性能满足使用要求。文章最后对该类型的波导功分/合路的设计提出若干改进方案。

  • 标签: 波导功分器/合路器 三路合成/分配 插损 相位补偿
  • 简介:四川长虹公告称,该公司旗下的等离子(PDP)显示屏及模组项目一期工程建设已全部完成,2009年1月进入批量试产,计划3月份正式量产。受去年四川汶川地震等综合因素影响,四川长虹推迟了PDP屏项目的量产时间。公告还表示,四川长虹去年发行分离交易的可转换公司债券募资之后,两次向负责运营PDP屏项目的四川虹欧显示器件有限公司(下“四川虹欧”)增资共4亿元,目前四川虹欧的注册资本约为3.5亿美元、实收资本为2.75亿美元,四川长虹控股50.94%。现在四川虹欧PDP项目设备安装已全部结束,已小批量试产多品种的高清屏模组和全高清屏模组。

  • 标签: 等离子屏 长虹 一期工程建设 PDP 综合因素 量产时间
  • 简介:本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(~1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

  • 标签: 离子注入 InGaAsP/InP双量子阱 量子阱混合