简介：生长了一种新配比的铒掺杂铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅单晶（25PIN-44PMN-31PT-0.02Er2O3）,并对晶体做了完整的冷加工和极化,得到了沿〈001〉方向极化的晶体样品.在室温下利用椭圆偏振仪测量了晶体的折射率谱,通过最小二乘法拟合得到了晶体的赛尔迈耶尔方程各参数.其中Eo=5.471eV;Ed=22.56eV;k=227nm;So=0.8002×10^14m-2.利用紫外-可见-红外分光光度计获得了晶体透射率谱,晶体紫外吸收边为400nm.同时通过计算得到了样品的禁带宽度为2.94eV.

简介：中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼（B）、氮（N）共掺杂，实验和理论研究发现，硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。该工作得到了国家科技部、中科院和同家自然科学基金委的资助。本相关研究结果发表在近期的AdvancedMaterials20，3615（2008）上。AsiaMaterials对该成果以标题“Dopingcarbonnanotubes”作为研究亮点进行了报道。

简介：采用平面波赝势（PWPP）方法进行密度泛函（DFT）计算，研究了Al掺杂对锐钛矿晶体能带、态密度的影响．分析发现掺杂后Al原子3s和3p轨道上的电子虽然对晶体的价带和导带贡献不大，却诱使导带发生较大程度下移，禁带宽度减小，理论预测可以发生红移．采用低温燃烧合成法制备了Al掺杂锐钛矿型纳米TiO2，紫外-可见吸收光谱检测和甲基橙降解实验证明，Al掺杂TiO2光吸收强度增强，吸收带边界发生红移；光催化性能较纯TiO2有所改善．理论计算结果与实验结果相符．

简介：掺杂法提高聚合物电导的机理是考虑导电填充物和高聚物所构成的不均匀体系中,导电颗粒间会形成链式组织或聚集体组织而提高导电性能,在此过程中导电颗粒有相互作用.本文是采用蒙特卡洛法对掺杂高分子材料的电导特性作了研究,研究结果与实验符合较好,并得出存在剧变特征的所谓绝缘体--金属相变特性的计算结果.

简介：采用碳酸盐共沉淀法合成了层状LiNi0.4Co0.2MnMgxO2锂离子电池正极材料，对材料进行XRD研究表明，该材料具有a—NaFeO2（R-3m）结构。数据显示，通过Mg掺杂降低了Li层的阳离子混排程度。通过组装扣式电池对材料进行恒流充放电测试、交流阻抗测试、循环伏安测试等电化学性能测试。与LiNi0.4Co0.2Mn0.4O2相比，在Mn位进行Mg掺杂的LiNi0.4Co0.2Mn0.4-xMgxO2循环性能和结构稳定性有了大幅度提高。所有掺杂的样品中，LiNi0.4Co0.2Mn0.038MgxO2具有最好的循环性能，首次放电比容量达到164．7mAh／g，在0．1C下循环10次后的容量达到160．3mAh／g。

简介：该研究制备甲基橙（MO）、苋菜红（AM）修饰掺杂铁的二氧化钛复合材料MO-Fe-TiO2和AM-Fe-TiO2.X射线粉末衍射结果表明光敏剂甲基橙和苋菜红修饰没有改变TiO2的晶相，紫外可见漫反射证明甲基橙、苋菜红修饰掺杂铁的二氧化钛复合材料波长吸收范围变宽.用高效液相色谱定量分析复合材料对氯虫苯甲酰胺的光催化后残留量，表明甲基橙、苋菜红修饰掺杂铁的二氧化钛复合材料对氯虫苯甲酰胺光催化效率明显高于掺杂铁的二氧化钛材料.

简介：

简介：研究了Na^＋替代Bi^3＋、Sn^4＋替代Nb^5＋对Bi2（Zn1／3Nb2／3）2O7陶瓷烧结特性、显微结构和介电性能的影响。结果表明，替代后样品的烧结温度从1000℃降低到860℃；在-30～130℃样品出现明显的介电弛豫现象；弛豫激活能在0．3eV左右。用缺陷偶极子和晶格畸变对Na-Sn掺杂Bi2（Zn1／3Nb2／3）2O7的介电弛豫现象进行了解释。

简介：为选择性降低卷烟烟气中HCN和苯酚释放，制备了一种金属掺杂的多孔氧化物复合材料。利用比表面分析和孔径分析、X-射线衍射（XRD）、高分辨透射电镜（HRTEM）对材料进行了表征，优化了材料的制备方法，并将材料添加到卷烟滤嘴中评价其减害降焦的效果。实验结果表明：（1）材料具有均匀的孔结构，孔径分布较窄（2-5nm），负载的金属元素均匀分散在基体中；（2）材料对主流烟气中HCN和苯酚的选择性降低率均可达22%以上，而对于烟气常规成分以及感官质量影响较小。

简介：

简介：在能谱（EDX）分析时,因La的Lβ1与Pr的Lα,Ce的Lβ1与Nd的Lα,La的LIIIab与Pr的Lβ1,Ce的LIIIab与Nd的Lβ1存在谱线重叠现象,而且混合稀土通常以La和Ce为主体元素,在分析混合稀土掺杂合金中含稀土物相时容易出现对Pr、Nd的遗漏。本文介绍La、Ce、Pr、Nd混合稀土掺杂的硬质合金刀具工作表面稀土富集相EDX分析的谱线拟合方法,并对刀具服役过程中La、Ce、Pr、Nd向刀具工作表面的定向迁移进行研究。结果表明,对存在谱线重叠现象的＂相似元素＂进行EDX分析,应该采用谱线拟合方法判断是否存在＂相似元素＂,以防止出现元素的遗漏与误判;对以La、Ce为主体元素的混合稀土掺杂合金中含稀土物相进行EDX分析时,即使忽视了对Pr、Nd的分析,也不会影响对La、Ce在合金中作用行为规律的判断,但会遗失La、Ce、Pr、Nd在合金中作用行为的整体信息;在对C、S含量适中的金属材料加工过程中,混合稀土掺杂硬质合金工具中的La、Ce、Pr、Nd原子可以定向迁移至工作表面,但这种迁移是非同步的,Ce、Pr、Nd原子具有较La原子高的迁移速度。

简介：以一定量经过处理的碳纳米管掺杂在电解二氧化锰中作为正极材料,以镁为负极,真空包装制成可用多种液体激活的镁纸电池。利用SEM观测复合正极的形貌,计算机控制精密电池测试仪等设备对电池的电化学性能进行了测试。实验结果表明,掺杂碳纳米管能够明显提高镁电池的放电容量,添加3%,6%,9%,12%,15%碳纳米管镁电池的放电容量比不添加碳纳米管镁电池的放电容量分别增加了511%,1734%,3470%,1057%,850%。掺杂9%碳纳米管正极材料纸电池的放电性能最好;并且随着放电电流的增大,碳纳米管可以吸收更多的电解液参与反应,镁电池的放电性能呈现增大的趋势,最佳放电电流为0.6mA;当碳纳米管吸附的电解液达到饱和后,放电容量随放电电流的增大而减小。

简介：摘要：本文采用密度泛函理论和含时密度泛函理论，分别计算研究了量子点团簇(CdSe)N (N = 6、13和19)和过渡金属掺杂量子点团簇CdN-1SeNV、CdN-2SeNV2（N = 6、13和19）的结构和光学性质，探讨了过渡金属掺杂比例和量子点尺寸效应对结构和紫外可见吸收光谱的影响。为制备稀磁半导体提供理论依据。

简介：介绍了采用高温固相法合成掺铬Li4Ti5O12作为锂离子电池负极材料,并对材料进行了X射线衍射分析、SEM、电化学阻抗测试、循环伏安测试及恒电流充放电测试。铬的掺杂并未改变材料的晶体结构,但降低了材料的规整度。实验结果表明：铬的掺杂在一定程度上改善了锂钛氧化合物的电化学性能,降低了电极极化,在电极表面未形成钝化膜。其中以掺杂比为Cr∶Ti=1∶10（原子比）的材料性能最好,首次放电比容量可达到175mAh/g,经过50次循环后,放电容量仍保持在166.5mAh/g。

简介：采用密度泛函理论（DFT）的B3PW91方法,在混合基组水平上对Al掺杂Sn12-团簇几何结构和电子结构进行了计算分析.结果表明,Al内掺杂Sn12-团簇能量更低更稳定,但LU-MO-HOMO能隙较小.外掺杂多面体簇中,电荷从Al原子移向Sn12-笼,趋向形成[Al＋Sn122-]结构;内掺杂多面体簇中,电荷从Sn12-笼移向Al原子,趋向形成[Al-@Sn12]结构.

简介：采用柠檬酸络合和浸渍两步法制备了一系列B-xMo共掺杂BiVO4可见光光催化剂，并采用XRD、XPS、SEM、EDS、BET和UV-vis等表征和分析。以降解甲基橙（MO）、亚甲基蓝（MB）、金橙Ⅱ号（AOⅡ）和罗丹明B（RhB）溶液为指针反应，考察掺杂对BiVO4可见光催化活性的影响。结果表明：B-Mo共掺杂能抑制BiVO4晶粒生长，比表面积增大，共掺杂后BiVO4禁带宽度窄化，且氧空位较单掺杂增加。当Mo掺杂量为2．5％（原子分数）时制备的B-2．5Mo-BiVO4对甲基橙的降解率达96％左右，且该样品也能有效降解亚甲基蓝（MB）、金橙Ⅱ号（AOⅡ）和罗丹明B（RhB）溶液。

简介：采用浸渍法制备了不同La掺杂量的Ni—SiO2催化剂，研究了La掺杂量对Ni—SiO2催化剂的Ni活性金属粒径、还原性能、甲烷催化裂解寿命以及反应后生成碳纤维的影响。结果表明：La、Ni物质的量比由0增长至0．3时，Ni-SiO2催化剂的寿命显著提高，而当La、Ni物质的量比由0．3增长至0．6时，催化剂寿命在一定程度上略有降低；La、Ni物质的量比由0增长至0．6时，还原后催化剂Ni金属的平均粒径从26．43nm不断降低至10．57nm。不同La掺杂量Ni—SiO2催化剂甲烷催化裂解过程中Ni金属平均粒径变化趋势明显不同，n（La）：n（Ni）=0的Ni—SiO2催化剂随反应进行Ni金属平均粒径不断降低，而n（La）：n（Ni）=0．3的Ni—SiO2催化剂随反应进行Ni金属平均粒径则不断升高。碳纤维形态受掺La掺杂量影响较大，随La、Ni物质的量比由0增长至0．3，反应过程中生成的碳纤维管径变粗，而随La、Ni物质的量比由0．3增长至0．6，碳纤维变短。

简介：以氮掺杂碳球作为载体负载银纳米材料,并将其用作非酶电化学传感器对过氧化氢进行检测.考察了过氧化氢浓度、扫描速率对电化学信号的影响,并采用计时电流法对传感器的性能进行了研究.电化学测试结果表明,该复合材料在磷酸缓冲溶液中对过氧化氢还原响应快速、稳定,重复性良好,可以达到1.5μmol/L的检出限.

简介：通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响。X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,实验获得的最佳沉积衬底温度和氧分压分别为400℃和5∶100(O2/Ar),在该条件下制备的铝掺杂氧化锌薄膜具有较低的表面电阻(<80Ω/sq)和较高的平均透过率(>80%)。

简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。