简介：介绍高速铁路用弹簧钢38Si7线材生产技术要求和工艺开发过程,从孔型系统、料型制度、生产管理等方面进行了优化,逐渐扩大南钢高速铁路用弹簧钢38Si7线材市场占有力。

简介：

简介：<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：PitformationandsurfacemorphologicalevolutioninSi(001)homoepitaxyareinvestigatedbyusingscanningtunnelingmicroscopy.Anti-phaseboundaryisfoundtogiverisetoinitialgenerationofpitsboundbybunchedDBsteps.Theterracesbreakupandarereducedtoacriticalnucleussizewithpitformation.Duetoanisotropickinetics,adownhillbiasdiffusioncurrent,whichislargeralongthedimerrowsthroughthecentreareaoftheterracethanthroughtheareaclosetotheedge,leadstotheprevalenceofpitsboundby{101}facets.Subsequentannealingresultsinashapetransitionfrom{101}-facetedpitstomulti-facetedpits.

简介：利用Gaussian-94计算程序中的B3LYP方法,在6-311+G(2d)6d基组下,对Si5,Si5H3,Si5H6,Si5Li3和Si5Na3原子簇的几何结构进行优化和频率计算.结果表明,Si5原子簇中最稳定的具有D3h对称性的结构中,位于同一平面上的3个Si原子确实具有剩余的成键能力,可以与3个H,Li,Na原子和6个H原子形成稳定的化合物.研究还发现,虽然H,Li和Na都属同一主族,但它们与Si5原子簇中Si原子的键连方式却不同,而且它们的加入,对Si5原子簇的'三角双锥'结构也有不同的影响.

简介：铁(Fe)在铝(艾尔)有低稳固的溶解度，并且它通常形成Fe富有的金属间化合的混合物。钪(Sc)是能充当谷物的一个元素更精制，修改最容易溶解的硅并且同时改变Fe富有的金属间化合的混合物的形态学。现在的工作被进行在Al-7Si-0.3Mg的机械性质上学习Sc的效果。合金被准备由压榨在Fe的二个层次扔(0.2和0.4?wt%)并且Sc的三个层次(0wt%，0.2wt%并且0.4?wt%)。Sc被发现增加合金的机械性质，包括它的坚硬，收益力量和最终的张力的力量。在0.2点?wt%Fe，当维持好延伸时，增加的Sc增加力量。在0.4点?wt%Fe，增加的Sc增加力量，但是减少延伸稍微。金属间化合的混合物和最容易溶解的硅的分布和形态学影响延伸。Fe富有的金属间化合的混合物和Sc富有的金属间化合的混合物充当裂缝开始地点。0.2?wt%Fe?+?0.2?wt%Sc合金有这些金属间化合的混合物的最低数量，并且最容易溶解的硅小、含纤维。那么，它有最高的延伸。

简介：ＣｕｒｉｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＦｅＳｉＢａｎｄＦｅＷＳｉＢＡｌｏｙｓＷａｎｇＬｉｎｇｌｉｎｇ，ＺｈａｏＬｉｈｕａ，ＨｕＷａｎｇｙｕ（王玲玲）（赵立华）（胡望宇））ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＨｕｎａｎＵｎ...

简介：研究Al-Mg-Si合金晶界组成相（Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si）间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n（Mg）/n（Si）〈1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

简介：为改善La-Mg-Ni系A2B7型合金的电化学贮氢性能，在合金中添加一定量的Si元素，通过真空熔炼及退火处理的方法制备La0.8Mg0.2Ni3.3Co0.2Six（x=0-0.2）电极合金。研究Si元素的添加对合金结构及电化学贮氢性能的影响。结果表明，铸态及退火态合金均为多相结构，分别为Ce2Ni7型的（La,Mg）2Ni7相和CaCu5型的LaNi5相以及少量的残余相LaNi3。Si元素的添加没有改变合金的主相，但使得合金中的（La,Mg）2Ni7相减少而LaNi5相增加。添加Si显著地影响了合金的电化学性能。随着Si含量的增加，铸态及退火态合金的放电容量逐步降低，但循环稳定性却随着Si含量的增加而增强。此外，合金电极的高倍率放电性能、极限电流密度、氢扩散系数以及电化学交流阻抗谱的测试均表明合金的电化学动力学性能随着Si含量的增加先增加而后减小。

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简介：利用SOI衬底生长部分／完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件；这两种方法均可用于CMOS结构，也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道，可将沟道迁移率提高50％，从而提高了器件电流。SOI晶体管的好

简介：Aconductionchannelmodelispropsedtoexplainthehighconductivitypropertyofnc-Si:H.Detailedenergybanddiagramisdevelopedbasedontheanalysisandcalculation,andtheconductivityofthenc-Si:Hwasthenanalysedonthebasisofenergybandtheory.Itisassumedthattheconductivityofthenc-Si:Hstemsfromtwoparts:theconductanceoftheinterface,wherethetransportmechanismisidentifiedasathermal-assistedtunnelingprocess,andtheconductancealongthechannelaroundthegrain,whichmainlydeterminedthehighconductivityofthenc-Si:H.Theconductivityofnc-Si:Hiscalculatedandcomparedwiththeexperimentdata.Thetheoryisinagreementwiththeexperiment.

简介：在大约431nm的蓝光在C+培植以后从取向附生的硅被获得，在顺序蚀刻的氢环境和化学药品退火。随化学蚀刻的增加，蓝山峰起初被一座红山峰最后提高，然后减少了并且代替。C=O混合物在C+培植期间被介绍并且在纳米Si的表面嵌入在退火期间形成了，并且最后被形成纳米硅与嵌入结构，它贡献蓝排放。介绍是光致发光的可能的机制。