简介：栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息，是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-SoSon等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS（TR-LDMOS）的RESURF条件，建立器件的栅电荷分析模型，发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURFLDMOS（LR-LDMOS）少13．85％，所需Qg比LR-LDMOS少17．65％；完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上，结合仿真对沟道区不同时刻栽流子分布的描述，更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化；并且应用比较分析的方法，解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下，得到有助于器件设计的应用性结论。

简介：在静电学中,常常遇到“点电荷”与“试验电荷”两个概念,不少学员不能区分这两个概念,甚至有的教科书也对它们不加区别。所谓“点电荷”,是指其体积和几何形状均可忽略的带电体。它所占的空间很小,可视其所带电量集中于一点。为了定量地确定静电场中任一点处电场的性质,又引入了“试验电荷”的概念。对

简介：曾经去过两个古镇——周庄和同里，总感觉周庄过于商业化，遮盖了古朴的气息，而同里又过于古旧，让人感觉有些破败。我便以为古镇都不过如此，可当我身处乌镇的时候，我发现它远远地出乎我的想象。

简介：

简介：本文从定性、定量两方面讨论了感应电荷与施感电荷的关系。

简介：电荷在其周围的空间激发一种特殊的物质——电场,另外的电荷处于该电场内就要受到一定力的作用,而且也反过来对场起作用,改变场在其周围空间的分布。故严格地说,一个被置于外电场中的电荷,它所受到的作用是已经改变了的场的作用。但是,如果置于场中电荷的电量q不大,电荷对于原电场的作用可以忽略不计,这时处于电场中的静止电荷受到的电场力可写成

简介：

简介：半径不同的两个带电小球接触后有无电荷的转移取决于两小球之间是否存在有电势差．若有电势差，则有电荷的定向移动；若无电势差，则没有电荷的移动．

简介：各类水电站一般都设有拦污栅。拦污栅的结构应与电站型式和水轮机机型相适应，能够阻止杂物进入压力管道、水轮机导水机构及涡室，保证机组正常运行。

简介：乌镇是一枝莲，东栅、西栅、南栅、北栅是它张开的仡瓣。东栅因为天光和娴火气盛，这片花瓣在我眼里是银粉色的。西栅呢，被不绝的流水环绕着，那层层叠叠的楼台水阁，迷宫似的灰街长巷，也就有了舟楫的气象，似乎你轻轻一推，它们就会起航。

简介：3年来，每当月到中秋．江西人都会目睹本土两家食品企业的一场“战争”——为争夺更多的月饼市场．江西龙冠食品有限公司（以下简称为“龙冠”）和江西乔家栅食品有限公司（以下简称为“江西乔家栅”）生死相拼．从广告宣传到终端卖场．两者无不针锋相对，寸土必争。同样的情形，在2006年的中秋也不会例外。

简介：IGBT是一种新型的电压控制型电力半导体器件，伴随太阳能、风能、汽车电子等新能源时代的到来，IGBT在现代电力电子技术起着核心作用，而IGBT的栅驱动设计是IGBT的应用首要前提，本文研究IGBT栅驱动电压，驱动功率和驱动电阻的设计，以及通过试验证明不同驱动电阻的驱动条件下对IGBT应用的影响。

简介：从上海抵乌镇已是正午。春日的太阳像少女的脸,温润而不失热切。排着长队搭上从西栅游客中心往安渡坊的船。一湾碧水中,艄公懒懒地摇着橹,沿岸的树绿得晃人眼目。记起儿时读过贺知章的诗：＂碧玉妆成一树高,万条垂下绿丝绦。不知细叶谁裁出,二月春风似剪刀＂。好一个二月,经过了许多的春,看过了无数的柳,几乎忘却了＂伤春＂的我,面对西栅元宝湖畔的柳竟是感动起来。

简介：据ClarkeTA2011年6月7日[ProcNatlAcadSciUSA,2011,108（23）：9384-9389]报道,英美科学家首次精确地展示了细菌中运送电荷的细胞内蛋白质分子结构,详细揭示了细菌如何将电子由细胞内推到细胞外的＂细枝末节＂,

简介：

简介：为探究放电后电荷重置对雷暴云电过程的影响,在已有的三维雷暴云起、放电模式中分别加入两种不同的电荷重置方案：一种是植入法即放电后闪电通道上的感应电荷与原空间电荷叠加（简称ZR方案）;另一种是中和法即放电后直接按一定比例降低闪电通道处的空间电荷浓度（简称ZH方案）。利用长春一次探空个例进行敏感性试验,发现放电后重置方式的不同会导致闪电特征存在明显差异：1）ZR方案下的云闪发生率比ZH方案下的云闪发生率少。闪电放电后ZR方案在云中植入异极性电荷,对雷暴云中电荷的中和量比ZH方案多,摧毁云中电场的能力更强;2）ZR方案下的正、负地闪发生率均比ZH方案多。相对于ZH方案,ZR方案中主正电荷区的分布范围大于主负电荷区,导致其出现了更多的正地闪;ZR方案中的云顶屏蔽层与主正电荷区的混合程度高,混合时间长,导致ZR方案在主正电荷区与主负电荷区之间触发了更多的负地闪;3）ZR方案下的闪电通道长度比ZH方案下的闪电通道长度短。ZR方案在云中植入异极性电荷,导致云中难以形成大范围同极性电荷堆,闪电通道传播局限在一对较小的异极性电荷堆内,而ZH方案不改变云中电荷分布,存在大范围同极性电荷堆,闪电通道传播范围较大。

简介：乌镇是一枝莲，东栅、西栅、南栅、北栅是它张开的花瓣。东栅因为天光和烟火气盛，这片花瓣在我眼里是银粉色的。西栅呢，它被不绝的流水环绕着，那层层叠叠的楼台水阁，迷宫似的灰街长巷，也就有了舟楫的气象，似乎你轻轻一推，它们就会启航。在

简介：利用惠更斯-费涅耳原理得出任意光栅衍射的光强公式,讨论2种特殊光栅的光强分布特点.

简介：IBM一研究组（位于纽约的TJWatson研究中心）介绍了他们研制的栅长160hm的InGa4sMOSFET．也是为了评价当栅长与现代Si同类器件相当时，需要解决的关键问题。研究人员着手解决表面态问题，

简介：球栅阵列技术已经激起了电子行业的人们强烈的兴趣.随着人们的目光愈来愈多地关注于BGA器件的组装的时候,对BGA器件进行组装时所产生的清洗和干燥的问题受到了人们广泛的关注,各种各样的BGA器件和焊膏需要采用合适的清洗处理方法.