简介：摘要：单晶炉会在以氩气为主的惰性气体环境中进行原料加热，之后进行单晶硅的生产，所以单晶炉的稳定性，将会直接影响其生产质量。现阶段，单晶炉的工艺控制技术和自动化程度已经得到很大提升。本文探讨对单晶炉设计的优化手段，综合其结构特征进行分析，然后从不同角度讨论如何开展设计优化工作。希望通过研究可以改进单晶炉的设计，提升单晶炉设备的整体性能。

简介：【摘要】 虽然目前生产硅单晶的工艺种类繁多，但大多数硅单晶的生长都需要在充有惰性气体的密闭炉室内进行。

简介：摘要本文综述了制造光伏电池和集成电路用单晶硅的特点，对直拉法生长单晶硅的基本原理及生产工艺进行论述，并且分析了直拉法单晶生长过程中的主要杂质及其来源。

简介：

简介：

简介：近年来，随着X-光晶体结构解析技术的日益成熟，以及同步幅射光源的使用逐渐普遍，解析X-光晶体结构所需的时间已大幅缩短，加上此技术一般说来没有分子量的上限，因此研究物质的晶体结构越来越便利。所以单晶的培养越来越受到人们的关注。

简介：莫斯科钢与合金研究所利用机械一化学合成法成功合成一种特殊的准单晶物质，在工业领域有广泛应用前景。在这种物质中，铁、铜、铝三种原子的排列不像普通单晶那样具有相同的晶格，但仍具有严格的顺序，呈现出几何排列。以橡胶和聚合物为底基，辅以这种准单晶物质制成的复合材料具有金属和陶瓷的双重特性，像金刚石一样坚硬，摩擦系数小于金属，化学稳定性和耐摩性很高。

简介：摘要本文从埚转、等径功率、投料量等几个方面论述了直拉硅单晶中氧含量的控制方法，通过工艺调整，降低硅单晶的氧含量，改善晶体品质。

简介：摘要：钝化发射极和背面（PERC）电池，是目前产业化高效晶硅太阳能电池的主流。PERC电池背面由钝化层和Si3N4层覆盖，这两层薄膜是非导电介质膜，因此背面铝浆直接印刷在背面时，铝浆不能与硅片接触，经过烧结后不能形成背面电极，需要通过激光开窗手段将硅片背面部分钝化层和保护层去除，使得背面铝浆与硅片直接接触，烧结后形成电极，所以背面激光的图形设计对电池片性能有者着重要影响。通过优化激光烧蚀工艺，获得不同的开窗比例及形貌，通过对比分析电性能效果，获得较佳的钝化接触效果，较传统开窗工艺，可有效提升电池效率。

简介：摘要：本文结合制作单晶硅企业的工艺流程及负载特性，阐述了单晶硅生产过程中产生的电能质量问题，并阐述了过往在使用有源滤波器治理谐波的过程中产生的问题，给出专业的解决方案，通过实例验证了方案的可行性。

简介：通过U—Vis实验简单的讨论了金刚石单晶的颜色。

简介：单晶炉在硅料熔化过程中谐波含量很大，产生大量的高次谐波电流，污染电网，危害用电设备。本文阐述了采用晶闸管投切集中滤波补偿系统及单晶炉就地5次谐波滤波柜对单晶炉供电系统进行动态谐波治理及无功补偿的技术方案，改变了大多数厂家采取传统的L—C滤波器进行治理谐波的思路，避免了发生滤波器谐波过载及各单晶炉间电气设备产生串、并联谐振现象，从而对公司产生了良好的经济与社会效益。

简介：大功率脱硫加速器要求稳定发射500mA直流电流，且要长时间连续工作，因此寻求一种长时间稳定发射的阴极发射体，对于脱硫加速器的建造至关重要。就制备技术比较成熟的大电流长寿命发射体而言，用单晶LaB6的逸出功低、发射度好，成为高亮度、高稳定性、长寿命阴极的首选材料。

简介：摘要半导体单晶抛光片是当前一种十分重要的材料，对于大规模集成电路和半导体器件的应用有着巨大的作用。本文主要以硅、砷化镓、锗等半导体单晶抛光片为例，对其清洗工艺和清洗机理进行了研究。具体来说，先采用氧化性的溶液在抛光片表面产生氧化膜，然后再将形成的氧化膜去除，从而实现抛光片表面杂质和污染物的清除。

简介：现代医学的发展，使得临床医生对医学超声影像系统不断提出新的要求和需求。医学超声换能器，是工作于医学超声系统与患者接触的最前端，是拥有最高技术密集度的核心关键部件。探头的性能，直接影响到图像的质量和产品的功能应用。各种性能优异的压电单晶的成功生长及制备，对探头的核心压电材料做出了重要而丰富的补充，探头的性能和应用范围得到极大地延伸。本文对医学单晶材料超声换能器的应用及国内外相关研究进展，做简要介绍。

简介：中国科学院上海硅酸盐研究所中试生产一线近日成功制备出长度达600mm的锗酸铋（BGO）大单晶。这是迄今为止国际上公开报道的最长BGO单晶（俄罗斯无机化学所曾报道的最长BGO单晶为400mm）。600mmBGO大单晶是上海硅酸盐所在中国科学院空间科技先导项目支持下，开展空间暗物质探测器用超长BGO单晶技术攻关工作中取得的重要进展。

简介：摘要：随着半导体技术的发展，大直径硅单晶是不可避免的，但是生长 6英寸或更大直径 的区熔 硅单晶极为困难。而且该技术国外对我国进行了严格的技术封锁，为打破这种局面，国内的大直径区熔硅单晶的自主研发势在必行。

简介：本文简要讨论用自发成核(SPONTANEOUSNUCLEATION)的办法生长大单晶金刚石的问题。全文共分三部分：1、回顾；2、技术关键；3、展望。

简介：

简介：<正>在关于硅材料先进科学和工艺的第三届国际会议上,日本超级硅研究所(SSI—SupersiliconcrystalResearchInstitute)发布了迄今最先进的直径400mm(16英寸)硅单晶片制造工艺。SSI是日本于1996年组建的、有日本政府财政支持的旨在进行400mm硅单晶生长和晶片加工研究开发的集团。组建时,SSI的官员曾预料,2008年开始使用400mm硅片,但在这次会议上,他们认为要到2014年才会开始使用。SSI的权威人士称,他们已开发出