简介：在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下，沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

简介：

简介：同样是国内网站的CE0，但是，与王志东、张朝阳相比，甄荣辉的名声小多了。不过，这并不影响甄荣辉的名气。因为在国内人才圈里，甄荣辉早已是名副其实的老人。作为前程无忧的CE0，他的51job网站建起了容量达150万的人才简历库和覆盖全国20多个城市的网络，每日的页面浏览量也飙升至500多万人次。

简介：摘要在高中培养学生的数学思维不仅与新课程的目标紧密结合，同时培养学生的数学思维能够有效的提高学生的解题能力。数学思维不仅让学生在学习中受益，同时也可以为学生日后的工作以及学术研究奠定基础。因此这就需要教师在实际教学过程中根据学生的实际学习情况，灵活变换教学方式，培养学生的数学思维。本文主要简述培养高中数学思维的必要性以及教师在培养高中学生数学思维的过程中要采取相应的措施。

简介：<正>一、节能工作面临的形势、任务和地位改革开放以来,我国的节能工作成绩巨大,在世界上也是少有的。1980～1998年,我国年均节能率达到4.4％,18年累计节约和少用能源8.34亿吨标煤,CO2减排5.26亿吨（但排放量仍仅次于美国,占世界第二位）,节约能源的价值量为7884亿元。按年

简介：2004年清洗技术国际论坛暨清洗技术装备展览会的国际招展工作进行得风风火火.为使广大读者朋友能够详细了解本次展会的招展进程,记者特意采访了中国洗净工程技术合作协会国际合作部部长王荣年(以下简称"王")及助理刘赞(以下简称"刘").