简介：本文简要叙述了现代生产制造技术在国民经济中的地位以及在当今社会经济、技术条件下。

简介：在现代电源的应用中，需要利用高效、高可靠性的高压开关器件来提高效率。但是要么是很少可以找到耐压大于1000V的MOSFET，要么就是耐压高的MOSFET，其RDS（on）也很大，这使得MOSFET的导通压降也很大，这是我们不希望看到的。双极性MOSFET是结合了MOSFET和IGBT优点的开关元件。本文主要对制造BiMOSFET的新工艺方法以及它的非外延型结构进行了说明。

简介：2005年1月13日上午,由SEMIKRON公司和北京富世佳兴电子器材有限公司联合举办的“现代功率半导体专题研讨会”在北京翠宫饭店二层大会议厅成功举行。

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简介：当前，电子设备向轻薄小型化和多功能高性能化发展，使电子元件与印制板发生了很大变化．具体体现在IC封装尺寸微型化和三维化，无源元件小型贴片化、复合化和埋置于印制扳内，埋置无源与有源元件印制板被开发应用等。

简介：介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。

简介：由于铝对人类的危害，防止铅污染已成为世界潮流。无论市场趋势还是国际立法部兮使电子装配中逐步缩减铅的使用，可见，无铅焊接在中国、在我们每一家公司的实施势在必行!实施无铅焊接涉及的材料有元器件、PCB、焊接材料、助焊剂等，同时对设备和工艺也提出了更高的要求。我公司在推行PCBA装联无铅化的工作上，已经有了实质性的进展。

简介：英飞凌科技于9月23日宣布其中国发展策略又向前推进一大步，英飞凌科技(苏州)有限公司的苏州封测厂正式落成。新厂于2003年10月开始建设，首批存储器产品将于2004年底走下后端生产线，批量生产计划将于2005年初开始。

简介：IMS公司推出的新款系列局部缠绕端接电阻提供了外露型焊接片，是推进倒装贴片端接节点的可视化检测而设计的。

简介：本文重点介绍覆铜板“无铅”化的紧迫性，相关产品的研发及初步成果。

简介：日前，国务院黄菊副总理在全国再就业工作表彰大会上指出，劳动力素质与岗位需求不适应的结构性矛盾进一步突出，技工尤其是高级技工严重短缺。

简介：本文提出了一种在感应电机直接转矩控制（DTC）中使用的占空比控制方法。和传统的直接转矩控制方法相比，使用占空比控制的直接转矩控制系统稳态转矩响应得到改善，转矩脉动也减少。在每一个开关周期，用转矩和磁通偏差作为模糊逻辑的输入，通过模糊逻辑算法来实现占空经的控制。SIMULIK的实验结果证实了该方法所宣称的改进效果。

简介：介绍了一种基于DSP芯片和IPM功率模块组成的全数字恒压供水系统，给出了控制器的硬件结构及软件流程图。该系统根据供水管网的用水情况调整水泵投入台数及转速，实现自动恒压供水，达到高效节能的目的。

简介：分析了金属化孔镀层空洞的主要产生原因，从各主要工序出发，提出了如何优化工艺参数行严格的工艺及质量控制，以保证孔化质量的方法。

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简介：由于功率半导体制造技术的进步,发现可以使电子系统进一步小型化。而将电子系统的尺寸缩小也是实际的需要。但是。器件的热性能是个不可忽视的问题。显而易见,解决问题的第一方法是降低器件的导通电阻和功耗。目前已有些功率MOSFET公司使用沟渠技术,使器件的热性能比前几代有显著的改善。

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